发光二极管封装结构及其制造方法技术

一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：提供共晶焊接设备，提供电阻测量仪，该电阻测量仪包括电阻探针、恒流电源及配套电脑；提供发光二极管芯片，该发光二极管芯片的顶部及底部两侧分别设有电极；提供基板；发光二极管芯片与基板的顶面贴合；发光二极管芯片与基板之间发生共晶焊接过程；电阻测量仪的电阻探针与该发光二极管芯片的电极接合并测量光二极管芯片与基板的电阻值，当测得的电阻值与预设的电阻值一致时，所述共晶焊接设备完成对发光二极管芯片与基板之间的共晶焊接过程。与现有技术相比，本发明专利技术的制造方法能够实时检测发光二极管芯片与基板共晶焊接的效果。本发明专利技术还提供一种发光二极管封装结构。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：提供共晶焊接设备，提供电阻测量仪，该电阻测量仪包括电阻探针、恒流电源及配套电脑；提供发光二极管芯片，该发光二极管芯片的顶部及底部两侧分别设有电极；提供基板；发光二极管芯片与基板的顶面贴合；发光二极管芯片与基板之间发生共晶焊接过程；电阻测量仪的电阻探针与该发光二极管芯片的电极接合并测量光二极管芯片与基板的电阻值，当测得的电阻值与预设的电阻值一致时，所述共晶焊接设备完成对发光二极管芯片与基板之间的共晶焊接过程。与现有技术相比，本专利技术的制造方法能够实时检测发光二极管芯片与基板共晶焊接的效果。本专利技术还提供一种发光二极管封装结构。【专利说明】
本专利技术涉及一种发光二极管，尤其涉及一种。
技术介绍
传统的发光二极管封装结构，通常将发光二极管芯片封装后粘着于一金属基板上。同时，为了能够将封装后的发光二极管芯片固定于该基板上，发光二极管芯片与基板之间通常会经由银胶等粘结材料粘接。因此，在该发光二极管封装结构中，发光二极管芯片与基板间的界面层较多，导致发光二极管芯片产生的热量不能快速、及时地散发掉，进而影响其生命周期及发光效率。现有的发光二极管封装结构通过将发光二极管芯片共晶焊接于基板上，从而有效地减小了发光二极管芯片与基板之间的界面层，使发光二极管芯片产生的热量能够直接经由具有导热效率较高的金属共晶层及基板传导出去。共晶工艺中首先通过在发光二极管芯片的底面、基板的顶面上镀有金属层，发光二极管芯片由一真空吸嘴把持住并压置于基板的顶面上，再通过在特定温度下烘烤进行共晶焊接(eutectic bonding)而形成金属共晶层。然而,在特定温度下烘烤的时间通常是一定的，只有在烘烤完成后才能对产品进行检测，无法对共晶焊接的过程进行实时监控，效率较低。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种较佳的，该发光二极管封装结构的制造方法中可以实时检测发光二极管芯片与基板共晶焊接的效果。一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤:步骤一，提供共晶焊接设备，该共晶焊接设备包括烘烤装置、设置于烘烤装置内的支撑台及吸嘴，提供电阻测量仪，该电阻测量仪包括电阻探针、恒流电源及配套电脑，其中所述电阻探针容置于所述吸嘴内；步骤二，提供发光二极管芯片，该发光二极管芯片的顶部及底部两侧分别设有电极；步骤三，提供基板承载于共晶焊接设备的支撑台上；步骤四，通过吸嘴吸取并携带发光二极管芯片至与基板的顶面紧密贴合；步骤五，所述烘烤装置对发光二极管芯片及基板进行烘烤使得该发光二极管芯片与基板之间发生共晶焊接过程；步骤六，所述电阻测量仪的电阻探针与该发光二极管芯片的电极接合，使得电阻测量仪与发光二极管芯片及基板电导通并测量光二极管芯片与基板的电阻值，所述电阻测量仪的配套电脑实时记录所测得的电阻值，当该测得的电阻值与预设的电阻值一致时，所述共晶焊接设备完成对发光二极管芯片与基板之间的共晶焊接过程。一种由所述发光二极管封装结构的制造方法所制造的发光二极管封装结构，该发光二极管封装结构包括基板、设置于基板上的发光二极管芯片及形成于发光二极管芯片与基板之间的共晶金属层。与现有技术相比，本专利技术的发光二极管封装结构的制造方法中利用共晶焊接设备将发光二极管芯片通过共晶焊接方式结合于基板上，从而有效地减小了发光二极管芯片与基板之间的界面层，使发光二极管芯片产生的热量能够直接经由具有导热效率较高的基板传导出去，提高了发光二极管封装结构的散热效率。同时，在共晶焊接过程中，利用所述电阻测量仪的电阻探针测量所述发光二极管芯片与基板二者的电阻值，当测得的电阻值与预设的电阻值一致时，所述共晶焊接设备完成对发光二极管芯片与基板之间的共晶焊接过程，从而实现实时检测发光二极管芯片与基板共晶焊接的效果。下面参照附图，结合实施例对本专利技术作进一步描述。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术一实施例的发光二极管封装结构的制造方法的流程图。图2是图1中所示发光二极管封装结构的制造方法的步骤S104中元件示意图。图3是图1中所示发光二极管封装结构的制造方法的步骤S106中元件示意图。图4是图1中所示发光二极管封装结构的制造方法中发光二极管芯片与基板之间贴合度与电阻值的关系示意图。图5是图1中所示发光二极管封装结构的制造方法所制造的发光二极管封装结构的示意图。主要元件符号说明【权利要求】1.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤: 步骤一，提供共晶焊接设备，该共晶焊接设备包括烘烤装置、设置于烘烤装置内的支撑台及吸嘴，提供电阻测量仪，该电阻测量仪包括电阻探针、恒流电源及配套电脑，其中所述电阻探针容置于所述吸嘴内； 步骤二，提供发光二极管芯片，该发光二极管芯片的顶部及底部两侧分别设有电极； 步骤三，提供基板承载于共晶焊接设备的支撑台上； 步骤四，通过吸嘴吸取并携带发光二极管芯片至与基板的顶面紧密贴合； 步骤五，所述烘烤装置对发光二极管芯片及基板进行烘烤使得该发光二极管芯片与基板之间发生共晶焊接过程； 步骤六，所述电阻测量仪的电阻探针与该发光二极管芯片的电极接合，使得电阻测量仪与发光二极管芯片及基板电导通并测量光二极管芯片与基板的电阻值，所述电阻测量仪的配套电脑实时记录所测得的电阻值，当该测得的电阻值与预设的电阻值一致时，所述共晶焊接设备完成对发光二极管芯片与基板之间的共晶焊接过程。2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于:所述发光二极管芯片的底面上进一步镀有第一金属层。3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于:所述第一金属层的材质是Au、Sn、In、Al、Ag、B1、Be、Cu或其合金。4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于:所述基板的顶面上进一步镀有第二金属层。5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于:所述第二金属层的材质是Au、Sn、In、Al、Ag、B1、Be、Cu或其合金。6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于:所述支撑台固定于一传送带上，以实现流水线作业。7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于:所述电阻探针上加设有自动传感装置，当电阻探针接近发光二极管芯片时实行自动减速。8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于:所述电阻探针的材质为碳化鹤、钢或合金。9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于:所述基板的材质为娃、招或铜。10.一种发光二极管封装结构，该发光二极管封装结构包括基板、设置于基板上的发光二极管芯片及形成于发光二极管芯片与基板之间的共晶金属层，其特征在于:所述发光二极管封装结构由如权利要求1-9中任一项所述的发光二极管封装结构的制造方法所制造。【文档编号】H01L21/66GK103904190SQ201210572550【公开日】2014年7月2日 申请日期:2012年12月26日 优先权日:2012年12月26日 【专利技术者】赖志成 申请人:鸿富锦精密工业（深圳）有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：步骤一，提供共晶焊接设备，该共晶焊接设备包括烘烤装置、设置于烘烤装置内的支撑台及吸嘴，提供电阻测量仪，该电阻测量仪包括电阻探针、恒流电源及配套电脑，其中所述电阻探针容置于所述吸嘴内；步骤二，提供发光二极管芯片，该发光二极管芯片的顶部及底部两侧分别设有电极；步骤三，提供基板承载于共晶焊接设备的支撑台上；步骤四，通过吸嘴吸取并携带发光二极管芯片至与基板的顶面紧密贴合；步骤五，所述烘烤装置对发光二极管芯片及基板进行烘烤使得该发光二极管芯片与基板之间发生共晶焊接过程；步骤六，所述电阻测量仪的电阻探针与该发光二极管芯片的电极接合，使得电阻测量仪与发光二极管芯片及基板电导通并测量光二极管芯片与基板的电阻值，所述电阻测量仪的配套电脑实时记录所测得的电阻值，当该测得的电阻值与预设的电阻值一致时，所述共晶焊接设备完成对发光二极管芯片与基板之间的共晶焊接过程。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赖志成，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44