阵列基板和触摸屏制造技术

本实用新型专利技术公开了一种阵列基板和触摸屏。该阵列基板包括：衬底基板，所述衬底基板上形成有栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定出像素单元，所述像素单元包括：显示薄膜晶体管和像素电极，所述衬底基板上还形成有扫描线、接收线和触摸电极，部分或者全部所述像素单元还包括：与所述触摸电极连接的触摸薄膜晶体管，所述触摸薄膜晶体管与所述扫描线和所述接收线连接。本实用新型专利技术中，触摸薄膜晶体管形成于像素单元中，实现了将显示薄膜晶体管和触摸薄膜晶体管同时设置于像素单元中，无需占用阵列基板上像素单元之外的空间，从而简化了阵列基板的结构。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种阵列基板和触摸屏。该阵列基板包括：衬底基板，所述衬底基板上形成有栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定出像素单元，所述像素单元包括：显示薄膜晶体管和像素电极，所述衬底基板上还形成有扫描线、接收线和触摸电极，部分或者全部所述像素单元还包括：与所述触摸电极连接的触摸薄膜晶体管，所述触摸薄膜晶体管与所述扫描线和所述接收线连接。本技术中，触摸薄膜晶体管形成于像素单元中，实现了将显示薄膜晶体管和触摸薄膜晶体管同时设置于像素单元中，无需占用阵列基板上像素单元之外的空间，从而简化了阵列基板的结构。【专利说明】阵列基板和触摸屏
本技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板和触摸屏。
技术介绍
触摸屏按照组成结构可以分为:外挂式触摸屏(Add on Mode Touch Panel)、覆盖表面式触摸屏(On Cell Touch Panel)以及内嵌式触摸屏(In Cell Touch Panel)。其中，内嵌式触摸屏是将触摸屏的触摸电极内嵌在液晶显示面板的内部而形成的触摸屏。阵列基板是触摸屏的重要部件。现有技术中，阵列基板可包括:衬底基板和形成于衬底基板之上的栅线和数据线，栅线和数据线限定像素单元，像素单元内形成有显示薄膜晶体管和像素电极，衬底基板上还形成有触摸电极和触摸薄膜晶体管，显示薄膜晶体管和触摸薄膜晶体管均采用底栅型结构，且触摸薄膜晶体管形成于像素单元之外。现有技术中，将显示薄膜晶体管和触摸薄膜晶体管分离设置，触摸薄膜晶体管单独形成于像素单元之外，需要占用阵列基板上像素单元之外的空间，从而使得阵列基板结构复杂。
技术实现思路
本技术提供一种阵列基板和触摸屏，用于简化阵列基板的结构。为实现上述目的，本技术提供了一种阵列基板，包括:衬底基板，所述衬底基板上形成有栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定出像素单元，所述像素单元包括:显示薄膜晶体管和像素电极，所述衬底基板上还形成有扫描线、接收线和触摸电极，部分或者全部所述像素单元还包括:与所述触摸电极连接的触摸薄膜晶体管，所述触摸薄膜晶体管与所述扫描线和所述接收线连接。可选地，所述触摸薄膜晶体管的栅极与所述扫描线连接，所述触摸薄膜晶体管的源极与所述触摸电极连接，所述触摸薄膜晶体管的漏极与所述接收线连接。可选地，所述触摸电极与所述像素电极同层设置，所述触摸电极呈纵横交叉设置。可选地，所述触摸薄膜晶体管的栅极与所述扫描线同层设置，所述触摸薄膜晶体管的栅极和所述扫描线位于所述数据线的上方，所述触摸薄膜晶体管的源极、所述触摸薄膜晶体管的漏极和所述接收线与所述数据线同层设置。可选地，还包括:与所述栅线同层设置的第一遮挡图形以及与所述扫描线同层设置的第二遮挡图形；所述触摸薄膜晶体管的栅极位于所述第一遮挡图形的上方，所述第二遮挡图形位于所述显示薄膜晶体管的栅极的上方。可选地，所述触摸薄膜晶体管的栅极与所述第一遮挡图形部分或者全部重合，所述第二遮挡图形与所述显示薄膜晶体管的栅极部分或者全部重合。可选地，还包括:公共电极，所述像素电极和所述公共电极之间形成有第一存储电容和第一液晶电容，所述触摸电极与所述公共电极之间形成有第二存储电容和第二液晶电容。为实现上述目的，本技术提供了一种触摸屏，包括:相对设置的彩膜基板和上述阵列基板，所述彩膜基板和所述阵列基板之间设置有液晶层。本技术具有以下有益效果:本技术提供的阵列基板和触摸屏的技术方案中，像素单元中包括显示薄膜晶体管且部分或者全部像素单元中包括触摸薄膜晶体管，触摸薄膜晶体管形成于像素单元中，实现了将显示薄膜晶体管和触摸薄膜晶体管同时设置于像素单元中，无需占用阵列基板上像素单元之外的空间，从而简化了阵列基板的结构。【专利附图】【附图说明】图1为本技术实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图；图2为图1中显示薄膜晶体管的栅极层的结构示意图；图3为图1中触摸薄膜晶体管的栅极层的结构示意图；图4为图1中显示薄膜晶体管的栅极层和触摸薄膜晶体管的栅极层的位置关系图；图5为图1中阵列基板的等效电路不意图；图6为栅线和扫描线的信号时序图；图7为本技术实施例三提供的一种阵列基板的制造方法的流程图。【具体实施方式】为使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图对本技术提供的阵列基板及其制造方法和触摸屏进行详细描述。图1为本技术实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图，如图1所示，该阵列基板包括:衬底基板，衬底基板上形成有栅线和数据线，栅线和数据线限定出像素单元1，像素单元I包括:显示薄膜晶体管Tl和像素电极2，衬底基板上还形成有扫描线、接收线和触摸电极3，部分或者全部像素单元I还包括:与触摸电极3连接的触摸薄膜晶体管T2，触摸薄膜晶体管T2与扫描线和接收线连接，触摸薄膜晶体管T2为顶栅型薄膜晶体管。其中，衬底基板在图中未具体画出。本实施例中，每个像素单元I中可包括触摸薄膜晶体管T2。或者部分像素单元I中可包括触摸薄膜晶体管T2，优选地，一个像素中可包括一个触摸薄膜晶体管T2，一个像素可包括多个像素单元1，则触摸薄膜晶体管可设置于一个像素中的任意一个像素单元I中。需要说明的是:图1中仅画出了一个触摸薄膜晶体管T2以及与其连接的一个扫描线和接收线作为示例，但本领域技术人员应当清楚在实际应用中触摸薄膜晶体管T2以及与其连接的扫描线和接收线的数量不限于此。本实施例中，触摸薄膜晶体管T2为顶栅型薄膜晶体管。触摸薄膜晶体管T2包括:栅极、有源层、源极和漏极。触摸薄膜晶体管T2的栅极与扫描线连接，触摸薄膜晶体管T2的源极与触摸电极3连接，触摸薄膜晶体管T2的漏极与接收线连接。优选地，触摸电极3与像素电极2同层设置，且触摸电极3呈纵横交叉设置。触摸薄膜晶体管T2的栅极与扫描线同层设置，触摸薄膜晶体管T2的栅极和扫描线位于数据线的上方，触摸薄膜晶体管T2的源极、触摸薄膜晶体管T2的漏极和接收线与数据线同层设置。触摸薄膜晶体管Τ2的源极和漏极位于触摸薄膜晶体管Τ2的有源层上。本实施例中，显示薄膜晶体管Tl为底栅型薄膜晶体管。显示薄膜晶体管Tl包括:栅极、有源层、源极和漏极。显示薄膜晶体管Tl的栅极位于衬底基板上且与栅线同层设置；显示薄膜晶体管Tl的栅极和栅线上形成有栅绝缘层；显示薄膜晶体管Tl的有源层形成于栅绝缘层之上，触摸薄膜晶体管Τ2的有源层与显示薄膜晶体管Tl的有源层同层设置；显示薄膜晶体管Tl的源极和漏极形成于有源层之上，数据线位于栅绝缘层上且数据线与显示薄膜晶体管Tl的源极和漏极同层设置，显示薄膜晶体管Tl的源极与数据线连接；数据线和显示薄膜晶体管Tl的源极和漏极之上形成有第一钝化层；第一钝化层上形成有触摸薄膜晶体管Τ2的栅极与扫描线；触摸薄膜晶体管Τ2的栅极与扫描线上形成有第二钝化层;第二钝化层上形成有像素电极2，像素电极2通过设置于第一钝化层和第二钝化层上的第一过孔与显示薄膜晶体管Tl的漏极连接，触摸电极3通过设置于第一钝化层和第二钝化层上的第二过孔与触摸薄膜晶体管Τ2的漏极连接。图2为图1中显示薄膜晶体管的栅极层的结构示意图，如图2所示，该阵列基板还包括:与栅线同层设置的第一遮挡图形4。显示薄膜晶体管Tl的栅极5和栅线连接，且显示薄膜晶体管Tl的栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：衬底基板，所述衬底基板上形成有栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定出像素单元，所述像素单元包括：显示薄膜晶体管和像素电极，其特征在于，所述衬底基板上还形成有扫描线、接收线和触摸电极，部分或者全部所述像素单元还包括：与所述触摸电极连接的触摸薄膜晶体管，所述触摸薄膜晶体管与所述扫描线和所述接收线连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：木素真，胡明，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34