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本发明提供了一种LED外延层结构、生长方法及具有该结构的LED芯片，LED外延层结构，包括依次叠置的多量子阱区和P型AlGaN层，还包括过渡层，过渡层设置于多量子阱区和P型AlGaN层之间，过渡层为AlInGaN层或AlGaN/InGaN超...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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