LaNiO3薄膜形成用组合物及使用该组合物的LaNiO3薄膜的形成方法技术

本发明专利技术提供一种LaNiO3薄膜形成用组合物、及使用该组合物的LaNiO3薄膜形成方法，其课题在于形成一种极少产生空隙的均匀的LaNiO3薄膜。本发明专利技术的LaNiO3薄膜形成用组合物包含：LaNiO3前驱体；第1有机溶剂，选自羧酸、醇、酯、酮类、醚类、环烷类、芳香族系及四氢呋喃中的一种或两种以上；稳定剂，选自β-二酮、β-酮类、β-酮酯类、含氧酸类、二醇、三醇、羧酸、烷醇胺及多元胺中的一种或两种以上；及第2有机溶剂，沸点为150～300℃且具有20～50dyn/cm的表面张力，其中，组合物100质量%中的LaNiO3前驱体的比例以氧化物换算为1～20质量%，稳定剂的比例相对于组合物中的LaNiO3前驱体的总量1摩尔超过0且为10摩尔以下，组合物100质量%中的第2有机溶剂的比例为5～20质量%。

【技术实现步骤摘要】
LaN i O3薄膜形成用组合物及使用该组合物的LaN i O3薄膜的形成方法
本专利技术涉及一种用于通过化学溶液沉积法(Chemical Solution Deposition、CSD法)形成用于薄膜电容器、铁电随机存取存储器(Ferroelectric Random Access Memory,FeRAM)用电容器、压电元件或热释电型红外线检测元件等的电极中的LaNiO3薄膜的组合物、及使用该组合物的LaNiO3薄膜的形成方法。更详细而言，涉及一种极少产生空隙且能够均匀成膜的LaNiO3薄膜形成用组合物、及使用该组合物的LaNiO3薄膜的形成方法。
技术介绍
众所周知，LaNiO3 (LNO)为具有高导电性等的电性优异且在(100)面持有较强的自取向性的物质。而且，LaNiO3 (LNO)薄膜具有准立方晶的钙钛矿型结构，因此与钙钛矿型铁电薄膜的相容性良好且晶格常数的失配小，因此被用作在薄膜电容器等中形成向(100)面优先取向的铁电薄膜时的结晶取向性控制层。并且，LaNiO3 (LNO)薄膜的膜自身的电阻较低，与在电极中使用Pt等金属时相比，铁电膜的极化反转疲劳特性也优异，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LaNiO3薄膜形成用组合物，其为用于形成LaNiO3薄膜的组合物，所述LaNiO3薄膜形成用组合物的特征在于，所述组合物包含：LaNiO3前驱体；第1有机溶剂，选自羧酸、醇、酯、酮类、醚类、环烷类、芳香族系及四氢呋喃中的一种或两种以上；稳定剂，选自β‑二酮、β‑酮类、β‑酮酯类、含氧酸类、二醇、三醇、羧酸、烷醇胺及多元胺中的一种或两种以上；及第2有机溶剂，沸点为150～300℃且具有20～50dyn/cm的表面张力，所述组合物100质量%中的所述LaNiO3前驱体的比例以氧化物换算为1～20质量%，所述稳定剂的比例相对于所述组合物中的LaNiO3前驱体的总量1摩尔超过0且为10摩尔以下，...

【技术特征摘要】
2013.02.13 JP 2013-0256711.一种LaNiO3薄膜形成用组合物,其为用于形成LaNiO3薄膜的组合物,所述LaNiO3薄膜形成用组合物的特征在于， 所述组合物包含=LaNiO3前驱体；第I有机溶剂，选自羧酸、醇、酯、酮类、醚类、环烷类、芳香族系及四氢呋喃中的一种或两种以上；稳定剂，选自二酮、酮类、酮酯类、含氧酸类、二醇、三醇、羧酸、烷醇胺及多元胺中的一种或两种以上；及第2有机溶剂，沸点为150~300°C且具有20~50dyn/cm的表面张力， 所述组合物100质量％中的所述LaNiO3前驱体的比例以氧化物换算为I~20质量％， 所述稳定剂的比例相对于所述组合物中的LaNiO3前驱体的总量I摩尔超过O且为10摩尔以下， 所述组合物100质量％中的所述第2有机溶剂的比例为5~20质量％。2.根据权利要求1所述的LaNiO3薄膜形成用组合物，其中， 所述LaNiO3前驱体为金属羧酸盐、金属硝酸盐、金属醇盐、金属二醇络合物、金属三醇络合物、金属β_ 二酮络合物、金属β_ 二酮酯络合物、金属β -亚氨基酮络合物或金属氨基络合物。3.根据权利要求2所述的LaNiO3薄膜形成用组合物，其中， 所述LaNiO3前驱体中，成为La源的L...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤井顺，樱井英章，曽山信幸，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP