本实用新型专利技术公开一种类钻石薄膜连续型镀膜装置，包括依次设置的呈真空状态的进架室、DLC镀膜室以及出架室，还包括贯穿各室的轨道，轨道上设置用于装夹待镀膜基材的可在轨道上匀速移动的基材架，DLC镀膜室为可同时实现PVD磁控溅射和CVD气相沉积的复合镀膜腔室，其内设置用于镀制DLC膜的第一工作靶。本方案通过将PVD和CVD镀膜方式结合应用于DLC膜镀制，同时设置轨道和基材架，可以大面积连续的对待镀膜基材表面镀制DLC膜，与PECVD单体镀膜设备、激光及离子束沉积设备相比，其性价比突出并且生产成本低廉，量产能力远远高于PECVD等设备的量产能力，提高了生产效率，降低了生产成本。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及镀膜
，尤其涉及一种镀制类金刚钻石膜的连续型镀膜装置。
技术介绍
1971年德国的Aisenberg和Chabot采用碳离子束首次制备出了具有金刚石特征的非晶态碳膜，由于所制备的薄膜具有与金刚石相似的性能，Aisenberg于1973年首次把它称之为类金刚钻石膜（DLC膜）。类金刚钻石膜有着和金刚石几乎一样的性质，如高硬度、耐磨损、高表面光洁度、高电阻率、优良的场发射性能，高透光率及化学惰性等，它的产品广泛应用在机械、电子、微电子机械系统（MEMS）、光学和生物医学等各个领域。类金刚钻石膜的沉积温度低、表面平滑，具有比金刚石膜更高的性价比且在相当广泛的领域内可以代替金刚钻石膜，所以自80年代以来一直是研究的热点。类金刚钻石膜（DLC膜）的低摩擦系数和高耐磨性使类金刚钻石膜已在切削工具、磁存储、人工关节等领域得到广泛的应用。现阶段，类金刚钻石量产设备也主要应用于刀具表面超硬膜，延长刀具寿命，硬盘磁碟，磁头保护膜。设备主要为单体式镀膜机，设备价格昂贵，且现有设备工艺无法大批量经济生产，应用于无色透明的光学类金刚钻石保护膜。无色透明的类金刚钻石膜可以在保证光学组件的光学性能的同时,明显地改善其耐磨性和抗蚀性,现在已被应用于光学透镜的保护膜,光盘保护膜、手表表面的保护膜、眼镜片(玻璃、树脂)保护膜以及汽车挡风玻璃保护膜等。另一光学性质是其红外增透保护特性,即它不仅具有红外增透作用,又有保护基底材料的功能，可作为红外区的增透和保护膜。但由于不能实现低成本大规模量产，推广一直受限制。目前，由于工艺技术及设备的影响，不能实现低成本，大规模生产，仅限于小批量生产，及实验室阶段。例如，中国专利文献CN100337881C公开一种“包覆有DLC薄膜的塑料容器及其制造设备和制作方法”，其中，制造设备包括一个源气体供给装置，其具有一个容器侧电极，该容器侧电极形成了一个用于收容带有颈部的塑料容器的减压腔室的一部分，和一个对应于所述容器侧电极的相对电极，该相对电极被设置在所述塑料容器的内部或者开口上方，所述容器侧电极与相对电极经由一个绝缘体相互面对，该绝缘体也形成了所述减压腔室的一部分，一条源气体进入导管，一个排气装置，以及一个高频供给装置，所述容器侧电极被制成使得当所述容器被收容起来时，环绕在容器颈部周围的内壁的平均孔内径小于环绕在容器本体部分周围的内壁的平均孔内径，并且在所述颈部处于一个相对于容器竖直方向的水平横剖面中容器外壁与容器侧电极内壁之间的平均距离被制成大于在所述本体部分处于一个相对于容器竖直方向的水平横剖面中容器外壁与容器侧电极内壁之间的平均距离。此制造设备在对产品镀制DLC膜时，只能单件镀制，不能实现大批量生产，生产效率低，制造成本高。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种类钻石薄膜连续型镀膜装置，以解决上述技术问题。为达此目的，本技术采用以下技术方案：一种类钻石薄膜连续型镀膜装置，包括依次设置的呈真空状态的进架室、DLC镀膜室以及出架室，还包括贯穿所述进架室、所述DLC镀膜室以及出架室的轨道，所述轨道上设置用于装夹待镀膜基材的可在所述轨道上匀速移动的基材架，所述DLC镀膜室为可同时实现PVD磁控溅射和CVD气相沉积的复合镀膜腔室，所述DLC镀膜室内设置用于镀制DLC膜的第一工作靶。本方案的镀膜装置主要用于光学器件、平板显示器、保护玻璃及触摸屏产品等表面的镀膜，通过将其DLC镀膜室设置为可同时实现PVD磁控溅射和CVD气相沉积的复合镀膜腔室，并配合恒速运动的基材架，可以实现连续大面积的镀膜生产。作为类钻石薄膜连续型镀膜装置的一种优选方案，所述进架室与所述DLC镀膜室之间设置工艺室，所述工艺室为磁控溅射工艺室，所述工艺室内设置有对所述待镀膜基材表面镀制过渡层的第二工作靶。优选的，所述第二工作靶为硅靶。进一步的，所述过渡层为Si层或SiOx层。通过在待镀膜基材表面镀制Si或者SiOx过渡层，可以改善DLC膜的附着性能。进一步的，在所述工艺室内设置离子源，用于对待镀膜基材的表面进行清洗。作为类钻石薄膜连续型镀膜装置的一种优选方案，所述工艺室与所述DLC镀膜室之间设置气氛隔离室，所述气氛隔离室为可对所述工艺室和所述DLC镀膜室之间的气氛进行隔离的狭缝及分子泵软隔离腔室。作为类钻石薄膜连续型镀膜装置的一种优选方案，所述第一工作靶为硅靶或石墨靶。作为类钻石薄膜连续型镀膜装置的一种优选方案，所述DLC镀膜室包括第一腔体，所述第一腔体内设置有镀膜用工作气体，所述第一工作靶通过绝缘体固定在所述第一腔体内并位于所述待镀膜基材的一侧。进一步的，所述待镀膜基材上连接有偏置电压，所述绝缘体一端与所述第一工作靶连接，另一端穿过所述第一腔体并延伸至所述DLC镀膜室外，所述第一腔体的内壁上设置罩盖所述第一工作靶和所述绝缘体的第一阳极罩，所述第一阳极罩上对应所述第一工作靶开设有靶孔，所述绝缘体内并位于所述第一工作靶的一侧设置磁铁，所述磁铁远离所述第一工作靶的一侧设置第一阴极，所述第一阴极电连接有电极。通过将第一工作靶选用硅靶，以在DLC镀膜室内采用高纯硅靶磁控溅射+CVD工艺对待镀膜基材表面镀制硅掺杂含氢类金刚钻石膜（DLC膜）。通过将第一工作靶选用石墨靶，以在DLC镀膜室内采用高纯石墨靶磁控溅射+CVD工艺对待镀膜基材表面镀制含氢类金刚钻石膜（DLC膜）。作为类钻石薄膜连续型镀膜装置的一种优选方案，所述第一腔体外设置冷却水管，所述冷却水管的出水端延伸至所述绝缘体内并位于所述第一工作靶的一侧，用于对所述第一工作靶进行冷却。进一步的，所述第一腔体上设置用于抽取真空的真空孔和用于通入所述工作气体的工作气体孔。进一步的，所述第一腔体上设置观察窗。作为类钻石薄膜连续型镀膜装置的一种优选方案，所述进架室与所述工艺室之间设置第一真空过渡室，和/或，所述出架室与所述DLC镀膜室之间设置第二真空过渡室。作为类钻石薄膜连续型镀膜装置的一种优选方案，所述进架室、所述第一真空过渡室、所述工艺室、所述气氛隔离室、所述DLC镀膜室、所述第二真空过渡室以及所述出架室均与真空抽空系统连接，所述真空抽空系统包括第一真空抽空系统和第二真空抽空系统，所述进架室和所述出架室与所述第二真空抽空系统连接，所述第一真空过渡室、所述工艺室、所述气氛隔离室、所述DLC镀膜室以及所述第二真空过渡室与所述第一真空本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种类钻石薄膜连续型镀膜装置，其特征在于，包括依次设置的呈真空状态的进架室、DLC镀膜室以及出架室，还包括贯穿所述进架室、所述DLC镀膜室以及出架室的轨道，所述轨道上设置用于装夹待镀膜基材的可在所述轨道上匀速移动的基材架，所述DLC镀膜室为可同时实现PVD磁控溅射和CVD气相沉积的复合镀膜腔室，所述DLC镀膜室内设置用于镀制DLC膜的第一工作靶。
【技术特征摘要】
1.一种类钻石薄膜连续型镀膜装置，其特征在于，包括依次设置的呈真空状态的进架室、DLC镀膜室以及出架室，还包括贯穿所述进架室、所述DLC镀膜室以及出架室的轨道，所述轨道上设置用于装夹待镀膜基材的可在所述轨道上匀速移动的基材架，所述DLC镀膜室为可同时实现PVD磁控溅射和CVD气相沉积的复合镀膜腔室，所述DLC镀膜室内设置用于镀制DLC膜的第一工作靶。
2.根据权利要求1所述的类钻石薄膜连续型镀膜装置，其特征在于，所述进架室与所述DLC镀膜室之间设置工艺室，所述工艺室为磁控溅射工艺室，所述工艺室内设置有对所述待镀膜基材表面镀制过渡层的第二工作靶。
3.根据权利要求2所述的类钻石薄膜连续型镀膜装置，其特征在于，所述工艺室与所述DLC镀膜室之间设置气氛隔离室，所述气氛隔离室为可对所述工艺室和所述DLC镀膜室之间的气氛进行隔离的狭缝及分子泵软隔离腔室。
4.根据权利要求3所述的类钻石薄膜连续型镀膜装置，其特征在于，所述第一工作靶为硅靶或石墨靶。
5.根据权利要求4所述的类钻石薄膜连续型镀膜装置，其特征在于，所述DLC镀膜室包括第一腔体，所述第一腔体内设置有镀膜用工作气体，所述第一工作靶通过绝缘体固定在所述第一腔体内并位于所述待镀膜基材的一侧。
6.根据权利要求5所述的类钻石薄膜连续型镀膜装置，其特征在于，所述第一腔体外设置冷却水管，所述冷却水管的...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋绍洪，
申请(专利权)人：蒋绍洪，
类型：新型
国别省市：湖南;43
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