隆起源极/漏极MOS晶体管及借助植入间隔件及外延间隔件形成所述晶体管的方法技术

本发明专利技术涉及一种隆起源极/漏极MOS晶体管及一种借助植入间隔件及外延间隔件形成所述晶体管的方法。以以下工艺来形成隆起源极/漏极MOS晶体管(400、540、600、740、800、940、1000、1140)：在植入半导体区以形成所述晶体管(400、540、600、740、800、940、1000、1140)的重掺杂源极区(420H、510、720、820H、920、1110)及重掺杂漏极区(422H、512、722、822H、922、1112)时，利用第一侧壁间隔件(508、610/708/716、432/914、708)；及在外延生长所述晶体管(400、540、600、740、800、940、1000、1140)的隆起源极区(420E、520、710、820E、910、1120)及隆起漏极区(422E、522、712、822E、912、1122)时，利用第二不同侧壁间隔件(432/514、708、508、1010/708/1116)。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体结构，其包括：半导体区，其具有导电类型；源极，其具有与所述半导体区的所述导电类型相反的导电类型，且包含触及所述半导体区的轻掺杂源极区、触及所述轻掺杂源极区的重掺杂源极区及触及所述重掺杂源极区的隆起源极区，所述重掺杂源极区具有宽度，所述隆起源极区具有宽度，所述隆起源极区的所述宽度大于所述重掺杂源极区的所述宽度；漏极，其具有与所述半导体区的所述导电类型相反的导电类型，且包含触及所述半导体区的轻掺杂漏极区、触及所述轻掺杂漏极区的重掺杂漏极区及触及所述重掺杂漏极区的隆起漏极区；所述半导体区的沟道区，其横向位于所述源极与所述漏极之间；栅极电介质，其触及所述沟道区且位于所述沟道区上方；及栅极，其触及所述栅极电介质且位于所述栅极电介质上方。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：森秋·宋，詹姆士·W·布兰契佛德，林关勇，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US