有机场致发光元件用材料和使用其的有机场致发光元件制造技术

技术编号:10327450 阅读:120 留言:0更新日期:2014-08-14 13:49
本发明专利技术提供改善元件的发光效率、充分确保驱动稳定性、且具有简略的构成的有机场致发光元件(有机EL元件)。该有机场致发光元件在基板上层叠阳极、有机层和阴极而成,其特征在于,在选自发光层、空穴传输层、电子传输层、电子阻挡层和空穴阻挡层中的至少一个有机层中含有碳硼烷化合物,所述碳硼烷化合物具有至少一个碳硼烷环,其碳上具有甲硅烷基。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机场致发光元件用材料和使用其的有机场致发光元件
本专利技术涉及新型有机场致发光元件用材料和使用其的有机场致发光元件,详细而言,涉及对由有机化合物形成的发光层施加电场而释放光的薄膜型设备。
技术介绍
通常,作为有机场致发光元件(以下,称为有机EL元件)的最简单的结构是由发光层和夹持该层的一对对置电极构成。即,有机EL元件中,利用如下现象:如果在两电极间施加电场,则电子从阴极注入且空穴从阳极注入,它们在发光层进行复合,释放光。近年来,对使用了有机薄膜的有机EL元件进行了开发。特别是为了提高发光效率,而以提高从电极注入载 流子的效率为目的进行电极的种类的最优化,通过对在电极间以薄膜的形式设置由芳香族二胺形成的空穴传输层和由8-羟基喹啉铝配合物(以下,称为Alq3)形成的发光层而成的元件进行开发,从而与以往使用蒽等的单晶的元件相比,发光效率得到大幅度的改善,因此以在对具有自发光.高速响应性之类的特征的高性能平板中实用化为目标而继续发展。另外,作为提高元件的发光效率的尝试,也在研究使用磷光而不使用荧光。以上述的设有由芳香族二胺形成的空穴传输层和由Alq3形成的发光层的元件为代表的大量元件是利用荧光发光的元件,但通过使用磷光发光,即利用来自三重激发态的发光,从而与以往的使用荧光(一重)的元件相比,可期待提高3~4倍左右的效率。为了这个目的,研究了将香豆素衍生物、二苯甲酮衍生物制成发光层,但只得到极低的亮度。另外,作为利用三重态的尝试,研究了使用铕配合物,但这也没能达到高效率的发光。近年来,像专利文献I所列举的那样,以发光的高效率化、长寿命化为目的围绕铱配合物等有机金属配合物进行了大量研究。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特表2003-515897号公报专利文献2:W001/041512A专利文献3:日本特开2005-166574号公报为了得到高发光效率,与上述掺杂剂材料同时使用的主体材料变得重要。作为主体材料提出的代表性例子,可举出专利文献2中介绍的咔唑化合物的4,4’ -双(9-咔唑基)联苯(以下,称为CBP)。使用CBP作为三(2-苯基吡啶)铱配合物(以下,称为Ir(ppy)3)所代表的绿色磷光发光材料的主体材料时,由于CBP容易流过空穴而难以流过电子的特性,所以电荷注入平衡崩溃,过量的空穴流出到电子传输层侧,作为结果,来自Ir(ppy)3的发光效率降低。如上所述,为了在有机EL元件中得到高发光效率,需要具有高的三重态激发能、且两种电荷(空穴?电子)注入传输特性取得平衡的主体材料。并且,期望电化学稳定的、具备高耐热性和优异的非晶稳定性的化合物,寻求更进一步的改进。专利文献3中,作为有机EL元件的电子传输材料,公开了以下所示的碳硼烷化合物。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机场致发光元件用材料,由通式(1)表示的碳硼烷化合物构成,通式(1)中,环CB表示由式(a)、式(b)或式(c)中的任一个表示的‑C2B10H10‑的2价的碳硼烷基,在分子内存在多个环CB时可以相同也可以不同;R表示氢、取代或未取代的碳原子数1~12的脂肪族烃基、取代或未取代的碳原子数6~50的芳香族烃基、取代或未取代的碳原子数3~50的芳香族杂环基,多个R可以相同也可以不同;A表示直接键合、氢、取代或未取代的碳原子数1~12的脂肪族烃基、Si(R)d基、取代或未取代的碳原子数6~50的芳香族烃基、取代或未取代的碳原子数3~50的芳香族杂环基,但除了p+m为1时以外不为氢,除了p+m为2时以外不为直接键合,为氢和直接键合以外的基团时,为p+m价的基团,Si(R)d基的R与上述的R意义相同,d为4-(p+m)的整数;p表示0~3的整数,m表示1~4的整数,n表示0~3的整数,p+m表示1~4的整数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.12 JP 2011-2711731.一种有机场致发光元件用材料,由通式(I)表示的碳硼烷化合物构成, 2.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用材料,由通式(2)表示的碳硼烷化合物构成, 3.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用材料,其中,通式(I)中,m为1,环CB为由式(b)表示的2价的碳硼烷基。4.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员:多田匡志甲斐孝弘浅利彻小川淳也
申请(专利权)人:新日铁住金化学株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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