碳化硅单晶的清洗方法技术

碳化硅单晶的清洗方法，它涉及一种单晶的清洗方法。本是为了解决现有清洗SiC的方法步骤繁琐的技术问题。本方法如下：将SiC单晶在温度为75～85℃的混合溶液A中浸泡15～25min，然后用去离子水冲洗SiC单晶，再氮气吹干，所述混合溶液A为浓硫酸和双氧水的混合液，其中浓硫酸与双氧水的体积比为2.8～3.2：1。本发明专利技术的SiC单晶的清洗方法重复性好，清洗得的SiC单晶洁净度高，清洗后的SiC单晶表面只有Si、O、C三种元素，其中杂质碳含量<10％。清洗采用的设备简单，操作方便，易于掌握，过程安全、无污染。本发明专利技术属于单晶的清洗领域。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
碳化硅单晶的清洗方法，其特征在于碳化硅单晶的清洗方法按照以下步骤进行：一、采用表面活性剂刷洗SiC单晶3～5min，然后用去离子水冲洗SiC单晶；二、将经过步骤一处理的SiC单晶在温度为75～85℃的混合溶液A中浸泡15～25min，然后用去离子水冲洗SiC单晶，再氮气吹干，所述混合溶液A为浓硫酸和双氧水的混合液，其中浓硫酸与双氧水的体积比为2.8～3.2：1。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张丹，赵淑贞，张飞虎，甘阳，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23