有效控制过刻蚀量的方法技术

本发明专利技术提供一种有效控制过刻蚀量的方法，提供一自下而上依次包括衬底、刻蚀停止层、层间介质层及硬掩模的测试结构，所述刻蚀停止层的厚度与待刻蚀器件中的一致，然后采用预设刻蚀条件对所述测试结构进行刻蚀，形成若干用于互连的盲孔；再测试刻蚀后的测试结构的纵截面形貌，若所述盲孔的下表面低于所述刻蚀停止层的下表面，且所述盲孔的下表面与所述刻蚀停止层下表面的之间的距离小于或等于预设过刻蚀量，则采用所述预设刻蚀条件对待刻蚀器件进行刻蚀。本发明专利技术不需要通过特殊制样增厚刻蚀停止层，且不需要预镀铜层，过刻蚀量的检测方法简单，显著降低了工艺调整的成本；且能够实时监测线上刻蚀工艺，有效控制互连通孔的过刻蚀量，保证产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
有效控制过刻蚀量的方法
本专利技术属于半导体制造领域，涉及一种工艺调整方法，特别是涉及一种有效控制过刻蚀量的方法。
技术介绍
随着集成电路CMOS技术按照摩尔定律而高速发展，互连延迟逐渐取代器件延迟成为影响芯片性能的关键因素。互连之间的寄生电容和互连电阻造成了信号的传输延迟。由于铜具有较低的电阻率，优越的抗电迁移特性和高的可靠性，能够降低金属的互连电阻，进而减小总的互连延迟效应，现已由常规的铝互连改变为低电阻的铜互连。同时降低互连之间的电容同样可以减小延迟，而寄生电容C正比于电路层绝缘介质的相对介电常数k，因此使用低k材料作为不同电路层的绝缘介质代替传统的SiO2介质已成为满足高速芯片的发展的需要。因此铜/低K介质体系逐渐取代了传统的Al/SiO2体系成为了业界的主流。在多层不限立体结构中，两个层间介质层之间通常包括刻蚀停止层，刻蚀停止层的作用是使沟槽或通孔的刻蚀深度得以精确控制及一致化。若没有刻蚀停止层，由于干法刻蚀的不均匀性、微负载效应及深宽比效应等，会使得刻蚀深度难以控制及不一致。刻蚀停止层还具有阻挡铜扩散的功能。但是刻蚀停止层会增加导线间的电容和层间电容，当工艺节点进入到28本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有效控制过刻蚀量的方法，其特征在于，所述有效控制过刻蚀量的方法至少包括以下步骤：S1：提供一测试结构，所述测试结构自下而上依次包括衬底、刻蚀停止层、层间介质层及硬掩模；所述刻蚀停止层的厚度与待刻蚀器件中对应的刻蚀停止层的厚度相同；S2：在所述硬掩模上形成预设刻蚀图案，然后采用预设刻蚀条件对所述测试结构进行刻蚀，在所述测试结构中形成若干用于互连的盲孔；S3：测试刻蚀后的测试结构的纵截面形貌，若所述盲孔的下表面低于所述刻蚀停止层的下表面，且所述盲孔的下表面与所述刻蚀停止层下表面的之间的距离小于或等于预设过刻蚀量，则采用所述预设刻蚀条件对待刻蚀器件进行刻蚀，若不满足，则进入步骤S4；S4：调节所...

【技术特征摘要】
1.一种有效控制过刻蚀量的方法，其特征在于，所述有效控制过刻蚀量的方法至少包括以下步骤：S1：提供一测试结构，所述测试结构自下而上依次包括衬底、刻蚀停止层、层间介质层及硬掩模；所述刻蚀停止层的厚度与待刻蚀器件中对应的刻蚀停止层的厚度相同，且不需要预镀铜层；所述刻蚀停止层的厚度范围是200～400埃；所述衬底的材料为低k介质或超低k介质，所述低k介质满足k<3，所述超低k介质满足k<2.5；S2：在所述硬掩模上形成预设刻蚀图案，然后采用预设刻蚀条件对所述测试结构进行刻蚀，在所述测试结构中形成若干用于互连的盲孔；S3：测试刻蚀后的测试结构的纵截面形貌，若所述盲孔的下表面低于所述刻蚀停止层的下表面，且所述盲孔的下表面与所述刻蚀停止层下表面的之间的距离小于或等于预设过刻蚀量，则采用所述预设刻蚀条件对待刻蚀器件进行刻蚀，...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡敏达，张城龙，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31