【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种纳米材料制备
的，所用的铜源一价铜盐，铟源为氯化铟，硫源为硫粉和硫脲，采用原位溶剂热法制备具有规则的纳米薄膜。将铜源、铟源溶于三乙醇胺、丙酮以及柠檬酸钠溶液中，再加入氨水调节pH，加入摩尔比为2:1硫粉/硫脲的硫源后，再加入水合联氨溶液，最后混合溶剂体积比为1:1的水/乙二醇加入，得到CuInS2前体反应液。将反应液并加入反应釜，再插入玻璃片，进行溶剂热原位反应，即可得到具有规则的纳米片阵列薄膜。本专利技术方法简单，成本低，阵列均一，纳米片厚度为2～8nm，为铜铟硫在太阳能电池、光催化等新能源领域的应用提供一种有效的方法。【专利说明】
本专利技术涉及的是一种纳米材料制备
的方法，具体是一种。
技术介绍
纳米材料的结构与形貌对于纳米材料的性能和应用具有重要影响，更重要的是纳米材料的均匀分布对于其在能源环境如太阳能电池、光催化、锂离子电池及超级电容器等领域有重要意义，因此纳米材料的控制和合成愈来愈受到重视。CuInS2广泛应用于太阳能电池和光催化中，主要原是直接带隙半导体，这可减少对少数载流子扩散的要求，并且禁带宽度为1.5...
【技术保护点】
一种类石墨烯结构铜铟硫纳米片阵列薄膜的制备方法，其特征在于，首先将铜源和铟源混合，然后加入硫源并溶于水/乙二醇混合溶剂中配制出化学反应溶液，然后将导电基底快速置于盛放化学反应液的聚四氟乙烯反应釜内并进行原位溶剂热反应，使得厚度为2～8nm的类石墨烯结构铜铟硫纳米片阵列薄膜均匀生长于导电基底的表面；所述的原位溶剂热反应是指：将聚四氟乙烯反应釜密封后置于马弗炉中加热至100℃～240℃并反应2h～120h；所述的铜源为一价铜盐；所述的铟源为氯化铟；所述的硫源为硫粉和硫脲。
【技术特征摘要】
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