可提高发光效率的外延PGaN层生长结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种新型的外延P型GaN层生长结构，尤其是一种可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，属于半导体外延结构的技术领域。按照本实用新型专利技术提供的技术方案，所述可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，包括衬底及生长于所述衬底上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括生长于衬底上的缓冲层，所述缓冲层上生长有N型化合物半导体材料层，所述N型化合物半导体材料层上生长有有源层；所述有源层上生长有电子溢出阻挡层；所述电子溢出阻挡层上生长P型化合物半导体材料层，所述P型化合物半导体材料层内生长有P型InGaN-GaN超晶格层。本实用新型专利技术结构紧凑，能显著提高发光效率，工艺方便，安全可靠。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
可提高发光效率的外延PGaN层生长结构
本技术涉及一种新型的外延P型GaN层生长结构，尤其是一种可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，属于半导体外延结构的
。
技术介绍
近年来，LED厂商一直致力于增强技术研发实力，以提高产品发光效率和降低制造成本。同时，我国LED产业在政策、资金以及市场需求的推动下飞速发展，无论是产值规模还是产业链建设都取得了较好的成绩。但从现阶段来看，LED照明的普及度仍不高，除去生产成本的问题，LED发光利用率仍是制约其不能广泛普及的瓶颈之一。到目前为止，较少有以改善外延生长结构而提升发光效率的相关报道和专利。目前，最常见的LED外延生长包括在衬底上依次生长半导体发光结构，最基本的半导体发光结构包括缓冲层、N型化合物半导体材料层、有源层和P型化合物半导体材料层。已有专利表明在有源层上生长电子溢出阻挡层有利于提高发光效率，即便如此，LED的发光利用率还不足一半。对LED行业来说，寻求新结构和优化现有外延生长结构以提高发光效率仍是一项持久战。因此，迫切需要改善现有外延结构来提高有源层的电子复合率。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术中存在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，包括衬底（1）及生长于所述衬底（1）上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括生长于衬底（1）上的缓冲层（2），所述缓冲层（2）上生长有N型化合物半导体材料层（3），所述N型化合物半导体材料层（3）上生长有有源层（4）；所述有源层（4）上生长有电子溢出阻挡层（5）；其特征是：所述电子溢出阻挡层（5）上生长P型化合物半导体材料层（6），所述P型化合物半导体材料层（6）内生长有P型InGaN‑GaN超晶格层（7）。

【技术特征摘要】
1.一种可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，包括衬底(I)及生长于所述衬底(I)上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括生长于衬底(I)上的缓冲层(2)，所述缓冲层(2)上生长有N型化合物半导体材料层(3)，所述N型化合物半导体材料层(3)上生长有有源层(4);所述有源层(4)上生长有电子溢出阻挡层(5);其特征是:所述电子溢出阻挡层(5)上生长P型化合物半导体材料层(6)，所述P型化合物半导体材料层(6)内生长有P型InGaN-GaN 超晶格层(7)。2.根据权利要求1所述的可提高发光效率的外...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭文平，钟玉煌，姜红苓，
申请(专利权)人：江苏新广联科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32