【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供，包括：导热导电衬底，上下表面分别具有键合层与P电极；反射镜；发光外延结构，包括层叠的P型层、量子阱层及N型层；蓝宝石衬底，结合于所述发光外延结构；接触区，由所述蓝宝石衬底贯穿至所述键合层；N电极，藉由所述接触区将所述N型层电性连接至所述蓝宝石衬底表面；钝化层，填充于所述接触区内。本专利技术提供了一种新型的倒装LED结构，通过晶圆级的键合工艺实现了倒装LED芯片的制造，将LED芯片直接键合于导热导电衬底中，大大地提高了LED芯片的散热效率；先于蓝宝石衬底中形成凹槽结构后进行外延，最后通过减薄将N电极露出，避免后续加工容易出现碎片等缺陷，降低了工艺的难度，并有效提高了产品的良率。【专利说明】
本专利技术属于半导体照明领域，特别是涉及。
技术介绍
半导体照明作为新型高效固体光源，具有寿命长、节能、环保、安全等显著优点，将成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃，其应用领域正在迅速扩大，正带动传统照明、显示等行业的升级换代，其经济效益和社会效益巨大。正因如此，半导体照明被普遍看作是21世纪最具发展前景的新兴产业之一，也是未来几年...
【技术保护点】
一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管至少包括：导热导电衬底，其下表面结合有P电极，上表面结合有键合层；反射镜，结合于所述键合层；发光外延结构，结合于所述反射镜，包括依次层叠的P型层、量子阱层及N型层；蓝宝石衬底，结合于所述发光外延结构；接触区，由所述蓝宝石衬底贯穿至所述键合层；N电极，藉由所述接触区将所述N型层电性连接至所述蓝宝石衬底表面；钝化层，填充于所述接触区内的N电极与键合层之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郝茂盛，朱广敏，张楠，陈耀，杨杰，袁根如，
申请(专利权)人：上海蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。