一种晶体生长装置制造方法及图纸

本技术提供了一种晶体生长装置，所述晶体生长装置包括：坩埚；包裹在所述坩埚的外周面的保温层；设置在所述保温层的外侧周向的感应线圈；位于所述坩埚的下方且用于固定籽晶的晶座，所述籽晶深入所述坩埚内，所述晶座内设置有冷却系统；设置于坩埚的顶部的保温盖；设置于保温盖上的加料口；设置于保温盖内的至少一个蓝宝石透光口；设置于蓝宝石透光口上方的光源发射器；设置于坩埚的外侧壁和保温层之间的上热电偶和下热电偶；所述上热电偶设置于坩埚的外侧壁的顶部一侧；所述下热电偶设置于坩埚的外侧壁的底部一侧。本技术提供的晶体生长装置可以为晶体提供相对密闭的生长环境，同时能够降低径向的温度梯度，有利于晶体生长。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶体生长设备，尤其涉及一种晶体生长装置。

技术介绍

1、晶体材料是一种极为重要的功能材料，不仅种类多样，而且性能丰富，广泛应用于力学、电学、光学或热学等精密器件中。其中，半导体晶体是支撑通讯、计算机、汽车以及电子信息产业的基础，采用半导体晶体制备得到的电子器件、半导体器件、固体激光器件和光学器件具有广阔的应用前景。

2、目前，氧化镓晶体是继碳化硅和砷化镓之后发展起来的第三代半导体材料，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度、更短的紫外截止吸收边以及更高的抗辐射能力，尤其是β晶型的氧化镓晶体有望成为宽禁带半导体领域的核心材料。但是，在氧化镓晶体的制备方法方面仍然面临着众多挑战，例如原料挥发分解、铱贵金属坩埚腐蚀、晶体厚度薄、晶体螺旋生长以及着色问题等。

3、公开日2022年11月1日，公开号cn115261973a的中国专利，公开了一种大尺寸氧化镓晶体的生长方法，该方法用冷坩埚或合金坩埚装填氧化镓原料，并在压力范围为0.1<p<0.7mpa的纯氧气氛下进行氧化镓晶体生长。在该方法中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶体生长装置，其特征在于，所述晶体生长装置包括：

2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，每个所述蓝宝石透光口的上方设置有4-8枚光源发射器；所述光源发射器包括激光发射器。

3.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述加料口内设置有加料管；所述加料管包括石英玻璃管。

4.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述冷却系统包括水冷却系统或风冷却系统。

5.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述坩埚包括氧化锆陶瓷坩埚、氧化铝坩埚或铂坩埚中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的晶体生长装...

【技术特征摘要】

1.一种晶体生长装置，其特征在于，所述晶体生长装置包括：

2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，每个所述蓝宝石透光口的上方设置有4-8枚光源发射器；所述光源发射器包括激光发射器。

3.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述加料口内设置有加料管；所述加料管包括石英玻璃管。

4.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述冷却系统包括水冷却系统或风冷却系统。

5.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述坩埚包括氧化锆陶瓷坩埚、氧化铝坩埚或铂坩...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵衡煜，蔡杰毅，陈泽邦，
申请(专利权)人：厦门钨业股份有限公司，
类型：新型
国别省市：