一种TO-220防水密封引线框架制造技术

本实用新型专利技术涉及一种TO-220防水密封引线框架，包括芯片载片台，芯片载片台的一端连接有散热片，散热片上设置有安装孔，另一端设置有框架引线焊接部，芯片载片台的顶部设置有第一防水密封槽，芯片载片台的左侧设置有第二防水密封槽，芯片载片台的右侧设置有第三防水密封槽，芯片载片台与散热片之间设置有连接部，连接部上设置有宽度为0.7～0.9mm的防水凹槽，防水凹槽的底部中心设置有燕尾型槽，燕尾型槽的底部上表面均匀设置为凹凸结构，芯片载片台的底部设置有管脚，管脚与框架引线焊接部的连接处设置有第四防水密封槽。本实用新型专利技术的有益效果在于，提供一种气密性好以及抗冲击力强的TO-220防水密封引线框架。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及一种TO-220防水密封引线框架，包括芯片载片台，芯片载片台的一端连接有散热片，散热片上设置有安装孔，另一端设置有框架引线焊接部，芯片载片台的顶部设置有第一防水密封槽，芯片载片台的左侧设置有第二防水密封槽，芯片载片台的右侧设置有第三防水密封槽，芯片载片台与散热片之间设置有连接部，连接部上设置有宽度为0.7～0.9mm的防水凹槽，防水凹槽的底部中心设置有燕尾型槽，燕尾型槽的底部上表面均匀设置为凹凸结构，芯片载片台的底部设置有管脚，管脚与框架引线焊接部的连接处设置有第四防水密封槽。本技术的有益效果在于，提供一种气密性好以及抗冲击力强的TO-220防水密封引线框架。【专利说明】一种T0-220防水密封引线框架
本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种Τ0-220防水密封引线框架。
技术介绍
在采用引线框架封装半导体器件的过程中，当芯片放在引线框架的芯片部后需要进行塑封，为了使塑封后的半导体器件具有较强的气密性，目前的引线框架通常在芯片部的边缘开设有沟槽，并在沟槽内侧设有密封槽，沟槽以及密封槽的设置可以增强引线框架与塑封料的结合强度，从而使半导体器件具有一定的气密性能。但是目前一般设计的改外形的引线框架，防水槽的表面均为光滑的平面，塑封料与引线框架的结合力不牢固，气密性不够好，在浸泡、电镀以及切筋成型等工序维持不具有更好的抗冲击力，不能有效保证产品的可靠性。
技术实现思路
鉴于现有技术中存在的上述问题，本技术的目的在于解决现有技术的缺陷，提供一种防水密封性好以及抗冲击力强的Τ0-220防水密封引线框架。本技术提供了一种Τ0-220防水密封引线框架，包括芯片载片台，所述芯片载片台的一端连接有散热片，所述散热片上设置有安装孔，另一端设置有框架引线焊接部，所述芯片载片台的顶部设置有第一防水密封槽、所述芯片载片台的左侧设置有第二防水密封槽，所述芯片载片台的右侧设置有第三防水密封槽，所述芯片载片台与所述散热片之间设置有连接部，所述连接部上设置有宽度为0.7?0.9mm的防水凹槽，所述防水凹槽的底部中心设置有燕尾型槽，所述燕尾型槽的底部上表面均匀设置为凹凸结构，所述芯片载片台的底部设置有管脚，所述管脚与所述框架引线焊接部的连接处设置有第四防水密封槽。进一步，所述第一防水密封槽、所述第二防水密封槽以及所述第三防水密封槽形成一封闭的防水结构。进一步，所述第一防水密封槽、所述第二防水密封槽以及所述第三防水密封槽的宽度均为0.10?0.16mm。进一步，所述防水凹槽的宽度为0.8mm，所述防水凹槽的深度为0.3mm。进一步，所述燕尾型槽的深度为0.15mm。进一步，所述为凹凸结构为波浪形结构，用以增加所述燕尾型槽底部上表面的面积。进一步，所述第四防水密封槽的宽度为0.06?0.10mm。本技术具有的优点和有益效果为:本实施例的T0-220防水密封引线框架设置有第一防水密封槽、第二防水密封槽、第三防水密封槽以及第四防水密封槽，使该引线框架的气密性能更优；同时所述芯片载片台与所述散热片之间设置有连接部，所述连接部上设置有宽度为0.7?0.9mm的防水凹槽，所述防水凹槽的底部中心设置有燕尾型槽，所述燕尾型槽的底部上表面均匀设置为凹凸结构，增强了塑封料与该T0-220防水密封引线框架 的接触面积，提高了该T0-220防水密封引线框架的抗冲击能力。【专利附图】【附图说明】图1为本实施例的T0-220防水密封引线框架的结构示意图；图2为图1的A-A剖结构示意放大图；图3为图1的B-B剖结构示意放大图。【具体实施方式】下面将参照附图和具体实施例对本技术作进一步的说明。如图1、图2以及图3所示:本技术实施例的一种T0-220防水密封引线框架包括多个独立单元1，每个独立单元I包括芯片载片台106，所述芯片载片台106的一端连接有散热片100，所述散热片100上设置有安装孔101，另一端设置有框架引线焊接部107，所述芯片载片台106的顶部设置有第一防水密封槽103，所述芯片载片台106的左侧设置有第二防水密封槽105，所述芯片载片台106的右侧设置有第三防水密封槽104，所述芯片载片台106与所述散热片100之间设置有连接部，所述连接部102上设置有宽度为0.7?0.9mm的防水凹槽1021，所述防水凹槽1021的底部中心设置有燕尾型槽1022，所述燕尾型槽1022的底部上表面均匀设置为凹凸结构，所述芯片载片台106的底部设置有管脚109，所述管脚109与所述框架引线焊接部107的连接处设置有第四防水密封槽108，所述第一防水密封槽103、所述第二防水密封槽105、所述第三防水密封槽104以及所述第四防水密封槽108的设置使所述T0-220防水密封引线框架的气密性更好，达到更优的防水性能的目的。作为上述实施例的优选实施方式，所述第一防水密封槽103、所述第二防水密封槽105以及所述第三防水密封槽104形成一封闭的防水结构，使芯片载片台106的防水性能得到提升，设置与其上的芯片更加安全可靠。作为上述实施例的优选实施方式，所述第一防水密封槽103、所述第二防水密封槽105以及所述第三防水密封槽104的宽度均为0.10?0.16mm。作为上述实施例的优选实施方式，所述防水凹槽1021的宽度为0.8mm，所述防水凹槽1021的深度为0.3mm。作为上述实施例的优选实施方式，所述燕尾型槽1022的深度为0.15mm。作为上述实施例的优选实施方式，所述为凹凸结构为波浪形结构，用以增加所述燕尾型槽1022底部上表面的面积，以增加塑封料与所述燕尾型槽1022的接触面积，由此形成的锁扣锁紧力是原设计的3-5倍，所以在封装时塑封料与框架的结合力更好，气密性更佳，在浸泡、电镀、切筋成型等工序维持更好的抗冲击力，可有效保证产品的可靠性。作为上述实施例的优选实施方式，所述第四防水密封槽108的宽度为0.06?0.1Omm0最后应说明的是:以上所述的各实施例仅用于说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或全部技术特征进行等同替换；而这些修改或替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。【权利要求】1.一种T0-220防水密封引线框架，包括芯片载片台，所述芯片载片台的一端连接有散热片，所述散热片上设置有安装孔，另一端设置有框架引线焊接部，其特征在于:所述芯片载片台的顶部设置有第一防水密封槽，所述芯片载片台的左侧设置有第二防水密封槽，所述芯片载片台的右侧设置有第三防水密封槽，所述芯片载片台与所述散热片之间设置有连接部，所述连接部上设置有宽度为0.7?0.9mm的防水凹槽，所述防水凹槽的底部中心设置有燕尾型槽，所述燕尾型槽的底部上表面均匀设置为凹凸结构，所述芯片载片台的底部设置有管脚，所述管脚与所述框架引线焊接部的连接处设置有第四防水密封槽。2.根据权利要求1所述的T0-220防水密封引线框架，其特征在于，所述第一防水密封槽、所述第二防水密封槽以及所述第三防水密封槽形成一封闭的防水结构。3.根据权利要求2所述的T0-220防水密封引线框架，其特本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TO‑220防水密封引线框架，包括芯片载片台，所述芯片载片台的一端连接有散热片，所述散热片上设置有安装孔，另一端设置有框架引线焊接部，其特征在于：所述芯片载片台的顶部设置有第一防水密封槽，所述芯片载片台的左侧设置有第二防水密封槽，所述芯片载片台的右侧设置有第三防水密封槽，所述芯片载片台与所述散热片之间设置有连接部，所述连接部上设置有宽度为0.7～0.9mm的防水凹槽，所述防水凹槽的底部中心设置有燕尾型槽，所述燕尾型槽的底部上表面均匀设置为凹凸结构，所述芯片载片台的底部设置有管脚，所述管脚与所述框架引线焊接部的连接处设置有第四防水密封槽。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴斌，
申请(专利权)人：南通华隆微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32