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本实用新型涉及一种新型的外延P型GaN层生长结构，尤其是一种可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，属于半导体外延结构的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，包括衬底及生长于所述衬底上的半导体发...
该专利属于江苏新广联科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏新广联科技股份有限公司授权不得商用。

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