一种用于制备太阳电池的硅片磷铝联合变温吸杂方法技术

一种用于制备太阳电池的硅片磷铝变温吸杂方法，步骤如下：将衬底硅片依次进行去损伤层、超声清洗后，在硅片正反两面先涂覆磷源，再蒸镀铝膜；然后采用氮气气氛保护下热处理依次进行一次吸杂、二次吸杂；冷却至室温后，放入氢氟酸和硝酸的混合液中腐蚀以去除吸杂层即可。本发明专利技术的优点是：该吸杂方法在磷铝吸杂基础上引入变温工艺，通过不同温度对吸杂的各个过程实现有效控制，充分利用磷吸杂和铝吸杂各自的优势；工艺简单易于实现，无需增加其他设备；吸杂效果明显，经吸杂处理后，硅片少子寿命有明显提升，同时在满足吸杂效果的前提下减少了工艺周期。

【技术实现步骤摘要】
—种用于制备太阳电池的硅片磷铝联合变温吸杂方法
本专利技术涉及硅太阳电池的制备方法，特别涉及。
技术介绍
光伏发电的载体是太阳电池，而能使太阳电池成为未来能源重要组成部分的关键是要将光伏发电成本降到与常规能源相当。晶体硅太阳电池因其转换效率高、原材料丰富、生产成本较为廉价等优点受到广泛关注。目前，晶体硅太阳电池也已经占目前太阳电池市场的80%以上。为了进一步提升晶体硅太阳电池的竞争力，就必须要在保证电池光电转换效率的基础上使用更为廉价的衬底，所以通常用来制备太阳电池的硅片相对半导体集成电路行业中使用的硅片纯度较差，杂质含量较多，这也直接导致其少子寿命和少子扩散长度降低。为了进一步提高太阳能级硅片的电学特性，较为常用的方法采用磷吸杂或铝吸杂工艺来除去硅片体内的过渡金属等杂质。磷吸杂利用杂质原子与硅原子的结构差异，将其扩散到硅片表面引起失配位错，因而形成应力吸杂中心。铝吸杂是通过杂质在硅-铝合金中的固溶度高于硅中的固溶度，从而通过分凝机制从衬底中吸除杂质；此外，硅-铝合金层中含有大量缺陷，杂质与缺陷的结合能量更低，硅中的金属杂质从而被有效吸除。磷吸杂方法较为简单，工艺周期短，但是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制备太阳电池的硅片磷铝变温吸杂方法，其特征在于包括以下步骤：1）去损伤层：配制浓度为10‑15wt%的NaOH溶液，采用水浴加热的方式使溶液恒温在80℃，将衬底硅片放入溶液中8‑15min以去除由于线锯切割硅片所导致的硅损伤层，将硅片取出后用去离子水清洗3min；2）清洗：将上述去损伤层的硅片放入25℃的丙酮溶液中超声清洗5min，取出后用去离子水清洗3min，然后再将样品放入25℃的无水乙醇中超声清洗5min，取出后用去离子水清洗3min，用氮气吹干备用；3）涂覆磷源：将上述清洗后的硅片吸附在匀胶机上，通过旋涂的方式在硅片正反两面涂覆厚度为1‑2μm的磷源，匀胶机转速为1500‑22...

【技术特征摘要】
1.一种用于制备太阳电池的硅片磷铝变温吸杂方法，其特征在于包括以下步骤: 1)去损伤层:配制浓度为10-15wt%的NaOH溶液，采用水浴加热的方式使溶液恒温在80°C，将衬底硅片放入溶液中8-15min以去除由于线锯切割硅片所导致的硅损伤层，将硅片取出后用去离子水清洗3min ； 2)清洗:将上述去损伤层的硅片放入25°C的丙酮溶液中超声清洗5min，取出后用去离子水清洗3min，然后再将样品放入25°C的无水乙醇中超声清洗5min，取出后用去离子水清洗3min,用氮气吹干备用； 3)涂覆磷源:将上述清洗后的硅片吸附在匀胶机上，通过旋涂的方式在硅片正反两面涂覆厚度为1-2 μ m的磷源，匀胶机转速为1500-2200 r/min，旋涂时间为20_30s，然后放入热处理炉中干燥，干燥温度为100-150°C，干燥时间为10-15min ； 4)蒸镀铝膜:将双面涂覆有磷源的硅片放置于真空镀膜机中，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵颖，王奉友，张晓丹，姜元建，魏长春，许盛之，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：天津;12