一种对RTB系磁体进行Dy扩散的方法、磁体和扩散源技术

本发明专利技术公开了一种对RTB系磁体进行Dy扩散的方法、磁体和扩散源，为包括在处理室内配置RTB系烧结磁体的准备工程、在同一处理室内的Dy扩散源的准备工程，使Dy扩散源蒸发到烧结磁体的Dy扩散工程的方法，其特征在于：所述Dy扩散源为平铺在高熔点金属网中的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片，所述Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片的厚度在0.05～1mm。本发明专利技术通过将充填在高熔点金属网中的厚度在0.05～1mm的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片替代Dy板或Dy合金板使用，以节省Dy材料的使用量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种对磁铁进行Dy扩散的方法、磁体和Dy扩散源，具体涉及一种对RTB系磁体进行Dy扩散的方法、磁体和Dy扩散源。
技术介绍
晶界扩散处理通常是在加工工序(亦即切割工序)之后，表面处理工序之前进行的。所谓晶界扩散法，就是在R-T-B烧结磁体的表面附有Dy、Tb等重稀土元素(RH)块或其合金块、或在同一处理室内以不直接接触的方式放置烧结磁体和Dy、Tb等重稀土元素块或其合金块，并经适宜的热处理后，磁体表面的Dy、Tb会穿过烧结体磁体的晶界进入烧结体内部，使Dy、Tb等重稀土从晶界向主相R2T14B内部进行扩散的方法，其一方面可以使得进入晶界中的Dy、Tb等重稀土元素迅速进入烧结体内部，从晶界向主相R2T14B内部扩散，另一方面是进入主相R2T14B内部的Dy取代了主相R2T14B外壳部的R，但是没有取代中心部的R，从而形成核-壳结构，主相核-壳结构的成分差既保证了重稀土元素取代后磁体各向异性的提高，从而提高矫顽力，也因为这种取代仅是主相的极小一部分，磁体的剩磁基本上不变或降低很小。 在同一处理室内以不直接接触的方式放置烧结磁体和Dy、Tb等重稀土元素块或其合金块，进行RH(主要包括Dy、Tb或Ho)或其化合物扩散的现有报道中，如CN101506919A、CN100470687C、CN102667978A等，都是采用镝或其化合物的块体或者板状体加热蒸发到磁铁表面，再往磁铁内部扩散的工艺。然而，在Dy扩散时，不能直接使用从市场直接购得的Dy材料，这是因为，作为扩散源的Dy材料表面与作为扩散受体的磁体表面需要保持近距离接触，因此，为提高热处理炉的装载率，提高可工业性，需要获得Dy薄板或Dy合金薄板(1mm左右)，而市场上购买的Dy块可用于切割的大体积原材料不多，且由于Dy材料(Dy金属或Dy合金)均为难加工材料，延展性差，特别容易产生裂纹，制成板状材料的合格率低，在处理时极容易发生破裂、损坏，导致不能用于量产，由此，导致晶界扩散的工业化普及难以实现。 且，Dy板需与磁铁的形状一致，因此，Dy扩散时所使用的Dy材料用量远远超过扩散所需的用量，加之Dy材料切割所产生的废料太多，存在利用率过低的问题。 再者，Dy材料切割所获得的板状材料难以跟随磁体形状作出相应的形状改变，因此，拱形磁铁或环形磁铁等非平面磁铁甚至可能出现磁体的一部分Hcj得到显著提高，而另一部分则提高不明显的现象。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种对RTB系磁体进行Dy扩散的方法，以解决现有技术中存在的上述问题。本专利技术通过将充填在高熔点金属网中的厚度在0.05～1mm的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片替代Dy板或Dy合金板使用，以节省Dy材料的使用量。 本专利技术提供的技术方案如下： 一种对RTB系磁体进行Dy扩散的方法，包括在处理室内配置R-T-B系烧结磁体的准备工程，在同一处理室内的Dy扩散源的准备工程，和使Dy扩散源蒸发到所述烧结磁体的Dy扩散工程，其特征在于：所述Dy扩散源为平铺在高熔点金属网中的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片，所述Dy急冷薄片或所述Dy合金急冷薄片的厚度在0.05～1mm。 本专利技术通过分散放置的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片，制得与磁铁形状一致的Dy扩散源，以保证扩散效率和扩散质量，降低Dy材料的使用量，同时增加Dy扩散的蒸发供应面，这里的蒸发供应面为Dy扩散源靠近或接触烧结磁体的表面，如在磁铁和Dy扩散源采用上下堆叠的方式放置时，即为Dy扩散源的上下表面，同时，烧结磁铁的上下表面形成接收面。由于Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片的表面是不光滑的，具有小浮点，提高了Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片的表面积，进而提高了扩散效率。 本专利技术将Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片充填在高熔点金属网中制得Dy扩散源，并将Dy扩散源、磁铁交叉堆叠放置，使Dy扩散源到磁体的扩散距离变得可控，获得磁性能更为均衡的磁体。 进一步地，本专利技术是使用充填在高熔点金属网中的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片，因此，其不仅可以用在形状规则的磁铁上，还可以通过改变高熔点金属网的形状，获得与拱形磁铁或环形磁铁等非平面磁铁形状对应的任意形状的Dy扩散源，从而使Dy扩散源到非平面磁铁的扩散距离也变得可控，使工艺更为稳定、可控，并获得Hcj均衡提高的磁体。 再进一步地，由于所有的Dy材料或Dy合金材料均被制成了Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片，因此，基本没有材料的损耗，Dy材料的利用率高。 需要说明的是，这里的R-T-B系烧结磁体为含有R2Fe14B主相的磁铁，所述的R为选自包含钇元素在内的稀土元素中的至少一种，所述T为包括Fe的至少一种过渡金属元素。 与Dy相同，Tb或Ho也是常见的用于晶界扩散的元素，因此，在将本专利技术所揭示的内容用于Tb或Ho的晶界扩散时，也应落入本专利技术技术方案的保护范围内。 另外，出于成本控制和工业可操作性的考虑，本专利技术选择使用的是Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片的厚度在0.05～1mm，但是若是其他从业者出于规避专利内容的考虑，选择让部分Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片的厚度略大于上述尺寸或略小于上述尺寸的Dy急冷薄片和Dy合金急冷薄片，也应当落入本专利技术的保护范围之内。 本专利技术不限制向高熔点金属网中填充Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片的方式，其既可以采用先预制上开口的高熔点金属盒，而后向其中放入Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片，再覆盖高熔点金属上盖，也可以采用先预制侧开口的高熔点金属袋，而后向其中放入Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片，再封闭开口的方式。 在推荐的实施方式中，所述Dy合金急冷薄片为Dy金属和其他低熔点金属所制成的合金薄片，如Dy－Fe－Ga合金、Dy－Cu－Ga合金等。 在推荐的实施方式中，在将所述Dy急冷薄片或所述Dy合金急冷薄片破碎成粒径在1cm以下的小片之后，再将其间隔相同的间隙离散排列在所述高熔点金属网中，其可提供基本分布均匀的蒸发供应面，减少Dy材料的使用，并使用最少的Dy材料达到同样的扩散效果。当然，所述小片的粒径是大于所述高熔点金属网的网孔孔径的。 在推荐的实施方式中，出于成本控制和工业可操作性的考虑，所述高熔点金属网的厚度为0.5mm～2mm。 在推荐的实施方式中，所述Dy扩散源为离散排列在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对RTB系磁体进行Dy扩散的方法，包括在处理室内配置RTB系烧结磁体的准备工程，在同一处理室内的Dy扩散源的准备工程，和使Dy扩散源蒸发到所述烧结磁体的Dy扩散工程，其特征在于：所述Dy扩散源为平铺在高熔点金属网中的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片，所述Dy急冷薄片或所述Dy合金急冷薄片的厚度在0.05～1mm。

【技术特征摘要】
1.一种对RTB系磁体进行Dy扩散的方法，包括在处理室内配置RTB系烧结磁体的准
备工程，在同一处理室内的Dy扩散源的准备工程，和使Dy扩散源蒸发到所述烧结
磁体的Dy扩散工程，其特征在于：所述Dy扩散源为平铺在高熔点金属网中的Dy
急冷薄片或Dy合金急冷薄片，所述Dy急冷薄片或所述Dy合金急冷薄片的厚度在
0.05～1mm。
2.根据权利要求1所述的一种对RTB系磁体进行Dy扩散的方法，其特征在于：在将所
述Dy急冷薄片或所述Dy合金急冷薄片破碎成粒径在1cm以下的小片之后，再将其
间隔相同的间隙离散排列在所述高熔点金属网中。
3.根据权利要求1所述的一种对RTB系磁体进行Dy扩散的方法，其特征在于：所述高
熔点金属网的厚度为0.5mm～2mm。
4.根据权利要求3所述的一种对RTB系磁体进行Dy扩散的方法，其特征在于：所述
Dy扩散源为离散排列在所述高熔点金属网中的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片。
5.根据权利要求2所述的一种对RTB系...

【专利技术属性】
技术研发人员：永田浩，张建洪，
申请(专利权)人：厦门钨业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35