一种电容、电路板以及电路板的制造方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种电容、电路板以及电路板的制造方法，其中电容包括：具有孔的第一导体件、第二导体件、绝缘体件；第二导体件位于所述孔的外侧，绝缘体件位于第一导体件和第二导体件之间，第一导体件与第二导体件的切面平行。电子元件的引脚可以穿过或连接第一导体件的孔，这样本发明专利技术实施例提供的电容与电子元件的电源引脚的距离更小，从而提高去耦效果；另外，由于本发明专利技术实施例的电容可以嵌入电路板中，节省了电路板的空间；再次由于本发明专利技术实施例的电容不再是需要自动化装连得独立电容规避了工艺的缺陷，从而提高电路板的成品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子
，特别涉及。
技术介绍
随着集成电路芯片集成度的增加，芯片对电源供电的要求也越来越高。例如要求提供的电源具有大电流、低纹波、低噪声等特点。因此，在电路板的板级设计中为了降低电源的原发噪声和耦合噪声，就需要大量、低等效电感(Equivalent Series Inductance,ESL)和低等效电阻(Equivalent SeriesResistance，ESR)的低容量去耦电容，并且放置在距离电子元件(例如芯片)电源引脚最近的位置，以降低电容器件引脚电感和印制电路板(PrintedCircuit Board,PCB)走线等效电感的影响。现在一般的做法是将独立的去耦电容焊接在电子元件引脚的附近。 专利技术人在实现本专利技术的过程中发现独立的去耦电容存在引脚，使得电容与电子元件引脚的距离较大，去耦效果差；另外大量的独立电容位于电路板的导电层占据电路板的空间；再次现有的小尺寸独立电容自动化装连工艺存在缺陷致使电路板成品率低。
技术实现思路
本专利技术实施例要解决的技术问题是提供一种去耦效果好，尺寸小的电容、使用这种电容的电路板以及电路板的制造方法。 为解决上述技术问题，本专利技术所提供电容实施例可以通过以下技术方案实现 具有孔的第一导体件、第二导体件、绝缘体件； 第二导体件位于所述孔的外侧，绝缘体件位于第一导体件和第二导体件之间，第一导体件与第二导体件的切面平行。 —种电路板，包括本专利技术实施例提供的电容，其中第一导体件为电路板的过孔，且与电路板的电源层连接；所述第二导体件与电路板的接地层连接；或者， 第一导体件与电路板的接地层连接，而第二导体件与电路板的电源层连接。 —种电路板的制造方法，在电路板中的过孔制造好之后，使用高介电系数介质填充所述过孔，然后在所述高介电系数介质上钻孔并将新钻的孔金属化；所述过孔的金属部分和新钻孔的金属部分分别连接电路板的电源层和接地层。 上述技术方案具有如下有益效果电子元件的引脚可以穿过或连接第一导体件的孔，这样本专利技术实施例提供的电容与电子元件的电源引脚的距离更小，从而提高去耦效果；另外，由于本专利技术实施例的电容可以嵌入电路板中，节省了电路板的空间；再次由于本专利技术实施例的电容不再是需要自动化装连得独立电容规避了工艺的缺陷，从而提高电路板的成品率。附图说明 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可 以根据这些附图获得其他的附图。图1A为本专利技术实施例一电容切面示意图； 图IB为本专利技术实施例一电容截面示意图； 图2为本专利技术实施例二过孔结构示意图； 图3为本专利技术实施例二过孔电容结构示意图。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本专利技术保护的范围。 实施例一，如图1A所示，本专利技术实施例提供了一种电容，包括 具有孔101A的第一导体件101、第二导体件102、绝缘体件103 ; 第二导体件102位于所述孔101A的外侧，绝缘体件103位于第一导体件101和第二导体件102之间，第一导体件101与第二导体件102的切面平行；这样第一导体件101与第二导体件102构成了电容的两极。 具体的，所述具有孔101A的第一导体件101为管状的第一导体件。第一管状作 为具有孔的器件的一个具体的实例，不应理解为对本专利技术实施例的限定。 具体的，所述第二导体件102为管状，第一导体件101与第二导体件102嵌套构成 两个同心管。由于第一导体件101与第二导体件102嵌套构成两个同心管使第一导体件 101与第二导体件102的切面平行，第二导体件102还可以是与第一导体件101平行的片状 导体，第二导体件102为管状作为一个具体的举例不应理解为对本专利技术实施例的限定。 具体的，如图1B所示，所述绝缘体件103为管状，第一导体件101、绝缘体件103以 及第二导体件102嵌套构成三个同心管。绝缘体件103也为管状，相比于其它位于两个管 状件之间的形状能够让电容制作更加简洁。 具体的，所述绝缘体件103，与第一导体件101以及第二导体件102贴合。更具体 的，绝缘体件103采用高介电系数材料制成。 电容容量的高低受极板之间电介质的介电系数和极板之间的距离(第一导体件 101与第二导体件102的距离)的影响。以理想平板电容为例，理想平行板电容的计算公式 为 C = c" 械Z) 其中￡为电介质的介电系数，k为静电力常数，Ji为圆周率，S为平行板的面积， D为平行板之间的距离。从上述公式可以看出，平板电容的容量与介电系数是成正比的。以 上采用紧密的贴合的方式以及采用高介电系数材料都能够增加电容的容量，进一步提高去 耦效果。高介电系数的电介质可以通过在改性环氧树脂中添加不同的物质来获得，如添加 陶瓷粉等。 以上的实施方式中，电子元件的引脚可以穿过或连接第一导体件的孔，这样本专利技术实施例提供的电容与电子元件的电源引脚的距离更小，从而提高去耦效果。 本专利技术实施例还提供了一种电路板，包括实施例一中的电容，其中第一导体件101为电路板的过孔(Via)，且与电路板的电源层连接；所述第二导体件102与电路板的接地层连接；或者，第一导体件101与电路板的接地层连接，而第二导体件102与电路板的电源层连接。 具体地，所述第一导体件101的材料为铜箔。可以理解的是，导体材料可以有很多种，铜箔作为电路板的常用导体材料不应理解为对本专利技术实施例的限定。 具体地，所述过孔可以为埋孔(Buried Via)、盲孔(Blind Via)、通孔(ThroughVia)中的任意一种。后续实施例将对此作详细说明。 可选的，所述电路板可以为印制电路板。可以理解的印制电路板作为常见的电路 板不应理解为对本专利技术实施例的限定。 以上的实施方式中，电子元件的引脚可以穿过或连接第一导体件的孔，这样本专利技术实施例提供的电容与电子元件的电源引脚的距离更小，从而提高去耦效果。 实施例二，本实施例将就本专利技术实施例提供的电容在多层的PCB上的应用作详细说明，在本实施例中的PCB以12层(LI L12)的PCB为例进行说明，PCB的层数不应理解为对本专利技术实施例的限定，另外本实施例中的电容可以被称为过孔电容。 首先介绍过孔(Via)，如图2所示，需要说明的是图2以及图3为示意图，其比例和具体连接方式不应理解为对本专利技术实施例的限定。过孔包括埋孔201 (Buried Via)、盲孔202(Blind Via)、通孔203 (Through Via);盲孔202位于PCB的顶层或底层的表面，具有一定深度，但不贯穿PCB，用于表层线路或底层线路与内层线路的连接，孔的深度通常不超过一定的比率。埋孔201是指位于PCB内层的连接孔，它不会延伸到PCB的表面。上述两类孔都位于PCB的内层，层压前利用通孔203成型工艺完成，在过孔形成过程中可能还会重叠做好几个内层。通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容，其特征在于，包括：具有孔的第一导体件、第二导体件、绝缘体件；第二导体件位于所述孔的外侧，绝缘体件位于第一导体件和第二导体件之间，第一导体件与第二导体件的切面平行。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：于万瑞，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]