制备硫化亚锡纳米片阵列薄膜的方法技术

一种纳米材料制备技术领域的制备硫化亚锡纳米片阵列薄膜的方法，所用的锡源为氯化亚锡，硫源为硫代乙酰胺，螯合剂为三乙醇胺，采用原位溶剂热法制备具有规则的纳米片阵列薄膜。首先将亚锡盐溶于三乙醇胺、丙酮以及柠檬酸钠溶液中，再加入氨水调节PH，加入硫源后，最后混合溶剂体积比为1:1的水/乙二醇加入，得到SnS前体反应液。反应液并加入反应釜，再插入玻璃片，进行溶剂热原位反应，即可得到具有规则的纳米片阵列薄膜。本发明专利技术方法简单，成本低，阵列均一，纳米片厚度为4～8nm，长度约为150～210nm，这为硫化亚锡在太阳能电池、光催化、锂离子电池及超级电容器的应用提供一种有效的方法。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种纳米材料制备
的，所用的锡源为氯化亚锡，硫源为硫代乙酰胺，螯合剂为三乙醇胺，采用原位溶剂热法制备具有规则的纳米片阵列薄膜。首先将亚锡盐溶于三乙醇胺、丙酮以及柠檬酸钠溶液中，再加入氨水调节PH，加入硫源后，最后混合溶剂体积比为1:1的水/乙二醇加入，得到SnS前体反应液。反应液并加入反应釜，再插入玻璃片，进行溶剂热原位反应，即可得到具有规则的纳米片阵列薄膜。本专利技术方法简单，成本低，阵列均一，纳米片厚度为4～8nm，长度约为150～210nm，这为硫化亚锡在太阳能电池、光催化、锂离子电池及超级电容器的应用提供一种有效的方法。【专利说明】
本专利技术涉及的是一种纳米材料制备
的方法，具体是一种。
技术介绍
纳米材料的结构与形貌对于纳米材料的性能和应用具有重要影响，更重要的是纳米材料的均匀分布对于其在能源环境如太阳能电池、光催化、锂离子电池及超级电容器等领域有重要意义，因此纳米材料的控制和合成愈来愈受到重视。硫化亚锡(SnS)是一种正交结构的IV-VI族半导体材料，其光学直接带隙和间接带隙分别为1.2~1.5eV和1.0~1.leV，与太阳辐射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备硫化亚锡纳米片阵列薄膜的方法，其特征在于，将锡源与硫源混合于水/乙二醇混合溶剂中配制出SnS前体化学反应溶液，再将导电基底快速置于盛放SnS前体化学反应溶液的聚四氟乙烯反应釜内并进行原位溶剂热反应，使得厚度为30±5nm，长度为200～300nm的硫化亚锡纳米片阵列薄膜均匀生长于导电基底的表面；所述的原位溶剂热反应是指：将聚四氟乙烯反应釜密封后置于马弗炉中加热至100℃～240℃并反应2h～120h；所述的锡源为氯化亚锡，所述的硫源为硫代乙酰胺。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：毕恩兵，陈汉，韩礼元，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：