【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种沟槽型IGBT器件及其制造方法，其特征在于：在有源区半导体基板第一主面的第一导电类型漂移区内，设置交替的第二导电类型体区和第二导电类型缓冲区，第二导电类型体区和第二导电类型缓冲区被沟槽型栅电极隔离并与绝缘介质层接触；第二导电类型体区深度比沟槽型栅电极小，第二导电类型缓冲区深度比沟槽型栅电极大、并包围沟槽型栅电极底部；第二导电类型缓冲区与第二导电类型体区不接触；第二导电类型体区内设置有第一导电类型发射区，第二导电类型体区和第一导电类型发射区均与发射极金属欧姆接触；第二导电类型缓冲区与发射级金属间被绝缘介质层隔离、且与发射极金属无电性连通。本专利技术器件有效提高了器件性能，不增加制造成本。【专利说明】沟槽型IGBT器件及其制造方法
本专利技术涉及一种沟槽型IGBT器件及其制造方法，属于半导体器件的
。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)于二十世纪八十年代被提出和迅速推广，现已广泛应用于中高压大电流领域，并同MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶...
【技术保护点】
一种沟槽型IGBT器件，在所述IGBT器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的有源区（1）和终端保护区（2），有源区（1）位于半导体基板的中心区域，终端保护区（2）环绕包围有源区（1）；在所述IGBT器件的截面上，所述半导体基板具有相对的第一主面和第二主面，第一主面和第二主面之间包括第一导电类型漂移层，在半导体基板的第二主面设置第二导电类型集电区，第二导电类型集电区与集电极金属（10）欧姆接触；在所述终端保护区（2），第一导电类型漂移层中设置第二导电类型主结、第二导电类型分压环和第一导电类型截止区，在第一主面上设置绝缘介质层（18）、栅极引出金属（24）和截止区金属场板（2...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：朱袁正，李宗清，
申请(专利权)人：无锡新洁能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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