一种基于多场耦合的键合方法技术

技术编号:10237145 阅读:167 留言:0更新日期:2014-07-18 22:56
本发明专利技术提供了一种基于多场耦合的键合方法,首先在衬底上制备一层金属薄膜作为基底,之后用电化学沉积的方法在金属基底表面制备纳米金属针锥结构作为键合层,最后在一定温度和压力条件下,将金属基底连接恒流脉冲电源,通电持续一段时间后断开电源,再恒温恒压保持一定时间,利用纳米界面间电流集聚和电迁移效应,产生局部焦耳热,促进原子间扩散,即可实现低温固态键合。本发明专利技术工艺简单,操作方便,较低的温度和压力增强了工艺可靠性,在三维封装、微系统制造等领域具有应用前景。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于多场耦合的键合方法,其特征是在衬底上制备一层金属薄膜作为基底,之后用电化学沉积的方法在金属基底表面制备纳米金属针锥结构作为键合层,最后在一定温度和压力条件下,将金属基底连接恒流脉冲电源,通电持续一段时间后断开电源,再恒温恒压保持一定时间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:宋晓辉乔彦超赵兰普庄春生岳鹏飞张萍
申请(专利权)人:河南省科学院应用物理研究所有限公司
类型:发明
国别省市:河南;41

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1