光子芯片与光纤的耦合方法技术

一种光子芯片与光纤的耦合方法，包括有光子芯片，分别设置在光子芯片的输入端和输出端的单模输入光纤和单模输出光纤，所述的光子芯片与所述的单模输入光纤和单模输出光纤之间分别设置有模场转换器。所述的模场转换器是采用熔融拉锥光纤、透镜光纤、透镜组。本发明专利技术采用输入/输出光纤+熔融拉锥光纤或透镜光纤或透镜组与光子芯片耦合，光子芯片是光子集成波导芯片，从而解决波导芯片与光纤的模场失配问题。具有如下特点：采用熔融拉锥光纤、透镜光纤或透镜组能方便可行地实现任意形状、较小模场直径的模场转换。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光子芯片与光纤的耦合方式。特别是涉及一种用于光学特殊波导芯片的采用透镜光纤或分立光学透镜/透镜组来进行模场转换的。
技术介绍
平面集成光电路(PIC)技术使光子能在波导材料中传输，很大程度上与光子在光纤中的传输相类似。这种技术以其易于规模化、自动化生产，稳定性好、易于集成等诸多特点、在价格和性能方面都更有优势等诸多特点，被认为是光通信产业的明日之星，具有非常广阔的应用前景。并且，性能要求越高时，PIC技术的优越性越明显。一旦掌握了 PIC的结构和工艺，就可以大规模、低成本地制造非常复杂的器件。Pic有源及无源器件在光通信领 域的应用现状正是Pic技术开发现状的真实市场反映，目前广泛大规模商用的PIC型元器件中，主要有激光器、探测器、光功率分配器、阵列波导光栅(AWG)复用器/解复用器、光滤波器、光衰减器、光开关、调制/解调器、双向三波器件和双波器件等各种功能的器件。集成光波导器件一般在六种材料上制作，它们是铌酸锂(LiNb03)、III - V族半导体化合物、二氧化娃(Si02)、S0I (Silicon-on-Insulator,绝缘体上娃)、聚合物(Polym本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光子芯片与光纤的耦合方法，包括有光子芯片，分别设置在光子芯片的输入端和输出端的单模输入光纤和单模输出光纤，其特征在于，所述的光子芯片与所述的单模输入光纤和单模输出光纤之间分别设置有模场转换器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马卫东，周天宏，江雄，
申请(专利权)人：武汉光迅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：