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本技术提供了一种晶体生长装置，所述晶体生长装置包括：坩埚；包裹在所述坩埚的外周面的保温层；设置在所述保温层的外侧周向的感应线圈；位于所述坩埚的下方且用于固定籽晶的晶座，所述籽晶深入所述坩埚内，所述晶座内设置有冷却系统；设置于坩埚的顶部的保温...
该专利属于厦门钨业股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门钨业股份有限公司授权不得商用。

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