负性电容电路、谐振电路及振荡电路制造技术

本发明专利技术提供一种负性电容电路、谐振电路以及振荡电路。谐振电路包括：第一振子；第二振子，与所述第一振子串联连接；倒相放大器及电容元件，与所述第一振子并联，而倒相放大器及电容元件为相互串联连接；以及负性电容电路，设置在所述第一振子和所述第二振子之间的节点与地面之间。

【技术实现步骤摘要】
本申请案主张并享有2013年3月12日在日本专利局申请的日本专利申请案第2013-049254号与第2013-049253号的优先权，以及2014年2月17日在日本专利局申请的日本专利申请案第2014-027158号与第2014-027159号的优先权，且通过引用将这些申请案的全文结合到本文中。
本专利技术涉及一种负性电容电路、谐振电路及振荡电路。
技术介绍
以往，已知有一种反谐振电路，该反谐振电路通过使用谐振频率不同的多个晶体振子(crystal resonator)，而可在比利用单一的晶体振子能够调整的频率范围大的频率范围内调整振荡频率(例如，参照日本专利特开2007-295256号公报(以下称为专利文献1))。图17表示以往的反谐振电路400的构成例。在图17中，反谐振电路400连接于交流信号源430的输出电阻440与负载电阻450。反谐振电路400包括晶体振子411及晶体振子421，所述晶体振子411及晶体振子421连接于输出电阻440与负载电阻450之间的不同路径。在连接着晶体振子411的第一路径上串联设置着衰减器412、电感器(inductor)413及电容器(capacitor)414。晶体振子411连接于电感器413与电容器414的连接点及地面(ground)。同样地，在连接着晶体振子421的第二路径上串联设置着衰减器422、电感器423及电容器424。晶体振子421连接于电感器423与电容器424的连接点及地面。晶体振子411及晶体振子421分别具有不同的谐振频率，经由电容器414及电容器424而相互连接。由此，反谐振电路400是：在晶体振子411的谐振频率与晶体振子421的谐振频率之间的频率下进行谐振。通过使衰减器412及衰减器422的衰减率变化，而使反谐振电路400的反谐振频率产生变化。另外，晶体振子、微机电系统(Micro-Electro-Mechanical Systems，MEMS)振子等具有高Q的谐振器的谐振频率，是以fL=(1/2π)√{(C1+CL)/L1C1CL本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种谐振电路，其特征在于包括：第一振子；第二振子，与所述第一振子串联连接；倒相放大器及电容元件，与所述第一振子并联连接，且所述倒相放大器及所述电容元件为相互串联连接；以及负性电容电路，连接在：所述第一振子与所述第二振子之间的节点、与地面之间。

【技术特征摘要】
2013.03.12 JP 2013-049253;2013.03.12 JP 2013-049251.一种谐振电路，其特征在于包括：
第一振子；
第二振子，与所述第一振子串联连接；
倒相放大器及电容元件，与所述第一振子并联连接，且所述倒相放
大器及所述电容元件为相互串联连接；以及
负性电容电路，连接在：所述第一振子与所述第二振子之间的节点、
与地面之间。
2.根据权利要求1所述的谐振电路，其特征在于：
所述电容元件的电容与所述第一振子的等效并联电容相等。
3.根据权利要求1所述的谐振电路，其特征在于：
所述负性电容电路能够使电容值变化。
4.根据权利要求1所述的谐振电路，其特征在于还包括：
第一可变电阻，与所述第一振子并联连接；以及
第二可变电阻，与所述第二振子并联连接。
5.根据权利要求1所述的谐振电路，其特征在于还包括：
可变电容元件，
所述可变电容元件连接在所述第一振子与所述第二振子之间。
6.一种振荡电路，其特征在于包括：
权利要求1所述的谐振电路；以及
反馈部，将所述第二振子输出的信号反馈给所述第一振子。
7.根据权利要求1所述的谐振电路，其特征在于：
所述负性电容电路包括：
发射极跟随器电路；
基极接地电路，连接于具有电容成分的负载；
第一电容器，连接在：所述发射极跟随器电路的输出端子、与
所述基极接地电路的输入端子之间；以及
衰减器，连接在：所述基极接地电路的输出端子、与所述发射
极跟随器电路的输入端子之间。
8.根据权利要求7所述的谐振电路，其特征在于：
所述负...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井武仁，
申请(专利权)人：日本电波工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP