半导体试验装置制造方法及图纸

提供一种重复性优秀、维护容易的半导体晶元的探测试验装置。将供给用于防止探针（11）的氧化的防氧化气体的气体注入口，以包围晶元（14）的外侧面的方式，设置在探针仪内的晶元探测工作台上安装的遮挡构造物（13）的内侧壁。通过从这样的气体注入口，将防氧化气体（23），经由晶元的外圆周部和晶元表面上，流向探针（11）的与晶元的接触部分，以防氧化气体维持探针周边的气体环境。由此，由于不需要将喷射喷嘴设置于探针卡（12）的上部，所以不需要伴随探针卡的交换的喷嘴的位置调整。另外，不管探针卡的结构，即使在垂直型探针卡中也能进行防氧化气体的喷吹。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体试验装置
本专利技术涉及半导体试验装置，特别是，涉及用于进行半导体晶元的探测试验的半 导体试验装置。
技术介绍
通过使探针（probe)接触形成于集成电路上的电极来进行作为用于检查处于晶元 状态的半导体芯片的夹具而使用探针卡（probe card)的晶元测试。 在图6中示出了现有技术中进行晶元的探测试验工序的装置的系统结构。在图6 中，半导体试验装置40具备：喷出喷嘴41、安装有探针42的悬臂型的探针卡43、将晶元44 进行固定的晶元探测工作台45以及探针仪46,还具备生成用于经由探针42输入到芯片上 的电极焊盘的电信号并且分析由这样的电极焊盘输出的输出信号且判定芯片的合格不合 格的信号处理部47。 在此，通过由喷出喷嘴41，将防氧化气体(例如，氮气）喷吹到探针42,来防止探针 42的氧化。 这样，在现有的半导体试验装置中，通过经由喷射喷嘴，朝向探针喷吹防氧化气 体，来防止探针尖的氧化(例如，参照下述的专利文献1)。 进而，在专利文献2所示的半导体试验装置中，在使用喷射喷嘴之后，进而通过以 箱子包围晶元工作台整体，并在这样的箱子内注入本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体试验装置，进行半导体晶元的探测试验，其特征在于，具备：　一个或多个第一气体注入口，供给用于防止探针的氧化的气体；以及遮挡构造物，安装于探针仪内的晶元探测工作台上的、包围所述晶元的外侧面，　所述第一气体注入口被设置于所述遮挡构造物的内侧壁，　从所述第一气体注入口，将所述气体经由所述晶元外圆周部和所述晶元表面上，流向所述探针的与所述晶元的接触部分，并在所述探针周边使所述气体停留。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.02.07 JP 2012-0241941. 一种半导体试验装置，进行半导体晶元的探测试验，其特征在于，具备： 一个或多个第一气体注入口，供给用于防止探针的氧化的气体；以及 遮挡构造物，安装于探针仪内的晶元探测工作台上的、包围所述晶元的外侧面， 所述第一气体注入口被设置于所述遮挡构造物的内侧壁， 从所述第一气体注入口，将所述气体经由所述晶元外圆周部和所述晶元表面上，流向 所述探针的与所述晶元的接触部分，并在所述探针周边使所述气体停留。2. 根据权利要求1所述的半导体试验装置，其特征在于， 具备：第二气体注入口，用于在所述遮挡构造物的上表面，将用于防止所述探针的氧化 的气体从下方喷吹。3. 根据权利要求1或2所述的半导体试验...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉冈耕治，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP