像素结构及液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种像素结构及液晶显示装置，该像素结构包括数据线、扫描线、薄膜晶体管以及像素电极；该像素电极包括主像素电极以及次像素电极，主像素电极的主电极结构的宽度不同于次像素电极的次电极结构的宽度。本发明专利技术还提供一种液晶显示装置，本发明专利技术的像素结构及液晶显示装置通过设置不同宽度的主电极结构以及次电极结构，提升了像素结构的开口率，降低了液晶显示装置的制作成本。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种像素结构及液晶显示装置，该像素结构包括数据线、扫描线、薄膜晶体管以及像素电极；该像素电极包括主像素电极以及次像素电极，主像素电极的主电极结构的宽度不同于次像素电极的次电极结构的宽度。本专利技术还提供一种液晶显示装置，本专利技术的像素结构及液晶显示装置通过设置不同宽度的主电极结构以及次电极结构，提升了像素结构的开口率，降低了液晶显示装置的制作成本。【专利说明】像素结构及液晶显示装置
本专利技术涉及液晶
，特别是涉及一种像素结构及液晶显示装置。
技术介绍
随着液晶显示技术的发展，越来越多的用户开始使用液晶显示装置进行社交娱乐活动。为了实现较好的显示效果以及显示视角，液晶显示装置中的每个像素均会包括主像素和次像素，主像素和次像素显示同一画面时的明暗程度不同，从而实现像素的多畴显示，解决了液晶显示装置存在的大视角下的颜色偏差问题。请参照图1和图2，图1为现有的像素结构的结构示意图，图2为沿图1的A-A’截面线的截面图。为了说明需要，改变了部分元件之间的大小比例关系以及位置关系。该像素结构10包括主像素电极11，次像素电极12、数据线13、主扫描线14、次扫描线15、主薄膜晶体管16、次薄膜晶体管17以及分压电容18。主像素电极11和次像素电极12均设置有四个方向的狭缝(即主像素电极具有狭缝结构)。该像素结构10均设置在液晶显示装置的阵列基板I上，同时液晶显示装置还包括彩膜基板2。该像素结构具体工作时，首先主扫描线14输入高电平信号将主薄膜晶体管16打开，数据线13的信号同时输入到主像素电极11以及次像素电极12，这时主像素电极11对应的主液晶电容和次像素电极12对应的次液晶电容充电到相同水平。随后主扫描线14输入低电平信号，主薄膜晶体管16关闭，次扫描线15输入高电平信号，次薄膜晶体管17打开，这时次像素电极12上的一部分电荷通过次薄膜晶体管17转移到了分压电容18上，从而使得次像素电极12对应的次液晶电容两端的电压低于主液晶电容两端的电压。由于主像素中的液晶分子(图中未示出)在主液晶电容两端电压的驱动下进行偏转，同时主像素电极11设置有四个方向的狭缝，因此主像素具有四畴显示效果。此外次像素中液晶分子在次液晶电容两端电压的驱动下进行偏转，次像素电极12也设置有四个方向的狭缝，次像素也具有四畴显示效果，且该四畴显示效果不同于主像素电极11的四畴显示效果(次液晶电容两端的电压不同于主液晶电容两端的电压)，因此该像素结构10实现了液晶显示装置的八畴显示效果。但是上述的像素结构10相对现有的像素结构，需要设置次薄膜晶体管17、次扫描线15以及分压电容18来降低次液晶电容两端的电压，因此这种像素结构10往往开口率较低，需要加大背光模块的出光功率来弥补开口率的不足，这样导致该液晶显示装置的制作成本较高。故，有必要提供一种像素结构及液晶显示装置，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种像素结构及液晶显示装置，以解决现有的像素结构以及液晶显示装置的开口率较低或制作成本较高的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下:本专利技术实施例提供一种像素结构，其包括:数据线，用于传输数据信号；扫描线,用于传输扫描信号；薄膜晶体管，用于根据所述扫描信号，发送所述数据信号；以及像素电极，用于接收数据信号，并根据所述数据信号驱动相应的像素进行显示；其中所述像素电极包括:主像素电极，包括主电极结构以及所述主电极结构之间的主结构狭缝；以及次像素电极，包括次电极结构以及所述次电极结构之间的次结构狭缝；其中所述主电极结构的宽度不同于所述次电极结构的宽度。在本专利技术所述的像素结构中，所述主电极结构的宽度大于所述次电极结构的宽度；所述主结构狭缝的宽度小于所述次结构狭缝的宽度。 在本专利技术所述的像素结构中，所述主电极结构的宽度小于所述次电极结构的宽度；所述主结构狭缝的宽度大于所述次结构狭缝的宽度。在本专利技术所述的像素结构中，所述主像素电极包括四个主驱动区域，所述主电极结构由所述主像素电极的中心向所述主像素电极的四周延伸，所述主电极结构在不同的所述主驱动区域内的延伸方向不同。在本专利技术所述的像素结构中，所述次像素电极包括四个次驱动区域，所述次电极结构由所述次像素电极的中心向所述次像素电极的四周延伸，所述次电极结构在不同的所述次驱动区域内的延伸方向不同。本专利技术实施例还提供一种液晶显示装置，其包括:彩膜基板；阵列基板；以及液晶层，设置在所述彩膜基板和所述阵列基板之间；其中所述阵列基板上具有多个像素结构，所述像素结构包括:数据线，用于传输数据信号；扫描线，用于传输扫描信号；薄膜晶体管，用于根据所述扫描信号，发送所述数据信号；以及像素电极，用于接收数据信号，并根据所述数据信号驱动相应的像素进行显示；其中所述像素电极包括:主像素电极，包括主电极结构以及所述主电极结构之间的主结构狭缝；以及次像素电极，包括次电极结构以及所述次电极结构之间的次结构狭缝；其中所述主电极结构的宽度不同于所述次电极结构的宽度。在本专利技术所述的液晶显示装置中，所述主电极结构的宽度大于所述次电极结构的宽度；所述主结构狭缝的宽度小于所述次结构狭缝的宽度。在本专利技术所述的液晶显示装置中，所述主电极结构的宽度小于所述次电极结构的宽度；所述主结构狭缝的宽度大于所述次结构狭缝的宽度。在本专利技术所述的液晶显示装置中，所述主像素电极包括四个主驱动区域，所述主电极结构由所述主像素电极的中心向所述主像素电极的四周延伸，所述主电极结构在不同的所述主驱动区域内的延伸方向不同。在本专利技术所述的液晶显示装置中，所述次像素电极包括四个次驱动区域，所述次电极结构由所述次像素电极的中心向所述次像素电极的四周延伸，所述次电极结构在不同的所述次驱动区域内的延伸方向不同。相较于现有的像素结构及液晶显示装置，本专利技术的像素结构及液晶显示装置通过设置不同宽度的主电极结构以及次电极结构，使得像素结构中不设置次薄膜晶体管、次扫描线以及分压电容也可较好的实现多畴显示，提升了像素结构的开口率，降低了液晶显示装置的制作成本；解决了现有的像素结构及液晶显示装置的开口率较低或制作成本较高的技术问题。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下:【专利附图】【附图说明】图1为现有的像素结构的结构示意图；图2为沿图1的A-A’截面线的截面图；图3为本专利技术的像素结构的第一优选实施例的结构示意图；图4为沿图3的B-B’截面线的截面图；图5为本专利技术的像素结构的第二优选实施例的结构示意图；图6为沿图5的C-C’截面线的截面图。【具体实施方式】以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。请参照图3和图4，图3为本专利技术的像素结构的第一优选实施例的结构示意图，图4为沿图3的B-B’截面线的截面图。本优选实施例的像素结构设置在相应的液晶显示装置中，该液晶显示装置包括彩膜基板4、阵列基板3以及设置在彩膜基板4和阵列基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，包括：数据线，用于传输数据信号；扫描线，用于传输扫描信号；薄膜晶体管，用于根据所述扫描信号，发送所述数据信号；以及像素电极，用于接收数据信号，并根据所述数据信号驱动相应的像素进行显示；其中所述像素电极包括：主像素电极，包括主电极结构以及所述主电极结构之间的主结构狭缝；以及次像素电极，包括次电极结构以及所述次电极结构之间的次结构狭缝；其中所述主电极结构的宽度不同于所述次电极结构的宽度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：付延峰，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44