NAND快闪存储单元、操作方法与读取方法技术
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种NAND快闪存储单元、操作方法与读取方法。此NAND快闪存储单元包括多个栅极层、一通道层、一电荷捕获层、一导体层与一第二介电层。这些栅极层中相邻的两个栅极层之间包括一第一介电层。通道层、电荷捕获层、导体层与第二介电层会贯穿这些栅极层。电荷捕获层是配置在通道层与栅极层之间，并且第二介电层是配置在导体层与通道层之间。因此，抹除速度会被提升，电荷捕获层可以被修复，并且栅极层的控制能力会提升。【专利说明】NAND快闪存储单元、操作方法与读取方法
本专利技术是有关于一种快闪存储单元，且特别是有关于一种NAND快闪存储单元、操 作方法与读取方法。
技术介绍
NAND结构被广泛用于非挥发性存储器装置的设计中，以增加储存密度。一个NAND 快闪存储单元通常包括彼此串联连接的多个存储单元。随着制程的微缩，在NAND快闪存储 上会面临许多困难而造成数据可靠度降低。近年来业界提出了许多三维的NAND快闪存储 单元，以尝试解决制程微缩所碰到的问题，例如为兆元胞阵列晶体管（Terabit Cell array transistor，...
【技术保护点】
一种NAND快闪存储单元，其特征在于，包括：多个栅极层，其中该些栅极层中相邻的两个栅极层之间包括一第一介电层；以及一通道层，贯穿该些栅极层；一电荷捕获层，贯穿该些栅极层，配置在该通道层与该些栅极层之间；一导体层，贯穿该些栅极层；以及一第二介电层，贯穿该些栅极层，其中该第二介电层是配置在该导体层与该通道层之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林纬，许祐诚，郑国义，
申请(专利权)人：群联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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