一种用于光电器件的多量子阱结构制造技术

本发明专利技术提出一种新的用于光电器件的多量子阱结构，其特点不在于对量子阱内的细节优化，而是着重对量子阱的阱层厚度和垒层做了整体的匹配和优化设计，可以做到对整体效率的大幅度提升。该多量子阱结构，包括若干周期的垒层结构和阱层结构，垒层结构整体上为前厚后薄，阱层结构整体上为前薄后厚。与现有技术相比，本发明专利技术并没有增加新的结构层，因此未增加源物料成本，只是通过简单的量子阱的阱层和垒层的厚度设计和匹配即达到了亮度提升的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种用于光电器件的多量子阱结构
本专利技术属于光电器件设计领域，涉及一种用于光电器件的多量子阱结构设计方法。
技术介绍
在目前的光电器件设计中，多量子阱结构的引入使光电器件的内量子效率得到了大幅度的提升而被广泛的应用。多量子阱结构的设计主要是提高复合效率，理论上量子阱越多复合效率也越高，但是由于受限于随着量子阱数量增加量子阱的生长质量会逐渐变差，量子阱数量也必须严格控制。对于量子阱结构的量子阱层厚度设计，量子阱层越薄则对电子空穴的俘获能力下降导致复合效率降低，量子阱越厚对电子空穴的俘获能力增强但是由于极化效应波函数叠加减少而导致复合效率降低。对于量子阱结构的量子垒层厚度设计，垒层的结构越薄则电子空穴隧穿效应增加进而降低了量子阱层对电子空穴的俘获能力，垒层的结构越厚对电子空穴的限制作用增强但会降低电子空穴的迁移率进而导致复合效率降低。为此在光电领域各家公司和科研机构都投入了大量的精力不断进行研究改进，譬如专利文献CN101714602A “用于光电器件的多量子阱结构”中提出，靠近N型半导体层的势垒层厚度大于靠近P型半导体层的势垒层厚度；所述的η为大于2小于20的整数，可以提升内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于光电器件的多量子阱结构，包括若干周期的垒层结构和阱层结构，其特征在于：垒层结构整体上为前厚后薄，阱层结构整体上为前薄后厚。

【技术特征摘要】
1.一种用于光电器件的多量子阱结构，包括若干周期的垒层结构和阱层结构，其特征在于:垒层结构整体上为前厚后薄，阱层结构整体上为前薄后厚。2.根据权利要求1所述的用于光电器件的多量子阱结构，其特征在于:垒层结构的各层厚度的范围为200nm-5nm ;阱层结构的各层厚度的范围为0.lnm_5nm。3.根据权利要求2所述的用于光电器件的多量子阱结构，其特征在于，设总量子阱数量为 Μ, 1〈N〈M〈50 ； 垒层采用以下三种结构中的任意一种: 1)前N个垒层的厚度相同，后M-N个垒层的厚度按照前厚后薄依次排布； 2)...

【专利技术属性】
技术研发人员：李淼，
申请(专利权)人：西安神光皓瑞光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61