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本发明提供一种有效控制过刻蚀量的方法，提供一自下而上依次包括衬底、刻蚀停止层、层间介质层及硬掩模的测试结构，所述刻蚀停止层的厚度与待刻蚀器件中的一致，然后采用预设刻蚀条件对所述测试结构进行刻蚀，形成若干用于互连的盲孔；再测试刻蚀后的测试结构...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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