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具有分布式热反馈的晶体管和包括晶体管的电子熔丝电路制造技术

技术编号:41176338 阅读:4 留言:0更新日期:2024-05-07 22:12
本申请的实施例涉及一种具有分布式热反馈的晶体管和一种包括晶体管的电子熔丝电路。一种功率晶体管包含环境温度输入、本地温度传感器(406)、晶体管单元阵列(102)和热反馈电路(401)。所述环境温度输入被配置成接收表示所述功率晶体管的环境温度的环境温度信号(112)。所述晶体管单元阵列(102)具有控制输入。所述本地温度传感器被配置成提供表示所述晶体管单元阵列(102)的温度的本地温度信号(108)。所述热反馈电路(401)耦合到所述环境温度输入、所述本地温度传感器和所述控制输入。所述热反馈电路(401)被配置成基于所述环境温度信号(112)与所述本地温度信号(108)之间的差来调制提供于所述控制输入处的控制信号(110)。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电子电路。


技术介绍

1、功率开关为用于控制电气系统中相对较大电流的电子装置。功率金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)为一种类型的功率开关。功率mosfet通过并联连接管芯上的大量mosfet单元来减小导通电阻,从而提供高效电流开关。功率mosfet用于在广泛多种应用中提供电流开关。例如,功率mosfet可用于开关电源、dc-dc转换器、低压电机控制器和其它功率开关应用中的电流。


技术实现思路

1、在一个实例中,一种功率晶体管包含环境温度输入、本地温度传感器、晶体管单元阵列和热反馈电路。晶体管单元阵列具有控制输入。本地温度传感器热耦合到晶体管阵列。本地温度传感器具有本地温度输出。热反馈电路包含第一输入、第二输入和输出。第一输入耦合到环境温度输入。第二输入耦合到本地温度输出。热反馈电路的输出耦合到晶体管单元阵列的控制输入。

2、在另一实例中,一种功率晶体管包含环境温度输入、本地温度传感器、晶体管单元阵列和热反馈电路。环境温度输入被配置成接收表示功率晶体管的环境温度的环境温度信号。晶体管单元阵列具有控制输入。本地温度传感器被配置成提供表示晶体管单元阵列的温度的本地温度信号。热反馈电路耦合到环境温度输入、本地温度传感器和控制输入。热反馈电路被配置成基于环境温度信号与本地温度信号之间的差来调制提供于控制输入处的控制信号。

3、在另一实例中,一种电子熔丝电路包含功率输入端子、功率输出端子、环境温度传感器和功率晶体管。环境温度传感器被配置成提供表示电子熔丝电路的环境温度的环境温度信号。功率晶体管耦合在功率输入端子与功率输出端子之间。功率晶体管包含本地温度传感器、晶体管单元阵列和热反馈电路。晶体管单元阵列具有控制输入。本地温度传感器被配置成提供表示晶体管单元阵列的温度的本地温度信号。热反馈电路耦合到环境温度传感器、本地温度传感器和控制输入。热反馈电路被配置成在控制输入处提供控制信号,且基于本地温度信号与环境温度信号之间的差来调制控制信号。

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【技术保护点】

1.一种功率晶体管,其包括:

2.根据权利要求1所述的功率晶体管,其中:

3.根据权利要求1所述的功率晶体管,其中所述热反馈电路包含:

4.根据权利要求3所述的功率晶体管,其中:

5.根据权利要求3所述的功率晶体管,其中:

6.根据权利要求5所述的功率晶体管,其中:

7.根据权利要求6所述的功率晶体管,其中:

8.根据权利要求1所述的功率晶体管,其进一步包括耦合到所述环境温度输入的环境温度传感器。

9.一种功率晶体管,其包括:

10.根据权利要求9所述的功率晶体管,其中:

11.根据权利要求9所述的功率晶体管,其中所述热反馈电路包含耦合到所述环境温度输入的环境温度电流源,所述环境温度电流源被配置成提供表示所述功率晶体管的所述环境温度的环境温度电流。

12.根据权利要求11所述的功率晶体管,其中所述环境温度电流源包含:

13.根据权利要求11所述的功率晶体管,其中所述热反馈电路包含耦合到所述本地温度传感器的本地温度电流源,所述本地温度电流源被配置成提供表示所述晶体管单元阵列的所述温度的本地温度电流。

14.根据权利要求13所述的功率晶体管,其中所述本地温度电流源包含:

15.根据权利要求13所述的功率晶体管,其中所述热反馈电路包含电阻器,所述电阻器具有耦合到所述环境温度电流源和所述本地温度电流源的第一端子,所述电阻器被配置成传导表示所述功率晶体管的所述环境温度与所述晶体管单元阵列的所述温度之间的差的电流。

16.根据权利要求15所述的功率晶体管,其中:

17.根据权利要求9所述的功率晶体管,其进一步包括耦合到所述环境温度输入的环境温度传感器,所述环境温度传感器被配置成感测所述功率晶体管的所述环境温度并提供所述环境温度信号。

18.一种电子熔丝电路,其包括:

19.根据权利要求18所述的电子熔丝电路,其中:

20.根据权利要求18所述的电子熔丝电路,其中所述热反馈电路包含:

21.根据权利要求20所述的电子熔丝电路,其中所述热反馈电路包含电阻器,所述电阻器具有:

22.根据权利要求21所述的电子熔丝电路,其中所述电阻器的所述第二端子耦合到所述晶体管单元阵列的所述控制输入。

...

【技术特征摘要】

1.一种功率晶体管,其包括:

2.根据权利要求1所述的功率晶体管,其中:

3.根据权利要求1所述的功率晶体管,其中所述热反馈电路包含:

4.根据权利要求3所述的功率晶体管,其中:

5.根据权利要求3所述的功率晶体管,其中:

6.根据权利要求5所述的功率晶体管,其中:

7.根据权利要求6所述的功率晶体管,其中:

8.根据权利要求1所述的功率晶体管,其进一步包括耦合到所述环境温度输入的环境温度传感器。

9.一种功率晶体管,其包括:

10.根据权利要求9所述的功率晶体管,其中:

11.根据权利要求9所述的功率晶体管,其中所述热反馈电路包含耦合到所述环境温度输入的环境温度电流源,所述环境温度电流源被配置成提供表示所述功率晶体管的所述环境温度的环境温度电流。

12.根据权利要求11所述的功率晶体管,其中所述环境温度电流源包含:

13.根据权利要求11所述的功率晶体管,其中所述热反馈电路包含耦合到所述本地温度传感器的本地温度电流源,所述本地温度电流源被配置成提供表示所述晶体管单元阵...

【专利技术属性】
技术研发人员:安科尔·查乌汉O·拉扎罗K·默西A·布兰科H·爱德华兹
申请(专利权)人:德州仪器公司
类型:发明
国别省市:

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