薄膜晶体管阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管液晶显示面板及其制造方法。本发明专利技术的技术方案是在薄膜晶体管液晶显示面板的平坦化层中划分出移除区，将该移除区内的所有有机光阻材料完全去除，把框胶直接涂布在更易粘牢的保护层上，从而获得更好的框胶粘合效果。这样，本发明专利技术提供的薄膜晶体管液晶显示面板的整体结构粘合得更加牢固，相对于现有技术可以有效地提高产品良率，且其制造方法简单易行。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
本专利技术涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。
技术介绍
多媒体社会的急速进步多半是受惠于半导体元件及显示装置的飞跃性进步。就显示面板而言，具有高画质、空间利用效率佳、低功耗、无辐射等优越特性的薄膜晶体管液晶显示面板(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay,TFT-LCD)已经逐渐成为市场的主流。一般来说，薄膜晶体管液晶显示面板是由薄膜晶体管阵列基板、液晶层以及彩色滤光基板所构成。在制造过程中，通常会在薄膜晶体管阵列基板上涂布一层框胶(sealant)，利用框胶的粘性将薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光基板贴合，并将液晶层封装在薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光基板之间。请参阅图1，现有的薄膜晶体管液晶显示面板制程中，薄膜晶体管阵列基板的制造方法一般包括以下步骤：一、形成薄膜晶体管。具体方法是首先在一基板主体110的上表面使用导电材料(例如金属等)形成薄膜晶体管的栅极111，然后使用绝缘材料(例如氧化硅或氮化硅等)在所述基板主体110的上表面上形成绝缘层112，该绝缘层112在业内一般称为栅极保护层或栅介电层，将所述基板主体110的上表面连同所述栅极111一同覆盖。接下来，采用半导体材料在所述第一保护层112的上表面上与所述栅极111对应的位置形成薄膜晶体管的半导体层113，该半导体层113用作薄膜晶体管的通道区。然后在该半导体层113上用导电材料(例如金属)堆叠形成薄膜晶体管的漏极114和源极115。二、使用绝缘材料(例如氧化硅或氮化硅等)在所述绝缘层112的上表面上形成保护层120，该保护层120将所述绝缘层112的上表面以及形成于所述绝缘层112的上表面上的上述半导体层113、漏极114和源极115一同覆盖。三、使用有机光阻材料在所述保护层120的上表面上形成平坦化层130。四、使用光罩140盖住所述平坦化层130的上表面，然后对所述光罩140的上表面进行曝光。在曝光过程中，所述平坦化层130的被光罩140覆盖的部分不会受到影响，对应于所述光罩140上的开孔的部分则会在光照下变性。例如，图1所示的所述光罩140上设有开孔141，因此在曝光时，所述平坦化层130正对所述开孔141的部分会受到光线照射而变性，从而可以被后续的蚀刻制程移除；其他部分则保持原有的化学性质，不会被后续的蚀刻制程移除。该曝光过程的目的是为了形成从上述漏极114或源极115引出配线的引线孔，因此在将所述光罩140盖在所述平坦化层130上时，所述开孔141应该垂直地对准所述漏极114或源极115。图1的例子中，所述开孔141是对准所述源极115。五、曝光后，对所述平坦化层130进行光阻显影。在该光阻显影的过程中，所述平坦化层130正对所述开孔141的部分由于化学性质在光照下发生了改变，因此会被蚀刻药剂溶解及移除。所述平坦化层130的其他部分并未受到光线照射，因此不会被蚀刻药剂溶解，仍然覆盖在所述保护层120上方。这样，就在所述平坦化层130上形成了与所述光罩140的开孔141相对准，也就是垂直地对准所述源极115的连通孔150。所述保护层120的一部分从所述连通孔150底部暴露出来。六、在所述平坦化层130上形成上述连通孔后，进行蚀刻，将所述保护层120通过所述连通孔150暴露出来的部分去除，在所述保护层120上形成和所述连通孔150相通的引线孔160，所述源极115通过所述连通孔150和所述引线孔160部分地暴露出来。这样，从所述源极115引出的配线(图未示)即可通过所述连通孔150和所述引线孔160与外界的其他电子元件建立电性连接，使所述薄膜晶体管发挥功能。七、在剩余的所述平坦化层130的上表面上涂上框胶，即可利用框胶的粘性将薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光基板贴合，同时将所述薄膜晶体管封装在基板主体110与彩色滤光基板之间。但是，在现有技术中，框胶与构成平坦化层130的有机光阻材料之间的粘合力一般较差，难以取得足够牢固的粘接效果。因此，当采用上述方法制造的薄膜晶体管阵列基板被用于制造薄膜晶体管显示面板时，经常会由于粘接不牢而导致薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光基板之间出现缝隙甚至完全脱离，对产品质量造成很大影响。
技术实现思路
鉴于上述状况，有必要提供一种具有更好的框胶粘合效果，便于组装，有利于提高产品良率的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。本专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，该方法包括以下步骤：S1，在基板主体上形成薄膜晶体管，使用绝缘材料形成覆盖所述基板主体与所述薄膜晶体管的保护层，使用有机光阻材料在所述保护层表面形成平坦化层；S2，将所述平坦化层划分为显示区与移除区，对所述显示区的选定区域进行完全曝光，对整个所述移除区进行不完全曝光；S3，进行光阻显影，在所述显示区的所述选定区域形成连通孔，同时使所述移除区被部分地移除而在所述保护层上形成厚度比所述平坦化层薄的遮蔽层；S4，进行蚀刻，在所述保护层上形成和所述连通孔相通，用于引出所述薄膜晶体管的配线的引线孔；S5，形成所述引线孔后，将所述遮蔽层移除，使所述保护层部分地暴露出来形成粘合区，然后在所述粘合区上涂上框胶。优选地，所述步骤S2包括以下子步骤：S21，提供光罩，所述光罩为灰阶光罩或半透膜光罩，包括不透光的遮光区与允许光线部分地透过的半透光区，且所述遮光区开设有位置对准所述显示区的所述选定区域的开孔；使用所述遮光区遮住所述显示区，使用所述半透光区遮住所述移除区；S22，对所述遮光区与所述半透光区的表面同时进行曝光，使所述显示区的所述选定区域在穿过所述开孔的曝光光线的照射下受到完全曝光，而整个所述移除区在部分地透过所述半透光区的曝光光线照射下受到不完全曝光。优选地，所述步骤S4中，形成所述引线孔的方法为干式蚀刻。优选地，所述步骤S4中，采用的蚀刻反应气体为氯气或六氟化硫。优选地，所述步骤S5中，将所述遮蔽层移除的方法为灰化处理。优选地，所述步骤S1中，在所述基板主体上形成薄膜晶体管的操作包括以下子步骤：S11，在所述基板主体的表面上形成薄膜晶体管的栅极；S12，形成将所述基板主体与所述栅极一同覆盖的绝缘层；S13，采用半导体材料在所述绝缘层的表面上形成用作所述薄膜晶体管的通道区的半导体层；S14，在所述半导体层上形成所述薄膜晶体管的漏极和源极。优选地，所述步骤S3中形成的所述连通孔和所述步骤S4中形成的所述引线孔均对准所述漏极或源极，使所述漏极或源极通过所述引线孔部分地暴露出来。优选地，所述子步骤S12中，形成所述绝缘层的方法为化学气相沉积法。优选地，所述步骤S1中，形成所述保护层的方法为化学气相沉积法。本专利技术还提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板主体、形成在所述基板主体表面上的薄膜晶体管、使用绝缘材料形成的覆盖所述基板主体与所述薄膜晶体管的保护层、以及使用有机光阻材料形成在所述保护层的一部分表面上的平坦化层；所述保护层的另一部分表面上涂设有框胶，形成与所述平坦化层相邻的框胶层。本专利技术提供的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法在平坦化层中划分出移除区，将该移除区内的所有有机光阻材料完全去除，把框胶直接涂布在更易粘牢的保护层上，从而获得更好的框胶粘合效果。这样，本专利技术提供的薄膜晶体管液晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：S1，在基板主体(210)上形成薄膜晶体管，使用绝缘材料形成覆盖所述基板主体(210)与所述薄膜晶体管的保护层(220)，使用有机光阻材料在所述保护层(220)表面形成平坦化层(230)；S2，将所述平坦化层(230)划分为显示区(231)与移除区(232)，对所述显示区(231)的选定区域进行完全曝光，对整个所述移除区(232)进行不完全曝光；S3，进行光阻显影，在所述显示区(231)的所述选定区域形成连通孔(250)，同时使所述移除区(232)被部分地移除而在所述保护层(220)上形成厚度比所述平坦化层(230)薄的遮蔽层(232a)；S4，在所述保护层(220)上形成和所述连通孔(250)相通，用于引出所述薄膜晶体管的配线的引线孔(260)；S5，形成所述引线孔(260)后，将所述遮蔽层(232a)移除，使所述保护层(220)部分地暴露出来形成粘合区(220a)，然后在所述粘合区(220a)上涂上框胶。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：S1，在基板主体(210)上形成薄膜晶体管，使用绝缘材料形成覆盖所述基板主体(210)与所述薄膜晶体管的保护层(220)，使用有机光阻材料在所述保护层(220)表面形成平坦化层(230)；S2，将所述平坦化层(230)划分为显示区(231)与移除区(232)，对所述显示区(231)的选定区域进行完全曝光，对整个所述移除区(232)进行不完全曝光；S3，进行光阻显影，在所述显示区(231)的所述选定区域形成连通孔(250)，同时使所述移除区(232)被部分地移除而在所述保护层(220)上形成厚度比所述平坦化层(230)薄的遮蔽层(232a)；S4，在所述保护层(220)上形成和所述连通孔(250)相通，用于引出所述薄膜晶体管的配线的引线孔(260)；S5，形成所述引线孔(260)后，将所述遮蔽层(232a)移除，使所述保护层(220)部分地暴露出来形成粘合区(220a)，然后在所述粘合区(220a)上涂上框胶；其中，所述步骤S1中，在所述基板主体(210)上形成薄膜晶体管的操作包括以下子步骤：S11，在所述基板主体(210)的表面上形成薄膜晶体管的栅极(211)；S12，形成将所述基板主体(210)与所述栅极(211)一同覆盖的绝缘层(212)；S13，采用半导体材料在所述绝缘层(212)的表面上形成用作所述薄膜晶体管的通道区的半导体层(213)；S14，在所述半导体层(213)上形成所述薄膜晶体管的漏极(214)和源极(215)。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2包括以下子步骤：S21，提供光罩(24)，所述光罩(24)为灰阶光罩或半透膜光罩，包括不透光的遮光区(240)与允许光线部分地透过的半透光区(242)，且所述遮光区(240)开设有位置对准所述显示区(231)的所述选定区域的开孔(241)；使用所述遮光区(240)遮住所述显示区(231)，使用所述半透光区(242)遮住所述移除区(232)；S22，对所述遮光区(240)与所述半透光...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏长义，郑扬霖，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44