一种升降式单晶硅炉制造技术

本实用新型专利技术涉及一种升降式单晶硅炉，包括外壳、加热装置、氩气冷却装置及气动升降装置，所述外壳内中部设置有支承腔；所述的加热装置是设置在支承腔内的石墨加热器；所述的石墨加热器上设有石英坩埚，石英坩埚上设有均热圆盘发热装置；所述石英坩埚两侧设有通气孔；所述氩气冷却装置是设置在支承腔上端，包括密封容腔及设置在密封容腔两边的氩气导管及排气管；所述包括密封容腔下端设置有环形密封圈。本实用新型专利技术所述的一种升降式单晶硅炉，其集加热与冷却于一体，运用气动升降装置转换位置，结构合理，适于推广使用。

【技术实现步骤摘要】
一种升降式单晶硅炉
本技术涉及单晶硅炉，尤其是一种升降式单晶硅炉。
技术介绍
单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料 发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能 具有清洁、环保、方便等诸多优势，近三十年来，太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、 市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。单晶硅炉加热 系统和冷却系统是分开的，操作不便，生产效率低，而单晶硅炉内加热的温度不均匀导致生 产良率低。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是：为了克服上述中存在的问题，提供了一种升降 式单晶硅炉，其集加热与冷却于一体，运用气动升降装置转换位置，结构合理，适于推广使 用。 本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种升降式单晶硅炉，包括外 壳、加热装置、氩气冷却装置及气动升降装置，所述外壳内中部设置有支承腔；所述的加热 装置是设置在支承腔内的石墨加热器；所述的石墨加热器上设有石英坩埚，石英坩埚上设 有均热圆盘发热装置；所述石英坩埚两侧设有通气孔； 所述气动升降装置是设置在石英坩埚的底部，包括支承盘、升降杆、固定杆及底 座；所述支承盘是与石英坩埚相抵接；所述固定杆内设有容气仓，所述升降杆是设置在容 气仓内与固定杆内壁密封滑动连接；所述固定杆底部设有通气管及开关阀；所述通气管是 与外部气压装置相互连接。 所述氩气冷却装置是设置在支承腔上端，包括密封容腔及设置在密封容腔两边的 氩气导管及排气管；所述包括密封容腔下端设置有环形密封圈。 作为优选的方案，所述的氩气冷却装置上端设置有温度传感器。 作为优选的方案，所述外壳与支承腔之间是真空隔热层。 作为优选的方案，所述石英坩埚顶部设置有盖子。 本技术的有益效果是：一种升降式单晶硅炉，其集加热与冷却于一体，大幅 度地提高生产效率，通过运用气动升降装置转换位置，控制加热生晶或是氩气冷却，结构合 理，均热圆盘发热装置，使石英坩埚内热量均匀，提高正品率。 【附图说明】 下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。 图1是本技术所述的一种升降式单晶硅炉整体结构示意图。 图2是本技术所述的一种升降式单晶硅炉气动升降装置升起结构示意图。 图3是本技术所述的一种升降式单晶硅炉气动升降装置剖面结构示意图。 附图中标记分述如下：1、外壳，11、支承腔，12、密封容腔，13、真空隔热层，14、温度 传感器，2、加热装置，21、石墨加热器，3、氩气冷却装置，31、氩气导管，32、排气管，33、环形 密封圈，4、气动升降装置，41、支承盘，42、升降杆，43、固定杆，431、容气仓，44、底座，45、通 气管，451、开关阀，5、石英坩埚，51、通气孔，52、盖子，6、均热圆盘发热装置。 【具体实施方式】 现在结合附图对本技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图， 仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成。 如图1、2、3所示的一种升降式单晶硅炉，包括外壳1、加热装置2、氩气冷却装置3 及气动升降装置4,所述外壳1内中部设置有支承腔11 ;所述的加热装置2是设置在支承腔 11内的石墨加热器21 ;所述的石墨加热器21上设有石英坩埚5,石英坩埚5上设有均热圆 盘发热装置6 ;所述石英坩埚5两侧设有通气孔51 ; 所述气动升降装置4是设置在石英坩埚5的底部，包括支承盘41、升降杆42、固定 杆43及底座44 ;所述支承盘41是与石英坩埚5相抵接；所述固定杆43内设有容气仓431， 所述升降杆42是设置在容气仓431内与固定杆43内壁密封滑动连接；所述固定杆43底部 设有通气管45及开关阀451 ;所述通气管45是与外部气压装置相互连接。 所述氩气冷却装置3是设置在支承腔11上端，包括密封容腔12及设置在密封容 腔12两边的氩气导管31及排气管32 ;所述包括密封容腔12下端设置有环形密封圈33。 所述的氩气冷却装置3上端设置有温度传感器14。所述外壳1与支承腔11之间 是真空隔热层13。所述石英坩埚5顶部设置有盖子52。 本技术所述的一种升降式单晶硅炉，其集加热与冷却于一体，大幅度地提高 生产效率，通过运用气动升降装置转换位置，控制加热生晶或是氩气冷却，结构合理，均热 圆盘发热装置，使石英坩埚内热量均匀，提高正品率。 以上述依据本技术的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人 员完全可以在不偏离本项技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实 用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术 性范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种升降式单晶硅炉，其特征是：包括外壳（1）、加热装置（2）、氩气冷却装置（3）及气动升降装置（4），所述外壳（1）内中部设置有支承腔（11）；所述的加热装置（2）是设置在支承腔（11）内的石墨加热器（21）；所述的石墨加热器（21）上设有石英坩埚（5），石英坩埚（5）上设有均热圆盘发热装置（6）；所述石英坩埚（5）两侧设有通气孔（51）；所述气动升降装置（4）是设置在石英坩埚（5）的底部，包括支承盘（41）、升降杆（42）、固定杆（43）及底座（44）；所述支承盘（41）是与石英坩埚（5）相抵接；所述固定杆（43）内设有容气仓（431），所述升降杆（42）是设置在容气仓（431）内与固定杆（43）内壁密封滑动连接；所述固定杆（43）底部设有通气管（45）及开关阀（451）；所述通气管（45）是与外部气压装置相互连接；所述氩气冷却装置（3）是设置在支承腔（11）上端，包括密封容腔（12）及设置在密封容腔（12）两边的氩气导管（31）及排气管（32）；所述包括密封容腔（12）下端设置有环形密封圈（33）。

【技术特征摘要】
1. 一种升降式单晶硅炉，其特征是：包括外壳（1)、加热装置（2)、氩气冷却装置（3)及 气动升降装置（4)，所述外壳（1)内中部设置有支承腔（11);所述的加热装置（2)是设置在 支承腔（11)内的石墨加热器（21);所述的石墨加热器（21)上设有石英坩埚（5)，石英坩埚 (5)上设有均热圆盘发热装置（6);所述石英坩埚（5)两侧设有通气孔（51); 所述气动升降装置（4)是设置在石英坩埚（5)的底部，包括支承盘（41)、升降杆（42)、 固定杆（43)及底座（44);所述支承盘（41)是与石英坩埚（5)相抵接；所述固定杆（43)内 设有容气仓（431)，所述升降杆（42)是设置在容气仓（431)内与固定杆（43)内壁密封滑动...

【专利技术属性】
技术研发人员：王平，
申请(专利权)人：江苏华盛天龙光电设备股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32