【技术实现步骤摘要】
本技术涉及碳化硅半导体，尤其涉及一种碳化硅外延片生长加热器。
技术介绍
1、全球的碳化硅产业链正在经历从6英寸向8英寸过渡的黄金阶段，但是8英寸碳化硅长晶及外延生长技术依然存在许多的技术难点。
2、现有的碳化硅外延炉多采用rf射频线圈进行晶圆衬底片的加热，很难实现多区域的精确控温，很难解决8英寸外延工艺生长存在的晶圆衬底温场不均匀和径向温度梯度难以控制等问题。
3、国外针对自主研发的行星式碳化硅外延炉，对其每个卫星盘的旋转气体采用氢气与氦气混合吹扫的方式，在一定程度上能够调控某一单片衬底加热的温场分布，但是起到的效果甚微，很难满座所需的工艺要求。目前，有一些国内外公司已经将电阻式加热方式应用于其新一代8英寸碳化硅长晶炉和垂直气流模型的单片式碳化硅外延炉，该技术尚未应用于水平气流多片式碳化硅外延炉。
4、为了解决上述问题，设计了一种碳化硅外延片生长加热器。
5、公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在加深对本技术的总体
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的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所
【技术保护点】
1.一种碳化硅外延片生长加热器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅外延片生长加热器，其特征在于，所述电阻式加热器设置有内圈、中圈和外圈。
3.根据权利要求1所述的碳化硅外延片生长加热器，其特征在于，所述双辅助加热器包括第一辅助加热器与第二辅助加热器，所述第一辅助加热器设置在晶圆衬底外圈，所述第二辅助加热器设置在晶圆衬底内圈。
4.根据权利要求1所述的碳化硅外延片生长加热器，其特征在于，所述主加热器设置为螺旋状。
5.根据权利要求1所述的碳化硅外延片生长加热器，其特征在于，所述卫星盘设置为上端开口的盘形结构...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅外延片生长加热器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅外延片生长加热器，其特征在于，所述电阻式加热器设置有内圈、中圈和外圈。
3.根据权利要求1所述的碳化硅外延片生长加热器，其特征在于，所述双辅助加热器包括第一辅助加热器与第二辅助加热器，所述第一辅助加热器设置在晶圆衬底外圈，所述第二辅助加热器设置在晶圆衬底内圈。
4.根据权利要求1所述的碳化硅外延片生长加热器，其特征在于，所述主加热器设置为螺旋状。
5.根据权利要求1所述的碳化硅外延片生长加热器，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：林波，张春伟，耿庆智，钟倩鸣，江宏富，沈棽，
申请(专利权)人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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