一种狭缝电极、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种狭缝电极、阵列基板及显示装置，用以提供一种新型的狭缝电极，以解决现有狭缝电极的工艺能力较低的问题。本实用新型专利技术提供的狭缝电极包括：至少一个狭缝电极单元，所述狭缝电极单元包括多个条状电极，相邻两个条状电极之间具有狭缝；其中，每一条状电极具有一设定平均宽度，所述狭缝电极单元中的至少两个条状电极的平均宽度不相等。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种狭缝电极、阵列基板及显示装置，用以提供一种新型的狭缝电极，以解决现有狭缝电极的工艺能力较低的问题。本技术提供的狭缝电极包括：至少一个狭缝电极单元，所述狭缝电极单元包括多个条状电极，相邻两个条状电极之间具有狭缝；其中，每一条状电极具有一设定平均宽度，所述狭缝电极单元中的至少两个条状电极的平均宽度不相等。【专利说明】一种狭缝电极、阵列基板及显示装置
本技术涉及显示
，尤其涉及一种狭缝电极、阵列基板及显示装置。
技术介绍
目前，薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-1XD)的显示模式主要有扭曲向列(Twisted Nematic, TN)模式、垂直取向(VerticalAlignment, VA)模式、平面方向转换(In-Plane-Switching, IPS)模式和高级超维场转换(ADvanced Super Dimens1n Switch, ADS)模式或其改进技术等。无论哪一种模式的薄膜晶体管液晶显示器，显示原理为像素电极和公共电极之间形成电场，电场驱动液晶分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种狭缝电极，其特征在于，包括：至少一个狭缝电极单元，所述狭缝电极单元包括多个条状电极，相邻两个条状电极之间具有狭缝；其中，每一条状电极具有一设定平均宽度，所述狭缝电极单元中的至少两个条状电极的平均宽度不相等。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王强涛，崔贤植，方正，田允允，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11