LED外延层结构、生长方法及具有该结构的LED芯片技术

本发明专利技术提供了一种LED外延层结构、生长方法及具有该结构的LED芯片，LED外延层结构，包括依次叠置的多量子阱区和P型AlGaN层，还包括过渡层，过渡层设置于多量子阱区和P型AlGaN层之间，过渡层为AlInGaN层或AlGaN/InGaN超晶格结构。本发明专利技术提供的LED外延层结构中在P型-AlGaN与多量子阱层之间增设AlInGaN或AlGaN/InGaN超晶格结构，能减少量子阱层与P-AlGaN层的晶格失配，降低在P-AlGaN层形成的位错和缺陷，有效阻止其他层中的Al或Mg向多量子阱区域扩散，从而提高LED芯片的发光效率4％。

【技术实现步骤摘要】
LED外延层结构、生长方法及具有该结构的LED芯片
本专利技术涉及LED(发光二极管)发光器件领域，特别地，涉及一种LED外延层结构、生长方法及具有该结构的LED芯片。
技术介绍
宽带隙的GaN半导体材料具有良好的化学稳定性、热稳定性和较高的击穿电压，是继第一代硅材料和第二代砷化镓材料之后的第三代新型半导体材料。其三元合金铟镓氮(InxGa(1-x)N)的带隙从0.7eV到3.4eV连续可调，发光波长覆盖了可见光和近紫外光的区域。被认为是制造高亮度蓝、绿发光二极管和白光发光二极管的理想材料，现已广泛应用于照明、显示屏、背光源、信号灯等领域。在InGaN/GaN基发光LED结构中，如图1所示，包括依次叠置的衬底1′、GaN成核层2′、非掺杂uGaN缓冲层3′、nGaN层4′、第一掺In阱层5’、第二掺In阱层6′、P型AlGaN层7′、P型GaN层8′和掺Mg欧姆接触层9′。该外延层结构的一侧从该外延层结构的顶面蚀刻至nGaN层4′上。该外延层结构中的多量子阱区域包括第一掺In阱层5’、第二掺In阱层6′，能适度的提升LED芯片的发光效率。P-AlGaN层7′通常被插入多量子阱区域和P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED外延层结构，包括多量子阱区和设置于所述多量子阱区顶面上的P型AlGaN层，其特征在于，还包括过渡层，所述过渡层设置于所述多量子阱区和所述P型AlGaN层之间，所述过渡层为AlInGaN层或AlGaN/InGaN超晶格结构。

【技术特征摘要】
1.一种LED外延层结构，包括多量子阱区和设置于所述多量子阱区顶面上的P型AlGaN层，其特征在于，还包括过渡层，所述过渡层设置于所述多量子阱区和所述P型AlGaN层之间，所述过渡层为AlInGaN层；所述AlInGaN层为AlyInxGa(1-x-y)N，其中，x＝0.05～0.15，y＝0.05～0.15，所述AlInGaN层厚度为6～18nm。2.根据权利要求1所述的LED外延层结构，其特征在于，所述P型AlGaN层的厚度为20～30nm。3.根据权利要求1所述的LED外延层结构，其特征在于，所述多量子阱区包括依次叠置的第一多量子阱层和第二多量子阱层，所述第一多量子阱层包括多个依次叠置的第一单元，所述第一单元包括依次叠置的第一GaN层和第一InxGa(1-x)N层，所述第一InxGa(1-x)N层中的x＝0.05～0.08，所述第一GaN层的厚度为30～50nm，所述第一InxGa(1-x)N层的厚度为1～3nm，所述第一单元个数为3～4。4.根据权利要求3所述的LED外延层结构，其特征在于，所述第二多量子阱层包括多个依次叠置的第二单元，所述第二单元包括依次叠置的第二InxGa(1-x)N层和第二GaN层，所述第二InxGa(1-x)N层厚度为1～4nm，所述第二InxGa(1-x)N层中的x＝0.20～0.21，所述第二GaN层厚度为10～14nm，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：农明涛，杨云峰，朱耀强，项博媛，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43