CMOS兼容的硅差分电容器麦克风及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种CMOS兼容的硅差分电容器麦克风及其制造方法。所述麦克风（1000）包括：硅基底（100），其中，CMOS电路容纳在该硅基底上；支撑在硅基底上的第一刚性导电穿孔背板（200），其中在两者之间插有绝缘层（120）；形成在第一背板上方的第二刚性穿孔背板（400），包括CMOS钝化层（400a、400c）以及夹在所述CMOS钝化层之间作为第二背板的电极板的金属层(400b)，其中在第一背板和第二背板的相对的穿孔区域之间设有空气间隙，并且隔离件构成了其边界；设置在第一背板和第二背板之间的顺应性振膜（300），其中，在第一背板下方的硅基底中形成背孔（150）以允许声音通过，以及振膜和第一背板构成第一可变电容器，振膜和第二背板构成第二可变电容器，第一可变电容器和第二可变电容器构成差分电容器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种CMOS兼容的硅差分电容器麦克风，包括：硅基底，其中，CMOS电路容纳在该硅基底上；形成在所述硅基底上的第一刚性导电穿孔背板，其中，该第一背板的周沿支撑在所述硅基底上，并在它们之间插有绝缘层；形成在所述第一背板上方的第二刚性穿孔背板，包括CMOS钝化层以及夹在所述CMOS钝化层之间作为该第二背板的电极板的金属层；由CMOS兼容层形成并设置在所述第一背板和所述第二背板之间的顺应性振膜；将所述第一背板与所述振膜隔开的第一空气间隙以及将所述振膜与所述第二背板隔开的第二空气间隙，其中，所述两个空气间隙均由设置在所述第一背板和所述第二背板之间的隔离件作为边界；形成在所述第一背板下方的所述硅基底中以允许声音通过的背孔，其中，所述振膜和所述第一背板构成第一可变电容器，所述振膜和所述第二背板构成第二可变电容器，以及所述第一可变电容器和所述第二可变电容器构成差分电容器。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：王喆，
申请(专利权)人：歌尔声学股份有限公司，
类型：
国别省市：