【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种己二酸结晶器的移动清疤方法，其特征在于：设结晶器有M个结晶室，整个结晶器的后N个室产生结晶，其中M≥N，前M‑N个室进行溶解清疤；清疤的具体过程为：在清疤开始前，各结晶室的压力为P0，即N个室结晶对应的压力，T0时刻开始移动清疤，在ΔT时间内压力通过压力调节阀由P0匀速上升到P1，此时结晶室内的物料平衡温度上升，然后压力P1保持一段时间，部分室内的溶液达到不饱和状态，晶疤逐渐溶解，晶疤溶解完之后，T1时刻开始向初始操作恢复，初始操作即N室结晶，在ΔT时间内压力由P1匀速下降到P0，T0+ΔT时刻清疤结束。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：艾晓欣，袁文，张丰扬，王琳，张猛，陈顺杭，张进治，董强，江屿，孙顺平，
申请(专利权)人：中国天辰工程有限公司，天津天辰绿色能源工程技术研发有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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