硅基氮化镓外延层剥离转移的方法技术

本发明专利技术是一种硅基氮化镓外延层剥离转移的方法，包括如下步骤：1）盐酸清洗硅基氮化镓外延片和临时载片表面，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干；2）正面旋涂光刻胶，并通过光刻胶将硅基氮化镓外延片粘贴到临时载片上；3）配置腐蚀硅衬底的腐蚀溶液；4）将键合后的圆片置于腐蚀溶液中进行腐蚀；5）在露出来的硅基氮化镓外延层上旋涂BCB；6）自然冷却后，将临时载片上的硅基氮化镓外延层和目标衬底正面相对在温度为250摄氏度的条件下键合；7）去除临时载片。优点：利用本发明专利技术的方法可以将硅基氮化镓外延片上的氮化镓外延层薄膜完整的转移到所需衬底上，工艺简单、成品率高，转移过程中氮化镓外延层不会受到破坏。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术是一种，包括如下步骤：1）盐酸清洗硅基氮化镓外延片和临时载片表面，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干；2）正面旋涂光刻胶，并通过光刻胶将硅基氮化镓外延片粘贴到临时载片上；3）配置腐蚀硅衬底的腐蚀溶液；4）将键合后的圆片置于腐蚀溶液中进行腐蚀；5）在露出来的硅基氮化镓外延层上旋涂BCB；6）自然冷却后，将临时载片上的硅基氮化镓外延层和目标衬底正面相对在温度为250摄氏度的条件下键合；7）去除临时载片。优点：利用本专利技术的方法可以将硅基氮化镓外延片上的氮化镓外延层薄膜完整的转移到所需衬底上，工艺简单、成品率高，转移过程中氮化镓外延层不会受到破坏。【专利说明】
本专利技术涉及的是一种，属于半导体工艺
。
技术介绍
随着半导体技术日趋成熟，为了充分发挥不同半导体材料的性能优势，利用异构集成技术在同一圆片上实现不同材料的三维集成已成为当前研究热点。常规的片上异质集成是采用异质外延生长的方法，然而由于常规半导体材料之间一般存在较大的晶格失配，导致异质外延生长的半导体材料含有很高的位错密度，使得材料特性完全劣化，器件无法使用。尽管采取了各种补救办本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅基氮化镓外延层剥离转移的方法，其特征是该方法包括如下步骤：1）用质量浓度为10%的盐酸清洗硅基氮化镓外延片和临时载片表面，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干；2）在硅基氮化镓外延片的正面旋涂光刻胶，并通过光刻胶将硅基氮化镓外延片粘贴到临时载片上；3）配置腐蚀硅衬底的腐蚀溶液，由硝酸HNO3、氢氟酸HF和去离子水组成，它们的体积比为，硝酸HNO3：氢氟HF：去离子水=1：（1～3）：（5～10）；4）将键合后的圆片置于腐蚀溶液中进行腐蚀，腐蚀时间由硅衬底的厚度决定，直到将硅材料全部腐蚀干净；5）在露出来的硅基氮化镓外延片上,每英寸旋涂5毫升的BCB；厚度2‑4um,转速1000r...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵岩，吴立枢，程伟，石归雄，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32