【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种MOS晶体管测试电路，其特征在于，包括：测试单元、保护单元和待测试晶体管；所述测试单元用于产生测试使用的直流电压和交流电压，所述测试单元包括控制晶体管和奇数个CMOS反相器，所述CMOS反相器包括PMOS晶体管和NMOS晶体管，所述PMOS晶体管、NMOS晶体管的栅极相连接形成CMOS反相器的输入端，所述PMOS晶体管、NMOS晶体管的漏极相连接形成CMOS反相器的输出端，所述奇数个CMOS反相器的输入端和输出端相连接构成环形振荡器，所述CMOS反相器中PMOS晶体管的源极与第一电压端相连接，所述CMOS反相器中NMOS晶体管的源极与第二电压端相连接；所述控制晶体管的类型与待测试晶体管的类型相同，当所述待测试晶体管为NMOS晶体管时，所述控制晶体管的源极与第一电压端相连接，所述控制晶体管的漏极与环形振荡器的输出端相连接，所述控制晶体管的栅极与第二电压端相连接；当所述待测试晶体管为PMOS晶体管时，所述控制晶体管的源极与第二电压端相连接，所述控制晶体管的漏极与环形振荡器的输出端相连接，所述控制晶体管的栅极与第一电压端相连接；所述保护单元为待测试晶体管发生击穿时对测试电路提供保护，所述...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：冯军宏，甘正浩，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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