【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于碳化硅晶体生长，具体涉及一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法。
技术介绍
1、物理气相输运法（pvt）是目前工业化生长碳化硅晶体的主要方法，具体为使高纯碳化硅原料在石墨坩埚中受热气化，原料的气体分子上升遇到籽晶完成结晶、扩径和退火处理等程序，以得到碳化硅晶体。
2、电阻加热的pvt法生长碳化硅单晶时，加热器位于石墨坩埚的侧面，原料靠近外侧的区域温度较高，硅元素和富硅的原子团优先从原料中逸出，原料逐渐碳化（原料内c含量高于si含量），碳化严重的原料会产生碳粉尘，碳粉尘跟随气流沉积在晶体生长界面上会形成包裹体缺陷，包裹体缺陷会进一步成长为螺旋位错、层错和微管等更大范围的缺陷，严重影响碳化硅晶体的质量，原料靠近内侧的区域温度较低，原料升华速度慢，且从高温区挥发出来的气体在低温区容易重新结晶，影响碳化硅原料的利用率。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是为了克服现有技术生长碳化硅单晶，高温区的碳化严重的原料产生碳粉尘，影响晶体质量，低温区的原料结晶，碳化硅原料的利用率较低的...
【技术保护点】
1.一种碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的生长装置，其特征在于，所述环形凹部（101）的底面上设置有与石墨滚珠适配的第一环形圆弧凹槽（1011），所述坩埚底（2）的下部设置有与石墨滚珠适配的第二环形圆弧凹槽（201），所述第一环形圆弧凹槽（1011）与所述第二环形圆弧凹槽（201）对应设置。
3.根据权利要求2所述的生长装置，其特征在于，所述生长装置还包括分隔滚珠的滚珠支架（6），其形状为圆环形，其沿周向分布有与石墨滚珠适配的圆孔（601），所述圆孔（601）的数量与石墨滚珠的数量一致，其设置于所述坩埚底（2）与...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的生长装置，其特征在于，所述环形凹部（101）的底面上设置有与石墨滚珠适配的第一环形圆弧凹槽（1011），所述坩埚底（2）的下部设置有与石墨滚珠适配的第二环形圆弧凹槽（201），所述第一环形圆弧凹槽（1011）与所述第二环形圆弧凹槽（201）对应设置。
3.根据权利要求2所述的生长装置，其特征在于，所述生长装置还包括分隔滚珠的滚珠支架（6），其形状为圆环形，其沿周向分布有与石墨滚珠适配的圆孔（601），所述圆孔（601）的数量与石墨滚珠的数量一致，其设置于所述坩埚底（2）与所述环形凹部（101）的底面之间的环形缝隙中，套设于所述第二转轴（4）的周向。
4.根据权利要求1或2所述的生长装置，其特征在于，所述生长装置还包括环形的坩埚底盖体（7），所述坩埚底盖体（7）包括顶盖（701）和侧盖（702），所述顶盖（701）覆盖所述坩埚底（2）的上表面边部，所述侧盖（702）位于所述坩埚底（2）的侧面与所述环形凹部（101）的侧面之间的缝隙中，所述侧盖（702）的外侧面设置有外螺纹，所述侧盖（702）与所述环形凹部（101）的侧面螺纹连接，所述顶盖（701）的下表面和所述侧盖（702）的内侧面与所述坩埚底（2）的上表面和侧面之间分别留有缝隙。
5.根据权利要求4所述的生长装置，其特征在于，所述坩埚底（2）的上表面边部设置有环形凸起（202）；所述顶盖（701）的下表面设置有环形凹槽（7011），所述环形凸起（202）与所述环形凹槽（7011）间隙配合。
6.根据权利要求5所述的生长装置，其特征在于，所述环形凸起（202）的上表面设置有与石墨滑辊适配的第一环状滑槽（2021），所述环形凹槽（7011）的顶面上设置有与石墨滑辊适配的第二环状滑槽（7012）。
7.根据权利要求1所述的生长装置，其特征在于，所述第一转轴（3）与旋转电机（8）相连接，所述第二转轴容纳腔（301）中设置有变速器（9），所述变速器（9）包括输入轴（...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵文超，陈建明，杨洪雨，范子龙，张江涛，
申请(专利权)人：苏州优晶半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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