发光二极管封装体制造技术

本实用新型专利技术公开了一种发光二极管封装体，包括：基板，具有正、反两个平整的表面，至少由两金属块和绝缘部构成，其中金属块镶嵌于绝缘部并露出部分上、下表面，各个金属块之间具有电性绝缘区；发光二极管芯片，位于所述基板的金属块之上，并与所述其中至少两金属块形成电性连接；封装胶，覆盖在所述发光二极管芯片的表面上，同时覆盖部分基板；所述金属块具有突出连接部，其延伸至基板的边缘。所述发光二极管封装结构不仅可以缩小封装体尺寸，还具有良好的散热功能。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种发光二极管封装体，包括：基板，具有正、反两个平整的表面，至少由两金属块和绝缘部构成，其中金属块镶嵌于绝缘部并露出部分上、下表面，各个金属块之间具有电性绝缘区；发光二极管芯片，位于所述基板的金属块之上，并与所述其中至少两金属块形成电性连接；封装胶，覆盖在所述发光二极管芯片的表面上，同时覆盖部分基板；所述金属块具有突出连接部，其延伸至基板的边缘。所述发光二极管封装结构不仅可以缩小封装体尺寸，还具有良好的散热功能。【专利说明】发光二极管封装体
本技术涉及一种封装结构，特别涉及一种发光二极管封装结构。
技术介绍
发光二极管(英文为Light Emitting Diode，简称LED)是利用半导体的P-N结电致发光原理制成的一种半导体发光器件。LED具有环保、亮度高、功耗低、寿命长、工作电压低、易集成化等优点，是继白炽灯、荧光灯和高强度放电(英文缩写为HID)灯(如高压钠灯和金卤灯)之后的第四代新光源。现有的LED封装体所使用的支架都比芯片大得多(2倍以上)，导致所用的荧光粉和封装胶的用料也相应增加，同时发出的光与荧光粉散射后，被封装体吸收的量也增加。因此现有的LED不利于缩小封装体的尺寸的应用，成本高，光效差，有必要做进一步改进。
技术实现思路
本技术提供了一种发光二极管封装体，其缩小封装体尺寸的同时，具有良好的散热功能。发光二极管封装体，包括:基板，具有正、反两个平整的表面，至少由两金属块和绝缘部构成，其中金属块镶嵌于绝缘部并露出部分上、下表面，且各个金属块之间具有电性绝缘区；发光二极管芯片，位于所述基板的金属块之上，并与所述其中至少两金属块形成电性连接；封装胶，覆盖在所述发光二极管芯片的表面上，同时覆盖部分基板；所述金属块具有突出连接部，其延伸至基板的边缘。优选地，所述基板具有两金属块，同时用于导电和散热，每个金属块至少包括三个突出连接部。在一些实施例中，所述两金属块呈轴对称。优选地，所述金属块至少具有一个突出连接部与所述金属块呈倾斜角。在一些实施例中，所述两金属块呈180°旋转对称。优选地，所述各金属块之间的电性绝缘区呈“ I ”字型或“工”字型。优选地，所述各金属块之间的电性绝缘区呈S型或反S型。优选地，所述金属块与绝缘部在垂直方向上构成卡扣。优选地，在所述基板中，按垂直方向将所述金属块划分为上、下部，其中上部为所述基板的正面，下部为所述基板的反面，所述上、下部的形状不一样。在一些实施例中，所述金属块上部的某些部位横向突出于下部，且所述金属块下部的某些部位横向突出于上部。在一些实施例中，所述突出连接部位于所述金属块的上部或下部。优选地，所述封装胶的厚度为0.2飞mm。在一些实施例中，所述封装胶的厚度为0.2^3mm ;在一些实施例中，为了扩大封装体的出光角度，增加封装胶的厚度，其较佳厚度为0.5~5mm;在一些实施例中，为了进一步扩大封装体的出光角度，所述封装胶的出光面一侧具有弧形。优选地，所述发光二极管封装体还包括波长转换装置，其可为直接在封装胶内掺入荧光粉或直接在发光二极管芯片表面/封装胶表面设置波长转换材料层。本技术至少具有以下有益效果:1)所述基板的上、下表面均为平整面，发光二极管芯片直接位于所述基板的金属块上，通过金属块同时导电和散热，可以有效改善封装体的散热性能；2)在所述基板中，金属块镶嵌于绝缘部中，各金属块的上、下部形状不一样，从而与绝缘部形成卡扣结构，从而提高了封装体的牢固性；3)由于所述基板表面是完整的平面，无支架(如碗杯)侧壁阻挡出光，因此本技术的封装体具有更广的发光角，更高的出光光效；4)由于无需碗杯，使用材料更少，封装体所需成本更低，使产品更具性价比。前述发光二极管封装体可应用于各种显示系统、照明系统、汽车尾灯等领域。本技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术而了解。本技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。【专利附图】【附图说明】附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。图1为本技术之实施例1所述发光二极管封装体的剖面图。图2为图1所示发 光二极管封装体之基板的正面图案。图3为图1所示发光二极管封装体之基板的背面图案。图4显示了实施例1所述发光二极管封装体的一种变形。图5为本技术之实施例2所述发光二极管封装体的基板的背面图案。图6为本技术之实施例2所述发光二极管封装体的剖面图。图疒图8显示了实施例2所述发光二极管封装体的两种变形。图中各标号表示如下:100:基板；110:金属块；110a:金属块上部；110b:金属块下部；11~14:突出连接部；120:绝缘部；130:电性绝缘区；200:发光二极管芯片；300:封装胶。【具体实施方式】下面结合示意图对本技术的LED封装体进行详细的描述，借此对本技术如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本技术中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本技术的保护范围之内。实施例1图f3公开了一种发光二极管封装体，其中图2和图3为发光二极管封装体之基板的正面图案和背面图案，图1为沿图3中线A-A切开的封装体剖面图。请看附图1，发光二极管封装体，包括:基板100，发光二极管芯片200和封装胶300。其中，基板100正、反两个面为表整的表面，由两金属块110和绝缘部120构成，金属块110镶嵌于绝缘部120并露出部分上、下表面，各个金属块110之间具有电性绝缘区130 ；发光二极管芯片200位于两金属块110的正面上并与之形成电性连接；封装胶300覆盖在发光二极管芯片200的表面上，同时覆盖部分基板。在本实施例中，基板的绝缘部120采用白色塑料，可采用热塑型塑料(如PPA、PCT、LCP等)或热固型塑料(如EMC、SMC、Polyester等)。具体地，金属块110周围由塑料填充，但在上面及下面露出部分金属，使得金属块110镶嵌于绝缘部120。金属块110的正面作为功能区用LED芯片固晶载台，两金属块上各有一颗发光二极管芯片，两芯片藉由金(或银、铜、铝线)彼此或与两金属相连以达到电性导通的目的，两芯片可进行串连或并连。请再次参看图1，以参考平面C为界，按垂直方向将金属块110划分为上、下部110a、110b，两者的形状不一样。具体的，在靠近电性绝缘区130的区域，金属块上部IlOa横向突出于下部IlOb ；在靠近基板边缘的区域，金属块下部IlOb横向突出于上部110a，如此金属块110与绝缘部120在垂直方向上构成卡扣。请参看图3，各个金属块110具有三个突出连接部111、112和113，其延伸至基板的边缘，各个突出连接部位于金属块的下部IIOb(在一些实施例中，突出连接部亦可位于金属块的上部)。封装胶300覆盖在芯片除底部以外的五面、金属块正面的部分面积及塑料。封装胶内可含有荧光粉用于转换波长。封装胶的厚本文档来自技高网...

【技术保护点】
发光二极管封装体，包括：基板，具有正、反两个平整的表面，至少由两金属块和绝缘部构成，其中金属块镶嵌于绝缘部并露出部分上、下表面，各个金属块之间具有电性绝缘区；发光二极管芯片，位于所述基板的金属块之上，并与所述其中至少两金属块形成电性连接；封装胶，覆盖在所述发光二极管芯片的表面上，同时覆盖部分基板；所述金属块具有突出连接部，其延伸至基板的边缘。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡培崧，时军朋，梁兴华，赵志伟，徐宸科，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35