温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供的检测读取操作对临近单元干扰的方法，同时选通多根连续位线，在读取存储单元的信息的同时，测量与被读取存储单元施加较高电压的位线相邻的至少一根位线的电压，计算流过与所述被读取存储单元临近的存储单元的泄露电流，通过比较泄露电流与预设电流...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。