一种带有氮化硅涂层的石英坩埚的制备方法及一种多晶硅铸锭的方法技术

技术编号:9862016 阅读:196 留言:0更新日期:2014-04-02 20:07
本发明专利技术提供了一种带有氮化硅涂层的石英坩埚的制备方法,该方法将氮化硅浆料喷涂于石英坩埚内的底部和侧壁,然后进行烘干,得到带有氮化硅涂层的石英坩埚。本发明专利技术提供了一种多晶硅铸锭的方法,该方法向上述制备方法得到的带有氮化硅涂层的石英坩埚装填多晶硅料,依次经过熔化、长晶和退火,得到多晶硅锭。本发明专利技术采用带有氮化硅涂层的石英坩埚进行多晶硅铸锭,能提高多晶硅的品质。同时,本发明专利技术仅对石英坩埚做喷涂氮化硅浆料、烘干等简单的预处理,无需烧结即可得到带有氮化硅涂层的坩埚或者即可按照正常铸锭工艺投炉运行,操作简便,耗能较低、耗时较少、设备损耗较少,提高了生产效率,降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能多晶硅
,特别涉及。
技术介绍
随着全球范围内煤炭和石油等不可再生能源的供应等频频告急,能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈,而作为一种可再生的新能源,太阳能越来越受到人们的关注,开发太阳能资源已成为寻求经济发展的新动力之一。近年来,利用太阳能的太阳能电池产业飞速发展,从而带动对多晶硅锭或硅片的需求也大大增加,因此,对多晶硅锭或硅片生产的相关研究具有重要意义。传统方法进行多晶硅铸锭时直接采用的是石英坩埚,在硅料熔化、长晶的过程中,硅熔体和石英坩埚长时间地接触,会产生粘滞作用;而且由于多晶硅和石英坩埚的热膨胀系数不同,在硅锭冷却时,很有可能造成硅锭或坩埚的破裂而影响生产和应用。同时,硅熔体和石英坩埚会发生反应,从而造成石英坩埚的腐蚀,也使得硅锭中氧浓度升高,导致影响多晶硅的品质,不利于其应用,如影响太阳能电池的转化效率等。为了解决上述技术问题,目前进行多晶硅铸锭的方法具体包括以下步骤:首先在石英坩埚的底部和侧壁喷涂氮化硅浆料,然后将喷涂浆料的坩埚在1050°C左右烧结,烧结完成后,向烧结好的坩埚内装填多晶硅料,再依次经过熔化、长晶和退火,出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带有氮化硅涂层的石英坩埚的制备方法,包括以下步骤:将氮化硅浆料喷涂于石英坩埚内的底部和侧壁,然后进行烘干,得到带有氮化硅涂层的石英坩埚。

【技术特征摘要】
1.一种带有氮化硅涂层的石英坩埚的制备方法,包括以下步骤: 将氮化硅浆料喷涂于石英坩埚内的底部和侧壁,然后进行烘干,得到带有氮化硅涂层的石英坩埚。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述氮化硅浆料由氮化硅粉和水混合制成,所述氮化硅粉的质量与所述水的体积之比为(37(T450) g:(1000^1800) mL03.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在氮化硅粉和水混合时,所述混合在搅拌的条件下进行,所述混合的时间不低于10分钟。4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在将氮化硅浆料喷涂于石英坩埚内的底部和侧壁之前,还包括将所述石英坩埚进行加热,所述加热的温度为40°C~80°C。5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述喷涂的温度为40°C~80°C。6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:彭春球
申请(专利权)人:浙江昱辉阳光能源有限公司
类型:发明
国别省市:浙江;33

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