一种花环状四氧化三钴的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种花环状四氧化三钴的制备方法，属于无机过渡金属氧化物材料合成领域。本发明专利技术所述花环状四氧化三钴的制备方法是将钴盐、矿化剂溶于乙二醇中，然后加入表面活性剂。将上述混合物在一定温度和时间进行溶剂热反应，反应结束后通过分离、洗涤将所得产物进行焙烧最终得到花环状四氧化三钴。本发明专利技术所提供的方法制备工艺简洁，是一种操作简便高效、环境友好、形貌可控且重现性好的制备花环状四氧化三钴的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无机过渡金属氧化物材料合成
，尤其涉及。
技术介绍
作为一类非常重要的P型半导体过渡金属氧化物，四氧化三钴被广泛应用于锂离子电池材料、超级电容器材料、催化剂、磁性半导体、气体传感器元件等重要领域。近年来，具有不同形貌的四氧化三钴材料引起人们的极大兴趣，采用喷雾热解法、微乳液反应法、溶胶-凝胶法、气相沉积法等不同的制备方法已相继合成了四氧化三钴纳米球、纳米线、纳米棒、纳米管、纳米纤维、纳米立方体、空心球、花状微球等。其中，对于由二维纳米片组装形成的不同形貌的四氧化三钴材料，由于其构筑单元纳米片具有较高的比表面易产生较多的表面活性位，有利于气相分子或液相离子在其表面进行吸附或嵌入，提高气-固相或液固相反应速率。鉴于此，纳米片组装形成的不同形貌的四氧化三钴材料在锂离子电池、气敏元器件材料和多相催 化剂领域中具有较高的应用前景，成为四氧化三钴材料的研究热点。目前，所报道的纳米片组装形成的四氧化三钴材料其形貌主要表现为花状微球，还未见其它形貌的相关报道。此外，四氧化三钴花状微球的合成过程中需要精确调控沉淀剂与钴盐的比例，花状产物重复性较差。因此，设计一种避免使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种花环状四氧化三钴的制备方法，其特征在于：所述方法的具体步骤如下：1)将钴盐、矿化剂溶于乙二醇中，溶液中钴盐的浓度为5～250mmol/l，矿化剂的浓度为0.05～5mol/l，然后加入表面活性剂，所述钴盐和表面活性剂的摩尔比为1:0.02～2；2)将上述混合物放入到不锈钢釜中，然后在130～230℃进行溶剂热反应，反应0.5～24h；3)溶剂热反应结束后通过分离、洗涤将所得产物在200～800℃下进行焙烧得到花环状四氧化三钴。

【技术特征摘要】
1.一种花环状四氧化三钴的制备方法，其特征在于:所述方法的具体步骤如下: 1)将钴盐、矿化剂溶于乙二醇中，溶液中钴盐的浓度为5~250mmol/l，矿化剂的浓度为0.05~5mol/l，然后加入表面活性剂，所述钴盐和表面活性剂的摩尔比为1:0.02~2 ; 2)将上述混合物放入到不锈钢釜中，然后在130~230°C进行溶剂热反应，反应0.5~24h ； 3)溶剂热反应结束后通过分离、洗涤将所得产物在200~800°C下进行焙烧得到花环状四氧化二钴。2.如权利要求1所述的花环状四氧化三钴的制备方法，其特征在于:步骤I)中，所述的钴盐为醋酸钴，矿化剂为醋酸钠。3.如权利要求2所述的花环状四氧化三钴的制备方法，其特征在于:钴盐的浓度为20~200mmol/l，钠盐的浓度为0.1~3mol/l，所述钴盐和表面活性剂的摩尔比为1:0.03 ~I。4.如权利要求2 所述的花环状四氧化三钴的制备方法，其特征在于:钴盐的浓度为30~15...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘爱凤，车红卫，
申请(专利权)人：河北工程大学，
类型：发明
国别省市：河北;13