侧面进声的硅麦克风封装结构制造技术

本发明专利技术涉及一种侧面进声的硅麦克风封装结构，其包括第一基板、MEMS传感器、ASIC芯片、连接所述MEMS传感器与所述ASIC芯片的引线以及固定于所述第一基板上的外壳，所述第一基板与所述外壳之间形成一个内部腔体，所述MEMS传感器与所述ASIC芯片安装于所述第一基板上且均暴露于所述内部腔体内，所述硅麦克风封装结构设有位于第一侧面的侧壁，所述侧壁设有向外贯穿所述第一侧面的声孔，所述声孔与所述内部腔体相连通，从而实现了侧面进声。

【技术实现步骤摘要】
侧面进声的硅麦克风封装结构
本专利技术涉及一种硅麦克风封装结构，通过此结构能够使得麦克风实现侧面进声。
技术介绍
硅麦克风已经广泛应用于通信和消费电子产品中。通常的硅麦克风封装结构提供两种进音方式，即顶部进声和底部进声。然而，随着消费电子产品外观和应用方式的改变，这类产品逐渐将麦克风声孔移动到设备的侧面，而现有的麦克风不直接提供侧面进声，故需要通过设备外壳和胶套形成一系列的折弯声道来实现设备的侧面进声，这给麦克风的使用带来了不便。因此，有必要对现有的技术进行改进，以克服以上技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够实现侧面进声的娃麦克风封装结构。为解决实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案:一种侧面进声的硅麦克风封装结构，所述硅麦克风封装结构包括第一基板、MEMS传感器、ASIC芯片、连接所述MEMS传感器与所述ASIC芯片的引线以及固定于所述第一基板上的外壳，所述第一基板与所述外壳之间形成一个内部腔体，所述MEMS传感器与所述ASIC芯片安装于所述第一基板上且均暴露于所述内部腔体内，所述硅麦克风封装结构设有位于第一侧面的侧壁，所述侧壁设有向外贯穿所述第一侧面的声孔，所述声孔与所述内部腔体相连通。作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述硅麦克风封装结构设有在高度方向上位于所述第一基板与所述外壳之间的介质层，所述外壳通过所述介质层而固定于所述第一基板上，所述声孔侧向贯穿所述介质层。作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述介质层为镀层，或者阻焊剂，或者粘接剂。作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述声孔由所述介质层不闭合的空缺形成。作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述第一基板包括所述第一侧面以及暴露于所述内部腔体内的上表面，所述MEMS传感器与所述ASIC芯片位于所述上表面，所述声孔形成于所述上表面上且侧向贯穿所述第一侧面。作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述声孔呈矩形且位于所述第一侧面的中部。作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述第一基板包括与所述上表面相对设置的下表面，所述声孔进一步向下贯穿所述下表面。作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述第一基板包括所述第一侧面、暴露于所述内部腔体内的上表面以及与所述上表面相对设置的下表面，所述MEMS传感器与所述ASIC芯片位于所述上表面；所述声孔包括相互连通的第一声孔以及第二声孔，其中所述第一声孔侧向贯穿所述第一侧面且向下贯穿所述下表面，所述第一声孔向上未贯穿所述上表面；所述第二声孔向上贯穿所述上表面。作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述硅麦克风封装结构包括位于所述第一基板下方且与所述第一基板相贴合的第二基板，所述第二基板设有与所述第一侧面位于同一侧的第二侧面以及侧向贯穿所述第二侧面的声腔，所述声腔位于所述声孔的下方且与所述声孔连通，所述声腔与所述声孔共同形成一个声道。作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述声腔在靠近所述第二侧面处与所述第一声孔靠近所述第一侧面处上下对齐，所述声腔在远离所述第二侧面处设有一个圆弧面。作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述娃麦克风封装结构包括位于所述第一基板与所述第二基板之间且用以声学密封的镀层，所述第一基板及/或所述第二基板设有将电信号引出的导电通孔。作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述娃麦克风封装结构包括位于所述第一基板下方且与所述第一基板相贴合的第二基板，所述声孔位于所述第二基板的上方且未向下贯穿所述第二基板。作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述外壳包括侧板以及与所述侧板分开制作的盖板，所述侧板位于所述第一基板与所述盖板之间，所述侧板的下端固定于所述第一基板上，所述侧板的上端固定于所述盖板上，所述侧板包括所述第一侧面以及所述声孔，且所述声孔相较于所述第一基板更靠近所述盖板。作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述外壳包括顶壁，所述硅麦克风封装结构包括固定在所述顶壁上的盖板，所述盖板包括所述第一侧面，所述声孔包括相互连通的第一声孔以及第二声孔，其中所述第一声孔侧向贯穿所述第一侧面，所述第二声孔贯穿所述顶壁。作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述外壳包括侧板以及与所述侧板分开制作的第一盖板，所述侧板位于所述第一基板与所述第一盖板之间，所述侧板的下端固定于所述第一基板上，所述侧板的上端固定于所述第一盖板上，所述硅麦克风封装结构包括固定在所述第一盖板上的第二盖板，所述第二盖板包括所述第一侧面，所述声孔包括相互连通的第一声孔以及第二声孔，其中所述第一声孔侧向贯穿所述第一侧面，所述第二声孔贯穿所述第一盖板。作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述外壳包括若干外侧壁，其中一个所述外侧壁设有所述第一侧面，所述声孔为若干个且贯穿所述第一侧面。与现有技术相比，本专利技术通过在侧壁上设有向外贯穿所述第一侧面的声孔以与所述内部腔体相连通，从而实现了侧面进声。【附图说明】图1是本专利技术侧面进声的硅麦克风封装结构于第一实施方式中的立体示意图。图2是图1的剖面示意图，且用箭头标示出了声音从侧面进入内部腔体的路径。图3是本专利技术侧面进声的硅麦克风封装结构于第二实施方式中的立体示意图。图4是图3的剖面示意图，且用箭头标示出了声音从侧面进入内部腔体的路径。图5是本专利技术侧面进声的硅麦克风封装结构于第三实施方式中的立体示意图。图6是图5的剖面示意图，且用箭头标示出了声音从侧面进入内部腔体的路径。图7是本专利技术侧面进声的硅麦克风封装结构于第四实施方式中的立体示意图。图8是图7的剖面示意图，且用箭头标示出了声音从侧面进入内部腔体的路径。图9是本专利技术侧面进声的硅麦克风封装结构于第五实施方式中的立体示意图。图10是图9的剖面示意图，且用箭头标示出了声音从侧面进入内部腔体的路径。图11是本专利技术侧面进声的硅麦克风封装结构于第六实施方式中的立体示意图。图12是图11的立体分解图。图13是图11的剖面示意图，且用箭头标示出了声音从侧面进入内部腔体的路径。图14是本专利技术侧面进声的硅麦克风封装结构于第七实施方式中的立体示意图。图15是图14的立体分解图。图16是图14的剖面示意图，且用箭头标示出了声音从侧面进入内部腔体的路径。图17是本专利技术侧面进声的硅麦克风封装结构于第八实施方式中的立体示意图。图18是图17的剖面示意图，且用箭头标示出了声音从侧面进入内部腔体的路径。图19是本专利技术侧面进声的硅麦克风封装结构于第九实施方式中的立体示意图。图20是图19的剖面示意图，且用箭头标示出了声音从侧面进入内部腔体的路径。图21是本专利技术侧面进声的硅麦克风封装结构于第十实施方式中的立体示意图。图22是图21的剖面示意图，且用箭头标示出了声音从侧面进入内部腔体的路径。图23是本专利技术侧面进声的娃麦克风封装结构于第^ 实施方式中的立体不意图。图24是图23的剖面示意图，且用箭头标示出了声音从侧面进入内部腔体的路径。【具体实施方式】请参图1及图2所示，本专利技术的第一实施方式揭示了一种侧面进声的硅麦克风封装结构100。所述硅麦克风封装结构100包括第一基板1、MEMS传感器2、ASIC芯片3、连接所述MEMS传感器2与所述ASIC芯片3的引线4以及固定于所述第一基板I上的外壳5。所述第一基板I与所述外壳5之间形成一个内部腔体10，所述MEMS传感器2与所述ASIC芯片3安装于所述第一基板I上且均暴露于所述内部腔体10内。所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种侧面进声的硅麦克风封装结构，所述硅麦克风封装结构包括第一基板、MEMS传感器、ASIC芯片、连接所述MEMS传感器与所述ASIC芯片的引线以及固定于所述第一基板上的外壳，所述第一基板与所述外壳之间形成一个内部腔体，所述MEMS传感器与所述ASIC芯片安装于所述第一基板上且均暴露于所述内部腔体内，其特征在于：所述硅麦克风封装结构设有位于第一侧面的侧壁，所述侧壁设有向外贯穿所述第一侧面的声孔，所述声孔与所述内部腔体相连通。

【技术特征摘要】
1.一种侧面进声的娃麦克风封装结构,所述娃麦克风封装结构包括第一基板、MEMS传感器、ASIC芯片、连接所述MEMS传感器与所述ASIC芯片的引线以及固定于所述第一基板上的外壳，所述第一基板与所述外壳之间形成一个内部腔体，所述MEMS传感器与所述ASIC芯片安装于所述第一基板上且均暴露于所述内部腔体内，其特征在于:所述硅麦克风封装结构设有位于第一侧面的侧壁，所述侧壁设有向外贯穿所述第一侧面的声孔，所述声孔与所述内部腔体相连通。2.如权利要求1所述的硅麦克风封装结构，其特征在于:所述硅麦克风封装结构设有在高度方向上位于所述第一基板与所述外壳之间的介质层，所述外壳通过所述介质层而固定于所述第一基板上，所述声孔侧向贯穿所述介质层。3.如权利要求2所述的硅麦克风封装结构，其特征在于:所述介质层为镀层，或者阻焊剂，或者粘接剂。4.如权利要求3所述的硅麦克风封装结构，其特征在于:所述声孔由所述介质层不闭合的空缺形成。5.如权利要求1所述的娃麦克风封装结构，其特征在于:所述第一基板包括所述第一侧面以及暴露于所述内部腔体内的上表面，所述MEMS传感器与所述ASIC芯片位于所述上表面，所述声孔形成于所述上表面上且侧向贯穿所述第一侧面。6.如权利要求5所述的硅麦克风封装结构，其特征在于:所述声孔呈矩形且位于所述第一侧面的中部。7.如权利要求5所述的娃麦克风封装结构,其特征在于:所述第一基板包括与所述上表面相对设置的下表面，所述声孔进一步向下贯穿所述下表面。8.如权利要求1所述的娃麦克风封装结构，其特征在于:所述第一基板包括所述第一侧面、暴露于所述内部腔体内的上表面以及与所述上表面相对设置的下表面，所述MEMS传感器与所述ASIC芯片位于所述上表面；所述声孔包括相互连通的第一声孔以及第二声孔，其中所述第一声孔侧向贯穿所述第一侧面且向下贯穿所述下表面，所述第一声孔向上未贯穿所述上表面；所述第二声孔向上贯穿所述上表面。9.如权利要求8所述的硅麦克风封装结构，其特征在于:所述硅麦克风封装结构包括位于所述第一基板下方且与所述第一基板相贴合的第二基板，所述第二基板设有与所述第一侧面位于同...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅嘉欣，王刚，李刚，胡维，
申请(专利权)人：苏州敏芯微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32