均匀电流分布LED制造技术

本发明专利技术涉及一种均匀电流分布LED，它包括位于底层的基底、位于基底上方的CBL层、覆盖于基底与CBL层上的ITO层、以及位于ITO层上的金属电极，CBL层与金属电极在垂直方向上相对应，ITO层上通过注入形成有氧离子区域，氧离子区域位于金属电极周围。由于采用上述技术方案，通过电极周围区域用离子注入的方式注入氧离子，从而提高了电极周围区域的电阻，从而帮助电流向电流扩展层的电阻阻值低的区域扩展，从而使得电流在整个TCL层上得到更好的扩展。同时，增加的氧可以提高电极周围区域的透光度，从而提高了亮度。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种均匀电流分布LED，它包括位于底层的基底、位于基底上方的CBL层、覆盖于基底与CBL层上的ITO层、以及位于ITO层上的金属电极，CBL层与金属电极在垂直方向上相对应，ITO层上通过注入形成有氧离子区域，氧离子区域位于金属电极周围。由于采用上述技术方案，通过电极周围区域用离子注入的方式注入氧离子，从而提高了电极周围区域的电阻，从而帮助电流向电流扩展层的电阻阻值低的区域扩展，从而使得电流在整个TCL层上得到更好的扩展。同时，增加的氧可以提高电极周围区域的透光度，从而提高了亮度。【专利说明】均匀电流分布LED
本专利技术涉及一种均匀电流分布LED。
技术介绍
为了提高LED芯片的出光效率，人们想了许多办法。如，当前市场上出现了许多亮度较高的ITO芯片的LED，GaN基白光LED中如果用ITO替代Ni/Au作为P型电极芯片的亮度要比采用通用电极的芯片高20% — 30%。在众多可作为透明电极(TCL)的材料中，ITOdndium Tin Oxide氧化铟锡)是被最广泛应用的一种，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，通常有两个性能指标:电阻率和透光率，由于ITO可同时具有低电阻率及高光穿透率的特性，符合了导电性及透光性良好的要求。与其它透明的半导体导电薄膜相比，ITO具有良好的化学稳定性和热稳定性。对衬底具有良好的附着性和图形加工特性。ITO为一种N型氧化物半导体，作为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子辐射，紫外线及远红外线。现有技术中的LED芯片，首先是在外延片上沉积一层CBL,然后再沉积一层ITO作发光层。这样做可以减少电极下的电流密度，但不能保证电极外，尤其是远离电极处的电流的均匀性，造成的结果是LED芯片发光的不均匀。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决现有技术中LED芯片发光不均匀的技术问题，提供一种在发光面积内均匀出光的LED芯片。为了达到上述技术目的，本专利技术提供了 一种均匀电流分布LED，它包括位于底层的基底、位于所述的基底上方的CBL层、覆盖于所述的基底与CBL层上的ITO层、以及位于所述的ITO层上的金属电极,所述的CBL层与金属电极在垂直方向上相对应,所述的ITO层上通过注入形成有氧离子区域，所述的氧离子区域位于所述的金属电极周围。优选地，所述的氧离子区域的氧离子浓度从中心向外侧逐渐增高。优选地，所述的基底为P-GaN层。由于采用上述技术方案，通过电极周围区域用离子注入的方式注入氧离子，从而提高了电极周围区域的电阻，从而帮助电流向电流扩展层的电阻阻值低的区域扩展，从而使得电流在整个TCL层上得到更好的扩展。同时，增加的氧可以提高电极周围区域的透光度，从而提闻了売度。【专利附图】【附图说明】附图1为根据本专利技术的均匀电流分布LED的结构示意图； 附图2为根据本专利技术的均匀电流分布LED的生产加工流程示意图。【具体实施方式】下面结合附图对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。附图1为根据本专利技术的均匀电流分布LED的结构示意图，附图2为根据本专利技术的均匀电流分布LED的生产加工流程示意图。如附图1所示，本实施例中的均匀电流分布LED，它包括位于底层的基底、位于基底上方的CBL层、覆盖于基底与CBL层上的ITO层、以及位于ITO层上的金属电极，CBL层与金属电极在垂直方向上相对应，ITO层上通过注入形成有氧离子区域，氧离子区域位于金属电极周围，其中，基底为P-GaN层。参见附图2所示，首先在P-GaN基层上沉积CBL层，之后在有CBL层的外延片上沉积ITO层，然后在预做电极区域包括周围一定范围内的区域暴露，其他区域用光掩模掩蔽起来，用离子注入的方式对暴露区域进行氧离子注入；然后去除掩模、退火，然后制作芯片其他部分即可。这样，通过电极周围区域用离子注入的方式注入氧离子，从而提高了电极周围区域的电阻，从而帮助电流向电流扩展层的电阻阻值低的区域扩展，从而使得电流在整个TCL层上得到更好的扩展。同时，增加的氧离子可以提高电极周围区域的透光度，从而提高了亮度。需要指出的是，作为一种可选择的方案，氧离子区域的氧离子浓度可以从中心向外侧逐渐增高，例如通过多次的曝光、注入制程，形成具有一定浓度梯度的氧离子区域，从而使得ITO层的电阻从中心到外侧逐渐降低，以实现更加均匀的电流分布的效果。以上实施方式只为说明本专利技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本专利技术的内容并加以实施，并不能以此限制本专利技术的保护范围，凡根据本专利技术精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本专利技术的保护范围内。【权利要求】1.一种均匀电流分布LED，它包括位于底层的基底、位于所述的基底上方的CBL层、覆盖于所述的基底与CBL层上的ITO层、以及位于所述的ITO层上的金属电极，所述的CBL层与金属电极在垂直方向上相对应，其特征在于:所述的ITO层上通过注入形成有氧离子区域，所述的氧离子区域位于所述的金属电极周围。2.根据权利要求1所述的均匀电流分布LED，其特征在于:所述的氧离子区域的氧离子浓度从中心向外侧逐渐增高。3.根据权利要求1所述的均匀电流分布LED，其特征在于:所述的基底为P-GaN层。【文档编号】H01L33/42GK103824918SQ201110458272【公开日】2014年5月28日 申请日期:2011年12月31日 优先权日:2011年12月31日 【专利技术者】魏臻 申请人:聚灿光电科技(苏州)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种均匀电流分布LED，它包括位于底层的基底、位于所述的基底上方的CBL层、覆盖于所述的基底与CBL层上的ITO层、以及位于所述的ITO层上的金属电极，所述的CBL层与金属电极在垂直方向上相对应，其特征在于：所述的ITO层上通过注入形成有氧离子区域，所述的氧离子区域位于所述的金属电极周围。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏臻，
申请(专利权)人：聚灿光电科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32