检测读取操作对临近单元干扰的方法技术

本发明专利技术提供的检测读取操作对临近单元干扰的方法，同时选通多根连续位线，在读取存储单元的信息的同时，测量与被读取存储单元施加较高电压的位线相邻的至少一根位线的电压，计算流过与所述被读取存储单元临近的存储单元的泄露电流，通过比较泄露电流与预设电流值，可以检测与被读取存储单元临近的存储单元在读取操作时是否受到干扰。另外，本发明专利技术提供的检测读取操作对临近单元干扰的方法，通过判断泄露电流的大小，可以检测被读取存储单元的读取精度是否受到干扰。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器信息存储和读取领域，特别是涉及检测读取过程中临近存储单元受到干扰的方法。
技术介绍
整个闪存存储器的核心是存储单元构成的阵列，阵列中存储单元信息的读取方法参见图1，存储单元以普通MOS管为例，每个存储单元(cell)有三个端口，其中一个是控制端口，相当于普通MOS管的栅极，其余两个端口相当于普通MOS管的源极和漏极。存储单元的控制端口连接字线，并且阵列中同一行存储单元的控制端口连接同一字线WL1，字线电位高低实现对存储单元的开启和关断。存储阵列中同一行存储单元的源极和漏极顺次首尾相连，相邻的两个存储单元的源极和漏极连接在一根位线上。当存储单元处于开启状态时，等效为一个电阻；当存储单元所存储的信息为“0”或为“1”时，其电阻值不同。因此，为了读取存储单元中存储的信息，需要在被读取存储单元的两端施加电位差，读取流过存储单元的电流就可以读取存储单元中的存储信息。通常读取存储单元中的信息时，以读取图1中存储单元cell2为例，字线WLl电平为高后存储单元cell2开启，位线选通装置选通存储单元cell2源极和漏极相连接的两条位线BLa和BLa+Ι，低电平产生电路为位线B本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈巍巍，陈岚，龙爽，杨诗洋，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：