本发明专利技术公开了摄像器件、摄像装置、制造装置和方法以及半导体器件。所述摄像器件包括：半导体，所述半导体具有对入射光进行光电转换的受光部；导电配线；和包含具有不同尺寸的多个接触的接触组，所述接触与所述半导体和所述导电配线连接。所述摄像装置包括所述摄像器件和图像处理部。所述制造装置被构造用来制造所述摄像器件，并且包括设定部、半导体元件形成部、接触形成部和导电配线形成部。根据本发明专利技术，能够适当且容易地控制暗信号电平。
【技术实现步骤摘要】
摄像器件、摄像装置、制造装置和方法以及半导体器件
本专利技术涉及摄像器件、摄像装置、制造装置和方法以及半导体器件。具体地，本专利技术涉及能够适当且容易地控制暗信号电平的摄像器件、摄像装置、制造装置和方法以及半导体器件。
技术介绍
过去，在摄像器件中可能导致光学黑体(OPB)电平差，该电平差是有效像素中的暗信号与光学黑体(OPB)像素中的暗信号之间的差。此外，即使在有效像素区域内，暗信号也往往因像素而不同。例如，在有效像素的周边区域(框状区域)内，可能造成暗信号逐渐增加的暗信号阴影。 作为控制或校正这样的暗信号的方法，已经考虑过下面的各种方法。 例如，为了控制暗信号，已经存在通过调节放大器晶体管的栅极面积来调整转换效率以控制暗信号的方法(例如，见专利文献JP3326940B)。这个方法可能弓I起这样的担忧:由于增大的栅极面积造成互导(gm)减少或者由于减小的栅极面积造成短沟道现象的发生，它们导致增益变化。 此外，还存在通过调节布线图案或扩散层来调整转换效率，以此控制暗信号的方法(例如，见专利文献JP2006-165006A)。然而，存在着这样的担忧:转换效率的变化可能导致明亮状态时的摄像特性的变动，这可能导致明亮状态时的图像质量劣化。 此外，还存在改变传感器电位从而控制暗信号的方法(例如，见专利文献JP2012-23319A)。在这个方法中，读出电压、饱和信号量和灵敏度受到很大影响，这可能导致明亮状态时的图像质量劣化。 此外，还存在通过调节像素接地(GND)接触周围的注入布局来控制暗信号的方法(例如，见专利文献JP2011-210837A)。在这个方法中，因为在光电二极管的N-型区域附近以相对高的浓度注入P+离子，所以可能担忧产生白点或暗电流。此外，因为高浓度的P+区域存在于元件隔离区域下方，所以光电二极管的耗尽层可能在横向上受到限制，这可能引发饱和或灵敏度特性劣化的问题。此外，当以相对高的浓度掺杂施主杂质作为应对这样的劣化的对策时，白点或暗电流可能变得更严重。 此外，存在这样的方法:为了抑制以框区域内暗电流的不均匀为代表的暗信号阴影的影响，通过大幅扩大有效像素区域外的像素延伸区域来减小有效像素内的阴影程度。在这个方法中，芯片的尺寸可能增加了像素延伸区域的量，这可能直接导致产量降低和制造成本增加。 此外，存在通过利用像素信号处理来校正OPB电平差和暗信号阴影的方法。在这个方法中，信号处理需要额外的存储器，这可能导致这样的担忧:由于与所述处理相关联的噪声而造成图像质量劣化。
技术实现思路
即使在任何一个上述的方法中，都存在关于图像质量劣化和控制技术复杂化的担忧。因此，存在对在不使图像质量劣化的情况下使用简单的手段控制暗信号的技术的需求。 鉴于上述情况进行了本专利技术，且本专利技术提供对暗信号电平的适当且容易的控制。 本专利技术的实施例提供了一种摄像器件，其包括:半导体，所述半导体具有对入射光进行光电转换的受光部；导电配线；和包括不同尺寸的多个接触的接触组，所述接触与所述半导体和所述导电配线连接。 所述接触组内的接地接触可以具有不同的尺寸，所述接地接触连接所述半导体的像素阱区域和处于接地电位的所述导电配线。 所述半导体的光学黑体区域内的至少一个所述接地接触的尺寸可以与所述半导体的有效像素区域内的至少一个所述接地接触的尺寸不同。 所述光学黑体区域内的所述接地接触可以具有第一尺寸，且所述有效像素区域内的所述接地接触具有不同于所述第一尺寸的第二尺寸。 所述有效像素区域内的所述接地接触可以具有预定的尺寸，且所述光学黑体区域内的所述接地接触具有不同的尺寸。 所述半导体的有效像素区域内的所述接地接触可以具有不同的尺寸。 所述有效像素区域内的每个所述接地接触可以具有与图像高度相对应的尺寸。 所述有效像素区域内的一部分所述接地接触的尺寸可以与所述有效像素区内的另一部分所述接地接触的尺寸不同。 在所述接触组内，连接所述半导体的像素阱区域和处于接地电位的所述导电配线的接地接触的尺寸可以与所述接地接触以外的其它接触的尺寸不同。 所述其它接触可以包括下列接触中的至少一者:电源接触，所述电源接触连接形成在所述半导体中的电路元件和处于电源电位的所述导电配线；浮动扩散部接触，所述浮动扩散部接触连接形成在所述半导体中的浮动扩散部和相应的所述导电配线，和垂直信号线接触，所述垂直信号线接触连接形成在所述半导体中的选择晶体管和相应的所述导电配线。 仅所述接地接触可以具有预定的尺寸，且所述接地接触以外的其它接触可以具有多个不同的尺寸。 仅所述接地接触可以具有多个不同的尺寸，且所述接地接触以外的其它接触可以具有预定的尺寸。 本专利技术的另一实施例提供了一种摄像装置，其包括摄像器件和图像处理部。所述摄像器件包括:具有对入射光进行光电转换的受光部的半导体；导电配线；和包括具有不同尺寸的多个接触的接触组，所述接触与所述半导体和所述导电配线连接。所述图像处理部对处理对象的已经在所述摄像器件中经过了所述光电转换的图像进行处理。 本专利技术的又一实施例提供了一种被构造用来制造摄像器件的制造装置，所述制造装置包括:设定部，所述设定部设定连接半导体和导电配线的多个接触的不同尺寸；半导体元件形成部，所述半导体元件形成部在所述半导体中形成元件，所述元件包括对入射光进行光电转换的受光部；接触形成部，所述接触形成部按照所述设定部的设定形成所述接触；和导电配线形成部，所述导电配线形成部形成所述导电配线。 所述设定部可以设定接地接触的尺寸，所述接地接触连接所述半导体的像素阱区域和处于接地电位的所述导电配线。 所述设定部根据有效像素区域内的暗信号电平与光学黑体区域内的暗信号电平之间的差，可以设定所述有效像素区域内的所述接地接触的尺寸和所述光学黑体区域内的所述接地接触的尺寸。 所述设定部根据因有效像素区域内的所述接地接触的位置而造成的暗信号电平的变化，可以设定所述有效像素区域内的所述接地接触的尺寸。 所述设定部根据异常像素的暗信号电平与正常像素的暗信号电平之间的差，可以设定所述异常像素的所述接地接触的尺寸。 本专利技术的又一实施例提供了一种由制造摄像器件的制造装置进行的制造方法，所述制造方法包括步骤:为连接半导体和导电配线的接触设定不同的尺寸；在所述半导体中形成元件，所述元件包括对入射光进行光电转换的受光部；按照为所述接触而设定的尺寸设定，形成所述接触；并且形成所述导电配线。 本专利技术的又一实施例提供了一种半导体器件，其包括:具有电路元件的半导体；导电配线；和含有多个接触的接触组，所述接触具有不同的尺寸且与所述半导体和所述导电配线连接。 根据本专利技术的实施例，提出了一种摄像器件，其包括:半导体，所述半导体具有对入射光进行光电转换的受光部；导电配线；和包含具有不同尺寸的多个接触的接触组，所述接触与所述半导体和所述导电配线连接。 根据本专利技术的另一个实施例，提出了一种摄像装置，其包括摄像器件和图像处理部。所述摄像器件设置有:半导体，所述半导体具有对入射光进行光电转换的受光部；导电配线；和包含具有不同尺寸的多个接触的接触组，所述接触与所述半导体和所述导电配线连接。所述图像处理部对拍摄对象的已经在所述摄像器件中经过了所述本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种摄像器件，其包括：半导体，所述半导体形成有对入射光进行光电转换的受光部；导电配线；和接触组，所述接触组包含具有不同尺寸且与所述半导体和所述导电配线连接的多个接触。
【技术特征摘要】
2013.03.27 JP 2013-0653271.一种摄像器件，其包括: 半导体，所述半导体形成有对入射光进行光电转换的受光部； 导电配线；和 接触组，所述接触组包含具有不同尺寸且与所述半导体和所述导电配线连接的多个接触。2.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述接触组内的接地接触具有不同的尺寸，所述接地接触连接所述半导体的像素阱区域和处于接地电位的所述导电配线。3.根据权利要求2所述的摄像器件，其中，所述半导体的光学黑体区域内的至少一个所述接地接触的尺寸与所述半导体的有效像素区域内的至少一个所述接地接触的尺寸不同。4.根据权利要求3所述的摄像器件，其中，所述光学黑体区域内的所述接地接触具有第一尺寸，且所述有效像素区域内的所述接地接触具有不同于所述第一尺寸的第二尺寸。5.根据权利要求3所述的摄像器件，其中，所述有效像素区域内的所述接地接触具有预定的尺寸，且所述光学黑体区域内的所述接地接触具有不同的尺寸。6.根据权利要求2所述的摄像器件，其中，所述半导体的有效像素区域内的所述接地接触具有不同的尺寸。7.根据权利要求6所述的摄像器件，其中，所述有效像素区域内的每个所述接地接触具有与图像闻度相对应的尺寸。8.根据权利要求6所述的摄像器件，其中，所述有效像素区域内的一部分所述接地接触的尺寸与所述有效像素区域内的另一部分所述接地接触的尺寸不同。9.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，在所述接触组内，连接所述半导体的像素阱区域和处于接地电位的所述导电配线的接地接触的尺寸与所述接地接触以外的其它接触的尺寸不同。10.根据权利要求9所述的摄像器件，其中，所述其它接触包括下列接触中的至少一者: 电源接触，所述电源接触连接形成在所述半导体中的电路元件和处于电源电位的所述导电配线， 浮动扩散部接触，所述浮动扩散部接触连接形成在所述半导体中的浮动扩散部和相应的所述导电配线，和 垂直信号线接触，所述垂直信号线接触连接形成在所述半导体中的选择晶体管和相应的所述导电配线。11.根据权利要求9所述的摄像器件，其中，仅所述接地接触具有预定的...
【专利技术属性】
技术研发人员：石井俊辅，庆野聡志，和田智宏，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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