封装片制造技术

本发明专利技术提供一种封装片，其为用于封装光半导体元件的封装片，所述封装片具备埋设层，其用于埋设光半导体元件；被覆层，其相对于埋设层配置于厚度方向的一侧；以及，用于抑制被覆层所含的成分转移至埋设层的阻隔层，其夹设于埋设层与被覆层之间，厚度为50μm以上且1000μm以下。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种封装片，其为用于封装光半导体元件的封装片，所述封装片具备埋设层，其用于埋设光半导体元件；被覆层，其相对于埋设层配置于厚度方向的一侧；以及，用于抑制被覆层所含的成分转移至埋设层的阻隔层，其夹设于埋设层与被覆层之间，厚度为50μm以上且1000μm以下。【专利说明】封装片
本专利技术涉及封装片，详细而言，涉及用于光学用途的封装片。
技术介绍
目前，作为能够发出高能量的光的发光装置，已知有白色发光装置(光半导体装置)。例如提出了一种光半导体装置，其可以如下获得:在凹型模具的底部依次装载由有机硅弹性体成形而成的波长转换层以及厚度为35 μ m的由玻璃制成的无机高热传导层，其后，填充其他有机硅弹性体，形成封装树脂层，在它们之上，以封装树脂层与蓝色LED芯片相对的方式装载安装有蓝色LED芯片的基板，通过加热对它们进行封装加工，然后进行脱模，由此得到光半导体装置(例如参见日本特开2012-129361号公报)。
技术实现思路
然而，在日本特开2012-129361号公报的由波长转换层、无机高热传导层以及封装树脂层组成的层叠体中，通过将有机硅弹性体填充到凹型模具中来形成封装树脂层，然后在该封装树脂层上个别埋设蓝色LED芯片，因此有无法充分实现提高光半导体装置的制造效率的问题。此外，在上述层叠体中，若已经成形了的波长转换层中所含的催化剂成分向仍未成形(即加热)的封装树脂层转移，则封装树脂层在与蓝色LED芯片接触前容易固化，因此变得难以确实地在这种封装树脂层中埋设蓝色LED芯片。因此，在层叠体中，要求抑制上述转移。此外，对于层叠体还要求优异的强度。然而，在日本特开2012-129361号公报的层叠体中，无机高热传导层在抑制上述转移方面不充分，进而层叠体的强度也不充分，因此会有无法得到可靠性优异的光半导体装置的问题。本专利技术的目的在于提供不仅抑制被覆层所含的成分向埋设层转移、而且强度也优异、还可以高效地制造光半导体装置的封装片。本专利技术的封装片的特征在于，其为用于封装光半导体元件的封装片，所述封装片具备:埋设层，其用于埋设前述光半导体元件；被覆层，其相对于前述埋设层设置于厚度方向的一侧；以及，用于抑制前述被覆层所含的成分转移至前述埋设层的阻隔层，其夹设于前述埋设层与前述被覆层之间，厚度为50 μ m以上且IOOOym以下。通过该封装片封装光半导体元件时，能够将光半导体元件集中在一起封装，因此可以高效地制造光半导体装置。此外，该封装片具备用于抑制被覆层所含的成分转移至埋设层的、厚度为50 μ m以上且1000 μ m以下的阻隔层，因此能够抑制被覆层所含的成分转移至埋设层，并抑制埋设光半导体元件前的埋设层的固化。因此，通过该固化前的埋设层能够确实地埋设光半导体元件，其后，若将埋设层固化，则能够确实地封装光半导体元件。因此，能够得到尺寸稳定性优异的光半导体装置。并且，在该封装片中，阻隔层的厚度为50 μ m以上且1000 μ m以下，因此能够确保优异的强度并实现薄型化。因此，若通过该封装片封装光半导体元件，则可以在薄型的同时提高光半导体装置的强度和可靠性。此外，在本专利技术的封装片中，适宜的是，前述埋设层由B阶的热固化性树脂形成，前述被覆层由C阶的热固化性树脂形成。在该封装片中，由于埋设层由B阶的热固化性树脂形成，因此可以利用柔软的埋设层可靠地埋设光半导体元件。此外，由于被覆层由C阶的热固化性树脂形成，因此可以更进一步提闻封装片的强度。此外，在本专利技术的封装片中，前述阻隔层的厚度相对于前述埋设层的厚度之比为0.10以上且1.00以下是适宜的。在该封装片中，由于阻隔层的厚度相对于前述埋设层的厚度之比为0.10以上且1.00以下，因此能够在提高阻隔性的同时提高封装片的强度，并在实现封装片的薄型化的同时确实地埋设光半导体元件。【专利附图】【附图说明】图1是示出本专利技术的封装片的一个实施方式的剖面图。图2是通过图1的封装片封装光半导体元件，从而制造光半导体装置的方法的工序图，图2的(a)示出准备封装片和基板的工序，图2的(b)示出通过封装片封装光半导体元件的工序。【具体实施方式】在图1中，将纸面上下方向作为上下方向(厚度方向、第I方向)、将纸面左右方向作为左右方向(第2方向)、将纸厚方向作为纵深方向(第3方向)，图2以上述方向和图1的方向箭头为基准。在图1中，该封装片I是用于封装后述的光半导体元件5 (参见图2)的封装片，并形成为沿面方向(与厚度方向垂直的方向，即左右方向和前后方向)延展的大致矩形平板形状。封装片I具备埋设层2、在埋设层2上(厚度方向的一侧)隔着间隔设置的被覆层3、和夹设于埋设层2与被覆层3之间的阻隔层4。即，在封装片中，阻隔层4的下方设置有埋设层2，阻隔层4的上方设置有被覆层3。埋设层2是用于埋设光半导体元件5 (参见图2)的层，由树脂形成为大致薄片形状。此外，埋设层2设置于封装片I的最下侧。树脂例如由封装树脂组合物等形成，这样的封装树脂组合物包含用于埋设及封装光半导体元件5 (后述，参见图2的(b))的公知的透明性树脂，作为透明性树脂，可列举出:例如有机硅树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂等热固化性树脂；例如丙烯酸树脂、苯乙烯树脂、聚碳酸酯树脂、聚烯烃树脂等热塑性树脂等。这种透明性树脂可以单独使用，或者也可以组合使用。此外，在这种透明性树脂中，可优选列举出热固化性树脂，从耐久性、耐热性及耐光性的观点出发，可进一步优选列举出有机硅树脂。在这种封装树脂组合物中，可优选例举出含有有机硅树脂的树脂组合物(以下称为有机娃树脂组合物。)。作为有机硅树脂组合物，可列举出例如缩合?加成反应固化型有机硅树脂组合物、含杂原子的改性有机硅树脂组合物、加成反应固化型有机硅树脂组合物、含无机氧化物的有机娃树脂组合物等。在这种有机硅树脂组合物中，从埋设层2的固化前的柔软性以及固化后的强度的观点出发，可优选列举出缩合.加成反应固化型有机硅树脂组合物。缩合.加成反应固化型有机硅树脂组合物是能够进行缩合反应(具体而言为硅醇缩合反应)及加成反应(具体而言为氢化硅烷化反应)的有机娃树脂组合物，更具体而言，是能够通过加热进行缩合反应而形成半固化状态(B阶状态)，然后能够通过进一步的加热进行加成反应而形成固化状态(完全固化，C阶状态)的有机硅树脂组合物。作为缩合反应，可列举出例如硅醇缩合反应；作为加成反应，可列举出例如环氧开环反应及氢化硅烷化反应。需要说明的是，B阶是有机硅树脂组合物处于液状的A阶和完全固化的C阶之间的状态，是固化及凝胶化稍加进行，弹性模量比C阶的弹性模量小的状态。缩合.加成反应固化型有机硅树脂组合物含有例如两末端为硅烷醇基的聚硅氧烷、含有烯属不饱和烃基的硅化合物(以下称为烯系硅化合物。)、含环氧基硅化合物及有机氢硅氧烷。需要说明的是，两末端为硅烷醇基的聚硅氧烷、烯系硅化合物及含环氧基的硅化合物是缩合原料(供于缩合反应的原料)，烯系硅化合物及有机氢硅氧烷是加成原料(供于加成反应的原料)。两末端为硅烷醇基的聚硅氧烷是分子的两末端含有硅烷醇基(SiOH基)的有机娃氧烷具体而言由下述通式(1)表示。通式(1):【权利要求】1.一种封装片，其特征在于， 其为用于封装光半导体元件的封装片，所述封装片具备: 埋设层，其用于埋设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装片，其特征在于，其为用于封装光半导体元件的封装片，所述封装片具备：埋设层，其用于埋设所述光半导体元件；被覆层，其相对于所述埋设层配置于厚度方向的一侧；以及，用于抑制所述被覆层所含的成分转移至所述埋设层的阻隔层，其夹设于所述埋设层与所述被覆层之间，厚度为50μm以上且1000μm以下。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：松田广和，小名春华，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP