【技术实现步骤摘要】
一种高散热芯片嵌入式重布线封装结构及其制作方法
本专利技术涉及一种高散热芯片嵌入式重布线封装结构及其制作方法,属于半导体封装
技术介绍
当前芯片尺寸封装(CSP)工艺主要有:一、芯片先贴装在引线框架或者基板上后在芯片表面引线键合,或者芯片表面二次布线制作凸点后倒装在引线框架或者基板上再进行模塑包封及后工序;二、芯片表面二次布线后在布线层Pad处制作焊球,再进行模塑包封(或裸芯片)及后工序。当前芯片尺寸封装(CSP)工艺存在以下不足和缺陷:1、随着产品小、薄、高密度的要求不断提高,引线框架或者基板要求小而薄,易变形,制作难度较大;2、采用引线键合工艺的产品,受焊线弧高和弧长的限制,产品的厚度和大小都不可能做得很小;3、采用倒装工艺或者圆片级封装的产品,芯片需要二次布线制作凸点,前期制造成本较高;4、随着芯片引脚数的增多以及对芯片尺寸缩小要求的提高,芯片倒装时与基片的对位精度要求非常高;5、绝大多数的倒装焊产品中都采用了底部填充剂,其作用是缓解芯片和基板之间由热膨胀系数(CTE)差所引起的剪切应力,但存在填充不满、空洞的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高散热芯片嵌入式重布线封装结构的制作方法,其特征在于所述方法包括如下步骤:步骤一、取金属载板取一片厚度合适的金属载板;步骤二、金属载板表面预镀铜材在金属载板表面电镀一层铜材薄膜;步骤三、贴光阻膜在完成预镀铜材薄膜的金属载板正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜;步骤四、曝光显影利用曝光显影设备将步骤三完成贴光阻膜的金属载板正面进行图形曝光、显影与去除部分光阻膜,以露出金属载板正面后续需要进行芯片定位区电镀的图形区域;步骤五、电镀金属层在步骤四中金属载板正面去除部分光阻膜的区域内电镀上金属层作为贴装芯片定位区;步骤六、去除光阻膜去除金属载板表面的光阻膜;步骤七、贴装芯片在电镀了芯片贴装定位区的金属载板上贴装芯片;步骤八、焊接铜凸点在芯片表面焊接铜凸点;步骤九、在金属载板正面覆盖绝缘材料层在金属载板正面覆盖一层绝缘材料;步骤十、绝缘材料表面减薄将绝缘材料表面进行机械减薄,直到露出铜凸点为止;步骤十一、绝缘材料表面金属化对绝缘材料表面进行金属化处理,使其表面后续能进行电镀;步骤十二、贴光阻膜在完成金属化的绝缘材料表面及金属载板背面贴上可进行曝光显影的光阻膜;步骤十三、曝光显影利...
【专利技术属性】
技术研发人员:王新潮,梁新夫,陈灵芝,郁科锋,
申请(专利权)人:江苏长电科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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